alt - winяШ2 яш1.5 я1Министерство науки, высшей школы и технической политики РФ я1Московский Государственный Институт Электроники и Математики я1Факультет Электронной Техники я1Кафедра - Материаловедение я1электронной техники я1РЕФЕРАТ я1на темуя3 Материалы оптоэлектроники. я3Полупроводниковые светоизлучающие структуры.я0 я1Выполнил студент группы И-41 я1Офров С.Г я1Руководитель Петров В.С. я1Реферат защищн с оценкой подпись преподавателя, дата я1Москва 1994 яш0 1 - Материалы оптоэлектроники.
Полупроводниковые светоизлучающие структуры. 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1. Предмет оптоэлектроники. Оптоэлектроника представляет собой раздел науки и техники, занимающийся вопросами генерации, переноса передачи и прима, переработки преобразования, запоминания и хранения информации на основе использования двойных электрических и оптических ме- тодов и средств.
Оптоэлектронный прибор - это по рекомендации МЭК прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфра- красной или ультрафиолетовой областях или прибор, излучающий и преобразующий некогерентное или когерентное излучение в этих же спектральных областях или прибор, использующий такое электро- магнитное излучение для своей работы.Обычно подразумевается также твердотельность оптоэлек- тронных приборов и устройств или такая их структура в случае использования газов и жидкостей, которая допускала бы реализа- цию с применением методов современной интегральной техники в микроминиатюрном исполнении.
Таким образом, оптоэлектроника ба- зируется на достижениях целого ряда достижений науки и техники, среди которых должны быть выделены прежде всего квантовая элек- троника, фотоэлектроника, полупроводниковая электроника и техно- логия, а также нелинейная оптика, электрооптика, голография, во- локонная оптика 2 - Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств связа- ны с тем, что в качестве носителя информации в них наряду с электронами выступают электрически нейтральные фотоны.
Этим обуславливаются их основные достоинства 1. Высокая информационная мкость оптического канала. 2. Острая направленность излучения. 3. Возможность двойной модуляции светового луча - не только временной, но и пространственной. 4. Бесконтактность, элетропассивность фотонных связей. 5. Возможность простого оперирования со зрительно восприни- маемыми образами. Эти уникальные особенности открывают перед оптоэлектронными приборами очень широкие возможности применения в качестве эле- ментов связи, индикаторных приборов, различных датчиков.
Тем са- мым оптоэлектроника вносит свою, очень значительную, долю в комплексную микроминиатюризацию радиоэлектронной аппаратуры.
Дальнейшее развитие и совершенствование средств оптоэлектроники служит техническим фундаментом разработки сверхвыскопроизводи- тельных вычислительных комплексов, запоминающих устройств ги- гантской мкости, высокоскоростной связи, твердотельного телеви- дения и инфравидения. Основу практически любой оптоэлектронной системы составляет источник излучения именно его свойства и определяют, в первую очередь, лицо этой системы.А все источники можно подразделить на две большие группы с когерентным лазеры и с некогерентным светоизлучающие диоды и др. излучением.
Устройства с использо- ванием когерентного или некогерентного света обычно резко отли- чаются друг от друга по важнейшим характеристикам 3 - Вс это оправдывает использование таких терминов как коге- рентная оптоэлектроника и некогерентная оптоэлектроника. Ес- тественно, что чткую грань провести невозможно, но различия между ними очень существенны.История оптоэлектроники ведт сво начало с открытия опти- ческого квантового генератора - лазера 1960 г Примерно в то же время 50-60-е гг. получили достаточно широкое распростране- ние светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотопримники, уст- ройства управления световым лучом и другие элементы оптоэлектро- ники. 2. Генерация света. Оптический диапазон составляют электромагнитные волны, дли- ны которых простираются от 1 мм до 1 нм. Оптический диапазон за- мечателен тем, что именно в нм наиболее отчтливо проявляется корпускулярно-волновой дуализм энергия фотона и соответствующие ей частота колебаний и длина волны света связаны следующими со- отношениями яш1я7 я7 я7nя0Гц 3я77я010я514я0я7lя0мкмя7 2 я78 я7eя4фя0эВ 1,234я7lя0мкмя7 2 я70 яш0 При известной удельной мощности P плотность фотонного пото- ка N определяется выражением Nмя5-2я0ся5-1я0 5,035я77я010я512я77lя0мкмя77я0PмкВтя77я0 мя5-2я0. Все светогенерационные эффекты относят либо к тепловому из- лучению, либо к одному из видов люминесценции.
