Передаточные характеристики ДУ

Найдем зависимость выходных токов ДУ от диффе­ренциального входного напряжения. Будем полагать, что на транзистор Т_З входное напряжение не подается. При этом токопитающий каскад является генератором постоянного тока I₀ с внутренним сопротивлением R_э, представляющим собой выходное сопротивление транзистора Т_З со стороны коллектора относительно общей точки. Величина R_э на низких частотах составляет сотни килоом, что намного превышает все остальные сопротивления, входящие в схему. Поэтому для упрощения анализа положим R_э стремящимся к бесконечности.

Как видно из рис. 3, сумма эмиттерных токов тран­зисторов Т₁ и Т₂ равна току I₀:

.

(1)

Согласно рис.2.3 дифференциальное входное напряжение ДУ равно

.

(2)

 

В [11] показано, что коллекторные токи и равны:

,	(3)
,	(4)

где α – коэффициент передачи эмиттерного тока в цепь коллектора;

– температурный потенциал.

Выражения (3) и (4) определяют передаточные характеристики ДУ, графики которых приведены на рис. 4 в относительных координатах .

Наклон передаточных характеристик определяет кру­тизну ДУ: ,	(5)
.	(6)

Равенство справедливо в силу условия , откуда следует, что . Анализируя выражение (2.6), находим, что максимальное значение крутизны

(7)

имеет место при .

 

Рис. 4. Передаточные характеристики ДУ

На рис. 5 приведен график зависимости относительной крутизны от относительной величины дифференциального входного напряжения, построенный согласно (7).

Рис. 5. Зависимость относительной крутизны передаточной
характеристики ДУ от относительной величины дифференциального входного

напряжения

 

В симметричном ДУ с идеальным ГСТ при отсутствии входного дифференциального сигнала () напряжение между его выходами , что способствует режиму баланса. Этим самым подчеркивается нечувствительность балансных схем к дестабилизирующим факторам. В этом режиме ток I₀ делится поровну между усилительными элементами и, если пренебречь токами базы, то можно считать, что коллекторные токи тоже одинаковые

.

(8)

Эти токи, протекая по резисторам , создают синфазный уровень напряжения баланса , который можно рассчитать по формуле

.

(9)

Если на входе ДУ появится дифференциальный сигнал , то коллекторные токи БТ Т₁ и Т₂ начнут перераспределяться: ток будет увеличиваться, а ток - уменьшаться с сохранением равенства

,

(10)

 

которое гарантируется идеальным ГСТ.

Напряжение инвертируется по фазе, а напряжение не инвертируется по фазе относительно входного сигнала. В связи с этим первый вход ДУ называют инвертирующим, второй – неинвертирующим.

Выходной дифференциальный сигнал ДУ равен

 

.

(11)

 

Способность обнаружения малых дифференциальных сигналов на фоне больших синфазных ЭДС является одной из важнейших характеристик качества исполнения ДУ.

Анализ передаточных характеристик позволяет сделать следующие выводы о свойствах ДУ.

1. При транзисторы Т₁ и Т₂ (рис. 2) сбалансированы по току, т.е. через каждый транзистор протекает половина тока I₀. Если сопротивления коллекторных нагрузок одинаковы , то потенциалы коллекторов равны и симметричное выходное напряжение постоянного тока равно нулю. Это условие определяет обычно начальную рабочую точку схемы в усилительном режиме. В окрестности этой точки передаточные характеристики практически линейны, причем протяженность линейного участка не зависит от величины тока I₀.

2. Крутизна передаточных характеристик зависит от величины питающего тока I₀. Максимальная крутизна при любом значении I₀ соответствует напряжению . Регулируя ток I₀ , можно управлять усилением ДУ.

3. Приращения одноименных токов транзисторов дифференциального каскада равны по абсолютной величине и противоположны по знаку в любой точке передаточных характеристик. Переменные напряжения на коллекторных нагрузках дифференциального каскада противофазны. Крутизна ДУ при симметричном выходе в два раза больше, чем при несимметричном.

4. Выходные токи ДУ зависят от входного напряжения и крутизны, определяемой величиной питаю­щего тока I₀, которым легко управлять. Отсюда следует, что ДУ может использоваться как множительное устрой­ство и, следовательно, применяться для смешивания и умножения частоты, модуляции и детектирования.

5. Собственные выходные сопротивления коллектор­ных цепей транзисторов Т₁ и Т₂ в зависимости от спо­соба подключения источника входного сигнала соответ­ствуют выходным сопротивлениям схем с ОЭ или ОБ, т. е. являются сравнительно большими, достигая сотен килоом на низких частотах. Поэтому транзисторы Т₁ и Т₂ могут использоваться в качестве генераторов тока. Токи этих генераторов, в свою очередь, определяются током I₀ и его распределением между транзисторами Т₁ и Т₂, зависящим от разностного входного напряжения.

6. Параметры передаточных характеристик зависят также от коэффициента передачи тока α транзисторов, температуры окружающей среды и не зависят от напря­жения источника питания Е_п (рис. 3).