Требования к материалу подложки.
Жидкостная эпитаксия отличается от других способов кристаллизации из расплава наличием монокристаллической подложки, на которую кристаллизуется осаждаемое вещество. Поэтому процесс жидкостной эпитаксии и свойства эпитаксиального слоя в значительной степени определяются свойствами подложки. В первый момент после начала кристаллизации процесс жидкостной эпитаксии определяется характером фазового равновесия на границе подложка - расплав и кинетикой поверхностной реакции осаждения атомов кристаллизующегося материала.
Подложка оказывает непосредственное влияние только на первый слой толщиной порядка нескольких постоянных решётки кристаллизуемого материала. Дальнейший рост происходит на эпитаксиальном слое, однако, часть параметров подложки определяет свойства всего эпитаксиального слоя например, ориентация подложки, поскольку она сохраняется и у растущего слоя 37 . Основными требованиями к материалу подложки являются - Более высокая температура плавления подложки по отношению к кристаллизуемому материалу - Однотипность кристаллохимической структуры подложки и эпитаксиального слоя - Максимальная близость параметров их решёток - Коэффициент термического расширения подложки должен соответствовать коэффициенту термического расширения плёнки для уменьшения напряжений на плёнке, возникающих в случае их несоответствия Стойкость подложки к термоударам предотвратит её дробление при внезапных термоударах 37 Подложки должны быть инертны к реактивам, применяемым при подготовке пластин к эпитаксии.
Невыполнение этих требований, по мнению авторов 37, затрудняет получение высококачественных эпитаксиальных плёнок. 2.3.2