P-n-переход

Во многих областях современной электроники большую роль играет контакт двух полупроводников с n- и p- типами проводимости. Такой контакт называется p-n-переходом. Он обладает односторонней проводимостью. Существует теория контактных явлений. Из-за недостатка времени ограничимся качественными объяснениями.

 

При контакте разных полупроводников происходит диффузия носителей тока - электронов или дырок - из области, где их больше, в область, где их меньше. В связи с этим возникает поляризация образца в области контакта и, соответственно, возникает контактное электрическое поле с напряжённостью Е_к , направленное от электронного к дырочному полупроводнику (см. рис. 6а). Вследствие этого переходная область будет сильно обеднена: правая граница - электронами проводимости, а левая - дырками. Поэтому электрическое сопротивление переходного слоя возрастает. При наложении внешнего поля , направленного от электронного полупроводника к дырочному

(+ -) результирующая напряженностьбудет усиливаться, что приведет к дальнейшему обеднению переходного слоя носителями тока (электронами и дырками) и сопротивление его еще больше возрастает. Практически ток через контакт не пойдет (см. рис. 6б, левый участок зависимости I от U ). Если внешнее поле направлено против , то достаточно небольшого поля , чтобы оно скомпенсировало поле . Тогда электроны проводимости и дырки будут беспрепятственно проникать в переходный слой и сопротивление его практически исчезнет. Ток через контакт будет проходить (см. рис. 6б , правый участок зависимости I от U ). Зависимость силы тока I от напряжения U называется вольтамперной характеристикой р-n перехода (см. рис. 6б). Неодинаковость сопротивления р-n перехода в прямом и обратном направлениях позволяет использовать р-n переходы для выпрямления переменного тока в выпрямителях, детекторах и т.д. Полупроводниковое устройство, содержащее р-n переход называется полупроводниковым или кристаллическим диодом. Полупроводниковые триоды (транзисторы) используют р-n-р или n-р-n переходы.

9.8. Понятие о сверхпроводимости Явление сверхпроводимости заключается в скачкообразном исчезновении сопротивления при очень низких температурах (см. рис. 7, где представлена зависимость удельного сопротивления r от Т для талия, ртути и свинца). Температура, при которой происходит этот процесс, называется критической температурой Т_к. В этом случае слабое магнитное поле не проникает в сверхпроводник, т. е. для него m = 0 . Сильное магнитное поле разрушает сверхпроводящее состояние. Теорию сверхпроводимости создали Бардин, Купер и

Шриффер (БКШ). Согласно этой теории электрон немного притягивает к себе соседние положительные ионы решётки, слегка деформируя её. Электрон и деформированная решётка создают положительно заряженную систему, к которой притягивается второй электрон. Наиболее энергетически выгодным будет такое состояние, когда два электрона вращаются по окружности вокруг деформированной положительно заряженной области решётки. Такие пары электронов

называются куперовскими парами. Эта пара движется в поле как единая частица - бозон. В настоящее время реализована сверхпроводимость при относительно высоких температурах.