Микроскоп металлографический

Цель работы: ознакомление с металлографическим методом исследования полупроводников и определение плотности дислокаций.

Принадлежности к работе:

- микроскоп металлографический;

- образцы полупроводниковых пластин.

Краткие теоретические сведения

Совершенство структуры реальных кристаллов нарушается присутствием различных дефектов: - нуль-мерных или точечных дефектов (вакансии, атомы в междоузлиях, сочетание… - одномерных или линейных дефектов (дислокации);

Определение плотности дислокаций в кристалле

Устройство микроскопа.

8 – линза; 9 – окуляр; 10 – диафрагма темного поля; 11 – кольцевое зеркало; 12 – параболический коллектор; 13 призма о    

ИЗУЧЕНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ

Выполнил: Проверила:

Учащийся гр.21192 Щербакова Татьяна Олеговна

Тимощенко Максим Николаевич

 

Минск 2013