рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя

Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя - Дипломная Работа, раздел Высокие технологии, Выращивание пленок силленитов легированного Cr203 на подложках Bi12GeO20 и изучения их свойств Определение Влияния Температуры На Толщину Эпитаксиального Слоя. Для Приборов...

Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя. Для приборов магнитооптики требуются плёнки толщиной не менее 20 мкм. На толщину получаемых эпитаксиальных плёнок основное влияние оказывают температура расплава, скорость подъёма штока и время эпитасиального наращивания плёнки. Для определения толщины эпитаксиального слоя, из пластин с нанесённой плёнкой изготовлялся срез вдоль оси роста.

Измерение толщины производилось с использованием микроскопа МИН-8. Измерение под микроскопом производилось с помощью винтового окулярного микрометра.

Он позволяет проводить замеры с большой точностью, нежели линейный. При 20Х объективе цена одного деления барабана составляет 0,375 мкм. Экспериментальные данные показали, что при скорости менее 12 мм час происходит налипание расплава на подложку. При постоянных скорости вытягивания и времени наращивания плёнки, основное влияние на ее толщину оказывает температура. Влияние температуры на толщину плёнки представлено на рис. 2.8.1. Рис. 2.8.1. Зависимость толщины эпитаксиальной плёнки от температуры при постоянной скорости вытягивания 12 мм час. и 10- минутной выдержке подложки в расплаве. На основании эксперимента выбран оптимальный температурный режим выращивания плёнок при скорости вытягивания 12 мм час. Важное влияние на толщину получаемых плёнок оказывает время эпитаксиального наращивания.

Рис. 2.8.2. Рис. 2.8.2. Зависимость толщины плёнок от времени эпитаксии при разных температурах расплава 1. 914 С. 2. 907 С. 3. 900 С. Плёнки оптимальной толщины получались в интервале от 855 до 873 С и времени эпитаксии 10 мин. 3.9

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Выращивание пленок силленитов легированного Cr203 на подложках Bi12GeO20 и изучения их свойств

К числу важнейших элементов таких систем относятся оптические модуляторы, дефлекторы, дисплеи, элементы долговременной и оперативной памяти и др. В… В настоящее время значительная часть радиоэлектронных приборов конструируется… Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа mBi2O3nMexOy вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, …

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Литературный обзор
Литературный обзор. Соединения со структурой силленита. Кристаллы со структурой силленита относятся к пентагонтритетраэдрическому классу I 23 кубической сингонии и принадлежит к пространственной гр

Структура германата висмута
Структура германата висмута. Атомы кислорода О 3 расположены на главных диагоналях элементарной ячейки вокруг Ge, образуя правильный тетраэдр, на что было обращено внимание в работах 6-8 рис

Некоторые физические свойства силленитов
Некоторые физические свойства силленитов. Монокристаллы со структурой силленита, в основном, удовлетворяют требованиям, предъявляемым к электрооптическим и магнитным кристаллам - Высокие про

Требования к материалу подложки
Требования к материалу подложки. Жидкостная эпитаксия отличается от других способов кристаллизации из расплава наличием монокристаллической подложки, на которую кристаллизуется осаждаемое ве

Подготовка поверхности подложки к эпитаксии
Подготовка поверхности подложки к эпитаксии. Чистота поверхности подложки является решающим фактором для выращивания и адгезии плёнок. Хорошо очищенная подложка является необходимым предвари

Получение плёнок соединений со структурой силленита
Получение плёнок соединений со структурой силленита. Термин эпитаксия происходит от греческих слов эпи и такси, имеющих значения над и упорядочение. Технологический процесс эпитаксии заключа

Возможность получения плёнок силленита на силлените
Возможность получения плёнок силленита на силлените. Будущие высокоёмкие системы оптической связи, как считают A.A. Ballman и P.K. Tien 44, будут состоять из различных пассивных и активных и