Спектр излучения - 4 - нагретого тела определяется формулой Планка, которая для так на- зываемого абсолютно чрного тела имеет вид fя7lя0,T 2я7p7я0hя77я0cя52я77lя5-5я0 exphckTя7lя0 - 1я5-1я0, где h, c, k - известные универсальные константы T - абсолютная температура.
При достаточно высоких температурах 3500 К часть спектра теплового излучения приходится на видимую область. При этом, однако, всегда значителен длинноволновый хвост. Люминесценция представляет собой излучение, характеризующе- еся тем, что его мощность превышает интенсивность теплового из- лучения при данной температуре холодное свечение.
Известно, что электроны в атоме могут находиться в ряде дискретных энергетических состояний, при тепловом равновесии они занимают наинизшие уровни.
В люминесцирующем веществе за счт энергии того или иного внешнего воздействия часть электронов пе- реходит на более высокие энергетические уровни Eя42я0. Возвращение этих электронов на равновесный уровень Eя41я0 сопровождается испус- канием фотонов с длиной волны, определяемой простым соотношением яш1 1,23 я7lя0 Д мкм Eя42я0 - Eя41я0эВ яш0 Физика люминесценции предопределяет две примечательные осо- бенности процесса узкий спектр излучения и возможность исполь- зования большого числа способов возбуждения.
В оптоэлектронике главным образом используются электролюминесценция пробой и ин- жекция p-n перехода в полупроводниках, а также фото- и катодо- люминесценция бомбардировка люминофора быстрыми электронами.
При распространении световых лучей важную роль играет диф- ракция, обусловленная волновой природой света и приводящая, в - 5 - частности, к тому, что выделенный с помощью оптической системы параллельный пучок становится расходящимся, причм угол расходи- мости близок к я7fя4Dя0 я7 lя0D , где D - апертура диаметр луча света.Дифракционный предел разрешающей способности оптических систем соизмерим ся7 lя0, а плотность записи информации с помощью световых потоков не может превыситья7 lя5-2я0. В веществе с показателем преломления n скорость распростра- нения светового луча становится cn, а поскольку величина n за- висит от длины волны как правило, растт с уменьшениемя7 lя0, то это обуславливает дисперсию. 1.3. Источники излучения.
Оптоэлектроника базируется на двух основных видах излучате- лей лазерах когерентное излучение и светоизлучающих диодах некогерентное излучение. В оптоэлектронике находят применение маломощные газовые, твердотельные и полупроводниковые лазеры.Разрежнность газового наполнения в рабочем объме обусловливает высокую степень монох- роматичности, одномодовость, стабильность частоты, острую на- правленность и, в конечном счте, когерентность излучения.
В то же время значительные габариты, низкий к.п.д прочие недостатки газоразрядных приборов не позволяют рассматривать этот вид ОКГ как универсальный оптоэлектронный элемент. Значительные мощности излучения твердотельных лазеров обус- лавливают перспективность применения этих генераторов в дально- действующих волоконнооптических линиях связи.
Наибольший интерес для разнообразных оптоэлектронных приме 6 - нений представляют полупроводниковые лазеры благодаря высокому к.п.д малым габаритам, высокому быстродействию, простоте уп- равления.Особенно выделяются гетеролазеры на основе тройного полупроводникового соединения Ga Al As. В их структуре тонкий слой n-типа проводимости зажат между областями n- и p-типов того же материала, но с большими значениями концентраций алюми- ния и соответственно этому большими ширинами запрещнной зоны. В роли резонатора может также выступать поверхностная дифракцион- ная рештка, выполняющая функцию распределнной оптической об- ратной связи.
Для оптоэлектроники особый интерес представляют полупровод- никовые излучатели - инжекционные светодиоды и электролюминес- центные электролюминофоры. В первых излучение появляется в ре- зультате рекомбинации дырок с инжектированными через pn-переход электронами.Чем больше ток через светодиод, тем ярче его высве- чивание.
