1 – источник света; 2 – коллектор; 3 –осветительная линза; 4 – ирисовая диафрагма; 5 – полупрозрачная пластинка; 6 – объектив; 7 – объект;
8 – линза; 9 – окуляр; 10 – диафрагма темного поля; 11 – кольцевое зеркало; 12 – параболический коллектор; 13 призма о
Рис. 1.3. Оптическая система микроскопа
1 – основание микроскопа; 2 – предметный плавающий столик; 3 – винт для закрепления столика; 4 – колонка; 5 – корпус микроскопа; 6 –маховичок микроподачи; 7 – маховичок грубой фокусировки; 8 – тубус;
9 – окулярная насадка; 10 – патрон с лампочкой; 11 – винт для закрепления патрона; 12 – центрировочный винт патрона; 13 – рамка; 14 – ручка для выключения полупрозрачной пластинки; 15 – винт хомутика; 16 – стопорный винт; 17 –хомутик
Рис. 1.4. Внешний вид оптического микроскопа
Т а б л и ц а 1.1
| Образец | n1, шт. | n2, шт. | n3, шт. | nср, шт. | S, см(2) | Nd, м(–2) | Справочные данные Nd, см–2 |
| 5,43*10(-4) | 3,49*10(-4) | (3/5)*10(8) | |||||
Nd = (19*10(0))/(5.43*10(-4)) = 3.499*10(-4).
Вывод: в ходе лабораторной работы №2 я ознакомился с металлографическим методом исследования полупроводников и определение плотности дислокаций.
Минский Государственный Высший Радиотехнический Колледж
Кафедра общетехнических дисциплин
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1