Оптические свойства
Оптические свойства. Перспективность материалов со структурой силленита в значительной степени объясняются электрооптическими свойствами этих кристаллов, то есть сравнительно малой величиной

Выводы из литературного обзора
Выводы из литературного обзора. Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа mBi2O3nMexOy вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, обладают электрооптическими и магнитооптиче

Выбор материала тигля
Выбор материала тигля. При выращивании монокристаллов силленитов в качестве материала тигля используется платина. Хотя температура плавления германосилленита 930 С, применять керамические, к

Изготовление подложек из монокристаллов Bi
Изготовление подложек из монокристаллов Bi. GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Для изготовления подложек, монокристаллы германосилленита распиливали алмазным диском с наружной реж

Нанесения эпитаксиального слоя
Нанесения эпитаксиального слоя. Эпитаксиальные плёнки получали методом окунания монокристаллической германосилленитовой подложки в расплав. Платиновый тигель с шихтой помещали в кристаллизационную

Выявление микроструктуры эпитаксиальных плёнок
Выявление микроструктуры эпитаксиальных плёнок. Изучение микроструктуры полученных плёнок производили кристаллооптическим методом на микроскопе МИН - 8 с 160 кратным увеличением. Определяли

Результаты работы и выводы
Результаты работы и выводы. Получены плёнки твёрдого раствора Bi12GeO20 6 мольн. Cr4 со структурой силленита на германосилленитовой подложке. 2. Оптимальными условиями для получения качестве

Экономическая часть
Экономическая часть. ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ обоснование проведения дипломной работы. В последнее время развитие и совершенствование передовых технологий привело к широкому внедрению достижений науки

Оценка себестоимости лазерного элемента на основе монокристаллической пленки по данным полученным в результате НИР
Оценка себестоимости лазерного элемента на основе монокристаллической пленки по данным полученным в результате НИР. Производство пленочного лазерного элемента состоит из трех основных стадий - нара

Расчет энергетических затрат
Расчет энергетических затрат. ЗЭ М К Т Ц , где ЗЭ - затраты на электроэнергию М - паспортная мощность, кВт К - коэффициент использования мощности 0,7-0,9 Т - время работы прибора, час. Ц - ц

Расчет заработной платы
Расчет заработной платы. Расчет основной заработной платы. Проводится исходя из месячной стипендии и числа отработанных месяцев ЗПИССЛ 250 7 1750 руб. Расчет основной заработной платы

Расчет амортизационных отчислений
Расчет амортизационных отчислений. Амортизационные отчисления рассчитываются по формуле А Ф НА Т 100 12 , где Ф - стоимость оборудования и приборов, т.руб. НА - годовая норма амортизации, составляе

Характеристика применяемых реактивов и препаратов
Характеристика применяемых реактивов и препаратов. GeO2 - белый порошок М tпл 1115С, плотность - 4,7 г. см3. Растворимость в воде составляет 0,4 при 20 С . В щелочах растворяется с образован

Классификация по ПУЭ
Классификация по ПУЭ. По ПУЭ лаборатория относится к классу помещений В-Iб. В помещениях данного класса возможно образование горючих паров и газов, имеющих высокий НКПВ и резкий запах, легко обнару

Меры электробезопасности
Меры электробезопасности. В лаборатории используется переменный ток промышленной частоты 50 Гц, напряжением 220 В. По опасности поражения людей электрическим током лабораторное помещение отн

Производственная санитария
Производственная санитария. Общая площадь лаборатории составляет 42,2 м2, высота - 3,6 м, объем - 151,9 м3. Согласно СН 245-71 объем помещения на каждого работающего должен составлять не мен

Охрана окружающей среды от промышленных загрязнений
Охрана окружающей среды от промышленных загрязнений. ВВЕДЕНИЕ. Одной из проблем, стоящих перед инженером - технологом, является охрана окружающей среды. Решение сегодняшних экологических проблем за

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги