Описание специальных регистров PIC 16F84

 

Адрес Имя Бит 7 Бит 6 Бит 5 Бит 4 Бит 3 Бит 2 Бит 1 Бит 0
Банк 0
00h INDF Используется значение FSR для доступа к памяти данных (не физический регистр)
01h TMRO 8-разрядный таймер/счетчик
02h PCL Младшие 8 разрядов счетчика команд РС
03h STATUS2 IRP RP1 RP0 TO PD Z DC C
04h FSR Регистр косвенной адресации (Указатель адреса)
05h PORTA _ _ _ RA4/ TOCKI RA3 RA2 RA1 RA0
06h PORTB RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0/ INT
07h    
08h EEDATA Регистр данных ППЗУ данных-констант
09h EEADR Регистр адреса ППЗУ данных-констант
0Ah PCLATH Старшие разряды счетчика РС1
0Bh INTCON GIE EEIE TOIE INTE RBIE TOIF INTF RBIF
Банк 1
80h INDF Используется значение FSR для доступа к памяти данных (не физический регистр)
81h OPTION RBPU INTEG TOCS TOSE PSA PS2 PS1 PS0
82h PCL Младшие 8 разрядов счетчика команд РС
83h STATUS2 IRP RP1 RP0 TO PD Z DC C
84h FSR Регистр косвенной адресации (Указатель адреса)
85h TRISA Биты управления портом А
86h TRISB Биты управления портом В
87h    
88h EECON1 EEIF WRERR WREN WR RD
89h EECON2 Регистр управления 2 ППЗУ данных-констант (не физический регистр)
0Ah PCLATH Старшие разряды счетчика РС1
0Bh INTCON GIE EEIE TOIE INTE RBIE TOIF INTF RBIF
                           

 

Примечания:

3. Старшие разряды программного счетчика РС <12:8> прямо недоступны. Они могут быть записаны или прочитаны только через регистр PCLATH.

4. Низкий уровень сигнала на входе MCLR не изменяет состояния битов PD и TO. Биты сохраняют свое значение, пока не поступит какое-либо иное условие сброса.

 

Кристалл PIC16C84 имеет память данных-констант 64х8 EEPROM бит, которая позволяет запись и чтение во время нормальной работы (во всем диапазоне питающих напряжений). Эта память не принадлежит области регистров ОЗУ. Доступ к ней осуществляется через два регистра: EEDATA <08h>, который содержит в себе восьмибитовые данные для чтения/записи и EEADR <09h>, который содержит в себе адрес ячейки к которой идет обращение. Дополнительно имеется два управляющих регистра: EECON1 <88h> и EECON2<89h>.

При считывании данных из памяти EEPROMнеобходимо записать требуемый адрес в EEADR регистр и затем установить бит RD EECON1<0> в единицу. Данные появятся в следующем командном цикле в регистре EEDATA и могут быть прочитаны. Данные в регистре EEDATA защелкиваются. Пример фрагмента программы считывания данных из памяти данных-констант EEPROM приведена ниже:

 

; Считывание из памяти данных-констант.

Bcf STATUS , RP0 ; Установка банка 0.

Movlw CONFIG_ADDR ;

Movwf EEADR ; Адрес чтения.

Bsf STATUS , RP0 ; Установка банка 1.

Bsf EECON1 , RD ; Чтение EEPROM.

Bcf STATUS , RP0 ; Установка банка 0.

Movf EEDATA , W ; Считанные данные W.

 

При записи в память EEPROM, необходимо сначала записать требуемый адрес в EEADR регистр и данные в EEDATA регистр. Затем выполнить специальную обязательную последовательность команд, производящую непосредственную запись:

Movlw 55h ;

Movwf EECON2 ; Запись 55 h.

Movlw AAh ;

Movwf EECON2 ; Запись AA h.

Bsf EECON1 , WR ; Установка бита WR,

; начало цикла записи.

Во время выполнения этого участка программы, все прерывания должны быть запрещены для точного выполнения временной диаграммы. Время записи - примерно 10мс. Фактическое время записи будет изменяться в зависимости от напряжения, температуры и индивидуальных свойств кристалла. В конце записи бит WR автоматически обнуляется, а флаг завершения записи EEIF, он же запрос на прерывание, устанавливается. Пример фрагмента программы записи в память данных-констант EEPROM приведена ниже:

 

; Запись в память данных-констант.

Bsf Status , RP0 ; Установка банка 1.

Bcf Intcon , GIE ; Запрет прерываний.

; Обязательая последовательность команд.

Movlw 55h ;

Movwf EECON2 ; Запись 55 h.

Movlw Aah ;

Movwf EECON2 ; Запись AA h.

Bsf EECON1, WR ; Установка бита WR,

; начало цикла записи.

;Bsf Intcon , GIE ; Разрешение прерываний.

 

Для предотвращения случайных записей в память данных предусмотрен специальный бит WREN в регистре EECON1. Рекомендуется держать бит WREN выключенным, кроме тех случаев, когда нужно обновить память данных. Более того, кодовые сегменты, которые устанавливают бит WREN и те, которые выполняют запись должны храниться на различных адресах, чтобы избежать случайного выполнения их обоих при сбое программы.

 

  —   —   —   EEIF WRERR   WREN   WR   RD

7 6 1 0

 

Управляющие биты RD и WR запускают соответственно чтение и запись. Они могут быть установлены только программно. Сбрасываются- аппаратно по завершения операций чтения/записи. Запрет программного сброса бита WR предотвращает преждевременное окончание записи.


┌────┐
│ RD │ - Бит чтения.
└────┘

RD =1: Запускает чтение памяти данных EEPROM. Чтение занимает один цикл. Устанавливается программно. Обнуляется аппаратно.

┌────┐
│ WR │ - Бит записи.
└────┘

WR =1: Запускает запись в память данных EEPROM. Устанавливается программно. Обнуляется аппаратно.


┌─────┐
│WREN │ - Бит разрешения записи в память данных EEPROM.
└─────┘

WREN = 1: Разрешена запись.

WREN = 0: Запрещена запись. После включения питания WREN обнуляется.

Флаг ошибки WRERR устанавливается, когда процесс записи прерывается сигналом сброса /MCLR или сигналом сброса от WDT таймера. Рекомендуем проверять этот флаг WRERR и при необходимости производить перезапись данных, данные и адрес которых сохраняются в регистрах EEDATA и EEADR.


┌─────┐
│WRERR│ - Флаг ошибки записи.
└─────┘

WRERR = 1: Флаг устанавливается, когда операция записи преждевременно прерывается сигналом сброса /MCLR (во время обычного режима или режима SLEEP) или сигналом сброса WDT во время обычного режима.

Флаг EEIF устанавливается, когда встроенный автомат завершает запись в память данных. Он должен быть сброшен программно.

┌─────┐
│EEIF │ - Флаг завершения прерывания
└─────┘

EEIF=1: флаг устанавливается, когда завершена запись.

Соответствующий бит разрешения прерывания по окончанию записи в EEPROM - EEIF находится в регистре INTCON.

Управляющий регистр EECON2(Адрес: 89h). Значение после включения – отсутствует, читается как "0") физически отсутствует. При чтении EECON2 считывается "0". Регистр EECON2 предназначен исключительно для использования в последовательности команд, осуществляющей запись в память EEPROM/