В зависимости от материала диода и примесей в нм меня- ется цвет генерируемого излучения красный, жлтый, зелный, си- ний соединения галия с фосфором и азотом, кремния с углеродом и пр см. табл.1. Светодиоды на основе соединения галия с мышь- яком генерируют невидимое излучение с длиной волны 0,9 0,92 мкм. На этой длине волны кремниевые фотопримники имеют макси- мальную чувствительность.Для светодиодов характерны малые раз- меры 0,3я7я00,3 мм, большие срок службы до 100 тыс. ч. и быст- родействие 10я5-6я0 10я5-9я0 с, низкие рабочие напряжения 1,6 3,5 В и токи 10 100 мА 7 - яш1.5 яЛ Таблица 1. Основные материалы для светодиодов. ЙНСНСНСНСН Полупро- я4oя0 я5 я0 Цвет Эффектив- Быстродействие, водник я7lя0,A ность, нс ЗДЕДЕДЕДЕД GaAs 9500 ИК 12 50я5я0 10я5-7я0 10я5-6я0 9000 2 10я5-9я0 10я5-8я0 ЗДЕДЕДЕДЕД GaP 6900 Красный 7 10я5-7я0 10я5-6я0 5500 Зелный 0,7 10я5-7я0 10я5-6я0 ЗДЕДЕДЕДЕД GaN 5200 Зелный 0,01 4400 Голубой 0,005 ЗДЕДЕДЕДЕД GaAsя41-xя0Pя4xя0 6600 Красный 0,5 3я77я010я5-8я0 6100 Янтарный 0,04 3я77я010я5-8я0 ЗДЕДЕДЕДЕД Gaя41-xя0Alя4xя0As 8000 ИК 12 10я5-8я0 6750 Красный 1,3 3я77я010я5-8я0 ЗДЕДЕДЕДЕД 6590 Красный 0,2 Inя41-xя0Gaя4xя0P 6170 Янтарный 0,1 5700 Желто- 0,02 зелный ИНПНПНПНПН яш0 яЛ- Излучатели на основе люминофоров представляют собой порош- ковые или тонкоплночные конденсаторы, выполненные на стеклянной прозрачной подложке. Роль диэлектрика выполняет электролюминофор на основе соединения цинка с серой, который излучает свет под действием сильного знакопеременного электрического поля. Такие светящиеся конденсаторы могут изготовляться различных размеров от долей сантиметра квадратного до десяти и более квадратных метров, различной конфигурации, что позволяет изготавливать из - 8 - них знако-буквенные индикаторы, отображать различные схемы, кар- ты, ситуации. В последнее время для малогабаритных устройств индикации широко стала использоваться низковольтная катодолюминесценция - свечение люминофора под действием электронного луча. Такие ис- точники излучения представляют собой электровакуумную лампу, анод которой покрыт люминофором, излучающим красный, жлтый, зе- лный, синий свет при попадании на него ускоренных электрическим полем электронов.
Простота конструкции, низкая стоимость, боль- шие яркости и большой срок службы сделали катодолюминесценцию удобной для различных применений в оптоэлектронике. 2. СВЕТОДИОДЫ. Наиболее перспективными источниками излучения для оптоэ- лектроники являются светодиоды.
Такими их делают малые габариты и масса излучающие площади 0,2 0,1 ммя52я0 и менее, большой срок службы, измеряемый годами и даже десятками лет 10я54я0 10я55я0 ч, высокое быстродействие, не уступающее интегральным схемам 10я5-9я0 10я5-5я0 с, низкие рабочие напряжения 1,6 2,5 В, малая потребляемая мощность 20 600 мВт, возможность получения из- лучения заданного спектрального состава от синего до красного в видимой части спектра и ближнего инфракрасного излучения.
Они используются в качестве источника излучения для управления фо- топримниками в оптронах, для представления цифро-буквенной ин- формации в калькуляторах и дисплеях, для ввода информации в компьютерах и пр. Светодиод представляет собой гомо- или гетеро-pn-переход 9 - прохождение тока через который в прямом направлении сопровожда- ется генерацией в полупроводнике излучения.
Излучение является следствием инжекционной люминесценции - рекомбинации инжектиро- ванных через pn-переход эмиттером неосновных носителей тока электронов с основными носителями тока в базе дырками люми- несценция - испускание света веществом, не требующее для этого нагрева вещества инжекционная электролюминесценция означает, что люминесценция стимулирована электрическим током. Электролюминесценция может быть вызвана также сильным электрическим полем, как в случае электролюминесцентных конден- саторов с диэлектриком из порошка сернистого цинка предпробой- ная электролюминесценция Дестрио.
Светодиоды для видимого и ближнего инфракрасного излучения изготавливаются главным образом из монокристаллов материалов ти- па Aя5IIIя0Bя5Vя0 фосфида галия, арсенида галия и более сложных соеди- нений GaAsя41-xя0Pя4xя0 , Gaя41-xя0Alя4xя0As , где x - доля содержания того или другого элемента в соединении.
Для получения требуемого цвета свечения материалы сильно легируются соответствующими примесями или их состав сильно варь- ируется.
Так, для получения красного излучения фосфид галия ле- гируется цинком и кислородом, для получения зелного - азотом.
Если в GaAsя41-xя0Pя4xя0 x0,39 , то светодиод излучает красный свет с я7lя0660 нм, если x0,5 0,75, то янтарный ся7 lя0610 нм. Из простого соотношения, связывающего длину волны излучения с шириной запрещнной зоны полупроводника,я7 lя0нм 1234я7eя0 эВ следует, что видимое излучение ся7 l,я0720 нм можно получить лишь от широкозонных полупроводников с шириной запрещнной зоныя7 e.я01,72 эВ. У арсенида галия при комнатной температурея7 eя01,38 эВ. Поэто 10 - му светодиоды из арсенида галия излучают невидимое, инфракрасное излучение с я7lя0900 нм. У фосфида галия я7eя02,19 эВ. Он может уже излучать видимый свет с длиной волныя7 l.я0565 нм, что соответствует желто-зелному свечению.
Как преобразователь электрической энер- гии в световую, светодиод характеризуется внешней эффективностью или к.п.д яш1 число эмиттированных квантов света я7hя0 Д число инжектированных неосновных носителей яш0 Эффективность светодиодов невеликая7 h,я00,1 10. В большинс- тве случаев она не превышает 0,5 5. Это обусловлено тем, что свет трудно вывести из полупроводника наружу.
При высоком значе- нии коэффициентов преломления используемых поводников для арсе- нида галия n3,3 для воздуха - 1 значительная часть рекобинаци- онного излучения отражается от границы раздела полупровод- ник-воздух, возвращается в полупроводник и поглощается в нм, превращаясь в тепло.
Поэтому сравнительно невелики средние яр- кости светодиодов и их выходные мощности Lя4фя010 10я53я0 кдмя52я0, Iя4фя010я5-1я0 10я52я0 мкд, Pя4фя010я5-1я0 10я52я0 МВт. По этим параметрам они ус- тупают лампочкам накаливания, по остальным - превосходят их. Светодиод - миниатюрный твердотельный источник света.
У не- го отсутствует отпаянная колба как у лампы накаливания. У него нет нити накала, а значит отсутствует время разогрева и микро- фонный эффект. Он более стоек к механическим ударам и вибрациям.Излучение светодиода весьма близко к монохроматическому в преде- лахя7 Dlя040 100 нм. Это снижает фоновые шумы источника по срав- нению со случаем применения фильтров для монохроматизации излу- чения немонохроматического источника 11 - 2.1. Конструкция светодиодов.
В излучателе плоской конструкции рис.1,а излучающий пере- ход выполнен или диффузией, или эпитаксией. Штриховыми линиями показаны лучи, которые из-за полного внутреннего отражения от границы раздела не выходят из кристалла.Из кристалла выходят только те лучи, которые с нормалью составляют угол я7Q,я0arcsin nя41я0nя42я0. Для арсенида галия и фосфида галия - это конус с углом у вершины не более 35я5oя0. Такая конструкция является самой дешвой и простой.
Однако она наименее эффективна, ей соответствует узкая диаграмма направленности излучения рис. 2. Геометрические размеры полусферической конструкции светоди- ода рис. 1,б таковы, что Rя7.я0rя77я0nя42я0nя41я0. В этом случае вс излу- чение попадает на границу раздела под углом, совпадающим с нор- малью, и полностью выходит наружу.
Эффективность полусферической конструкции - самая высокая. Она примерно в десять раз превышает эффективность плоской конструкции. Однако она намного дороже и сложнее в изготовлении. Плоский кристалл светодиода может быть покрыт каплей эпок- сидной смолы, выполняющей роль линзы рис. 1,в. Смола имеет ко- эффициент преломления промежуточный между воздухом и кристаллом. Это позволяет несколько увеличить светящуюся поверхность диода.В последнем случае смола подкрашивается под цвет излучения све- тодиода.
Большинство сигнальных и отображающих светодиодов вы- полняется такой конструкции. Принципиальное устройство светодиода показано на рис. 3. Светодиоды могут изготавливаться и бескорпусными. Тогда их раз- меры определяются размерами кристалла 0,4я7я00,4 ммя52я0 12 - 2.2. Свойства светодиодов. Вольт-амперная характеристика светодиода аналогична вольт-амперной характеристике кремниевого диода она имеет круто возрастающую прямую ветвь.На этом участке динамическое сопро- тивление мало и не превышает нескольких ом. Обратные напряжения невелики 3,5 7,5 В. Светодиод не рассчитан на значительные обратные напряжения и легко может быть пробит, если не принять соответствующих мер защиты.
Если светодиод должен работать от сети переменного тока, то последовательно с ним включается крем- ниевый диод, который работает как выпрямляющий вентиль.В стати- ческом режиме номинальный ток в зависимости от типа светодиода лежит в пределах от 5 10 мА до 100 мА. Яркость высвечивания светодиода или мощность излучения практически линейно зависит от тока через диод в широком диапа- зоне изменения токов.
Исключение составляют красные GaP - свето- диоды, у которых с ростом тока наступает насыщение яркости рис. 4. Это необходимо иметь в виду, когда светодиод использу- ется в импульсном режиме для получения больших выходных яркостей.При постоянном токе через светодиод его яркость с ростом температуры уменьшается. Для красных GaP - светодиодов повышение температуры по сравнению с комнатной на 20я5oя0 уменьшает их яркость примерно на 10, а зелных - на 6. С ростом температуры сокра- щается срок службы светодиодов.
Так, если при 25я5oя0C срок службы хороших светодиодов достигает 10 ч, то при 100я5oя0C он сокраща- ется до 1000 ч. Также сокращается срок службы светодиода с уве- личением его тока. Поэтому завышать ток по сравнению с его мак- симально допустимым паспортным значением не рекомендуется 13 - Спектральный состав излучения светодиодов определяется ма- териалом, из которого они изготовлены, и легирующими примесями.
Сравнительные спектральные характеристики для основных материа- лов приведены на рис. 5, а в табл. 2 даны основные параметры не- которых промышленных типов светодиодов. яш1 Таблица 2. Параметры некоторых типов светодиодов.ЙНСНСНСНСН Входные Выходные параметры параметры Тип Материал Цвет ГДВДЕДВД я7lя0, нм P, мВт Lя4vя0, I, мА U, В Д кдмя52я0 Iя4vя0, мкд ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД красный АЛ102А GaP Д 5 3,2 ДДДД 5 700 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД зелный АЛ102Д GaP Д 20 2,8 ДДДД 40 556 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД жлтый FLV450 GaP Д 20 2 ДДДД 570 3,2 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД зелный FLV350 GaP Д 20 2 ДДДД 560 3,2 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД красный FLV250 GaP Д 10 2 ДДДД 700 3 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД красный FK510 GaAsP Д 20 1,6 ДДДД 660 2 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД красный TIL210 GaAsP Д 50 1,8 2400 670 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД красный АЛ307А GaAlAs Д 1 2 ДДДД 700 0,15 УДБДБДБДБДБДБД 14 - ЦДВДВДВДВДВДВД красный АЛ307Б GaAlAs Д 1 2 ДДДД 700 0,6 ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД 6 АЛ107А GaAs 920 100 2 ДДДД ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД 1 ЗЛ103А GaAs 900 50 1,6 ДДДД ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД 2 TIXL05 GaAs 900 750 1,8 ДДДД ЗДЕДЕДЕДЕДЕДЕД 0,05 TIL01 GaAs 900 50 1,3 ДДДД ИНПНПНПНПНПНПН яш0 3. ДВУХЦВЕТНЫЕ СВЕТОДИОДЫ. В рассмотренных до сих пор светодиодах для получения раз- личного цвета излучения необходимо было использовать различные полупроводниковые материалы.
