Фоторезистор

Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. Дадим схематическое изображение структуры фоторезистора (рис. 1 124,а) и его условное графическое обозначение (рис. 1.124,6).

Поток фотонов, падающих на полупроводник, вызывает появление пар электрон-дырка, увеличивающих проводимость (уменьшающих сопротивление). Это явление называют внутренним фотоэффектом (эффектом фотопроводимости).

Фоторезисторы часто характеризуются зависимостью тока i от освещенности Е при заданном напряжении на резисторе. Это так называемая люкс-амперная характеристика.

Изобразим такую характеристику для фоторезистора типа ФСК-17, который работает в видимой части спектра (рис. 1.125).

Часто используют следующие параметры фоторезисторов:

• номинальное темновое (при отсутствии светового
потока) сопротивление (для ФСК-Г7 это сопротивление равно 5 МОм);

• интегральную чувствительность (чувствительность
называют интегральной, так как ее определяют при
освещении фоторезистора светом сложного спектрального состава).

Интегральная чувствительность (токовая чувствительность к световому потоку) S определяется выражением

где 1_ф — так называемый фототок (это разность между током при освещении и током при отсутствии освещения);

Ф — световой поток. Для фоторезистора ФСК-Г7 tf- 0,7 А/лм.