Резисторный каскад на составном транзисторе

Схема усилительного каскада, выполненного на СТ по схеме Дарлингтона [1] приведена на рисунке 3.28. Заменяя СТ эквивалентным одиночным транзистором, включённым по схеме ОЭ, получаем обычный резисторный каскад (рис. 3.1). Поэтому, аналитические выражения, полученные в разделе 3.2 можно распространить и на данную схему, предварительно заменив у-параметры одиночного транзистора в схеме ОЭ на у-параметры СТ.

При наличии резистора R эмиттерный ток транзистора VT1 не ограничивается током базы VT2 (I_Э1 = I_R + I_Б2), что димости g₂₁ первого транзистоего коэффициента усиления.

Если требуется усилительный каскад с большим входным сопротивлением, то в качестве первого УЭ используется ПТ (рис. 3.29). Так как затвор ПТ соединяется с резисторным делителем R₃₁R₃₂ с помощью резистора R₃ сопротивлением около 10МОм, то вход ПТ не шунтируется сравнительно небольшими сопротивлениями R₃₁ и R₃₂.