Однако можно создать монолитные структуры на основе светодиодов, которые в зависимости от их включения или соотношения токов в них будут излучать в различных спектральных областях рис. 6. Проще всего такие структуры реа- лизуются на фосфиде галия, который в зависимости от введнных в него примесей излучает зелный, жлтый, и красный цвет. Для это- го на кристалле фосфида галия создают два pn-перехода, один из которых излучает красный, а другой зелный свет. При смешивании обоих обоих цветов получается жлтый цвет. Используя три вывода от структуры, можно отдельно управлять обеими полупроводниковыми системами.
Когда оба основных цвета красный и зелный излучаются одновременно, человеческий глаз - 15 - воспринимает результирующее излучение как жлтый цвет. Точно так же путм изменения величины тока, текущего через элементы свето- диода, удатся изменять цвет излучения от жлто-зелного до красно-жлтого оттенка.
Одноцветные свечения - красное или зел- ное - находятся на краях цветовой шкалы.
Когда требуется полу- чить излучение определнного цветового восприятия, лежащее в данной цветовой области, необходимо перед кристаллом GaP распо- ложить соответствующие фильтры, слабо поглощающие красные и зе- лные лучи. Двухцветные светодиоды используются в качестве четырхпози- ционных красный - жлтый - зелный - выключенное состояние сигнализаторов.
Они находят применение в многоцветных буквенных и цифровых индикаторах, а также в цветоаналоговых сигнализато- рах. Например, в легковых автомобилях, используя соответствующую электронику, с их помощью можно контролировть степень зарядки батареи аккумуляторов.При измерении скорости их можно использо- вать в качестве оптических индикаторов скорости. 4. ИНДИКАТОРЫ НА СВЕТОДИОДАХ. Для миниатюрных устройств отображения информации широко ис- пользуются светодиоды на основе арсенида-фосфида галия GaAsP, галия-алюминия-арсенида GaAlAs, а также фосфида галия GaP. Все они высвечивают в видимой области спектра, характиризуются большой яркостью, большим быстродействием и большим сроком службы.
Для изготовления светодиодов, цифровых и цифро-буквенных дисплеев из таких материалов используются технологические мето 16 - ды, широко применяемые в производстве интегральных схем. В зави- симости от размеров дисплеи на светодиодах изготовляются как по монолитной,так и по гибридной технологии.
В первом случае это интегральный блок светодиодов, выполненный на одном полупровод- никовом кристалле. Так как размеры кристалла ограничены, то мо- нолитные индикаторы - индикаторы малых размеров.Во втором слу- чае излучающая часть индикатора представляет собой сборку диск- ретных светодиодов на миниатюрной печатной плате.
Гибридный ва- риант является основным для для средних и больших светодиодных индикаторов. Для светодиодных индикаторов разработаны и стандартизованы схемы управления и согласования на серийных интегральных схемах, что упрощает их схемотехнику и расширяет области применения. Размеры рабочего кристалла светодиода малы 400я7я0400 мкм. Излучающий кристалл - это светящаяся точка.Для того же, чтобы хорошо различать символы и цифры, их размеры не должны быть ме- нее 3 мм. Для увеличения масштаба светоизлучающего кристалла в дисплее применяют линзы, рефлекторы, фоконы.
Размеры знаков - от 3 до 1,5 мм и от 25 до 50 мм, что позволяет визуально контроли- ровать изображение на расстоянии до 3 и 10 м соответственно. Индикаторы на светодиодах изготовляются двух типов сег- ментные цифровые и матричные универсальные.Семисегментный индикатор позволяет воспроизводить все десять цифр и точку и некоторые буквы. Матричный индикатор содержит 7я7я05 светодиодов светящихся точек и позволяет воспроизводить все цифры, буквы и знаки стандартного кода для обмена информацией.
Оба типа индикаторов могут выполняться как одноразрядными 17 - так и многоразрядными, что позволяет создавать на их основе сис- темы отображения различной сложности 18 - Литература. 1. Нососв Ю.Р. Оптоэлектроника. Физические основы, приборы и устройства. М. 1978. 2. Мадьяри Б. Элементы оптоэлектроники и фотоэлектрической авто- матики.М. 1979. Оглавление. 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1 1.1. Предмет оптоэлектроники. 1 1.2. Генерация света. 3 1.3. Источники излучения. 5 2. СВЕТОДИОДЫ. 8 2.1. Конструкция светодиодов. 11 2.2. Свойства светодиодов. 12 3. ДВУХЦВЕТНЫЕ СВЕТОДИОДЫ. 14 4. ИНДИКАТОРЫ НА СВЕТОДИОДАХ. 15.