На рис. 3.3, а показаны входные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером – зависимость тока базы IБ от напряжения UБЭ. Выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером показаны на рис. 3.3, б.
При UКЭ < UБЭ (обычно эта ВАХ приводится при UКЭ = 0) транзистор переходит в режим насыщения, когда в прямом направлении смещены оба перехода. При UКЭ > UБЭ коллекторный переход смещен в обратном направлении и напряжение на нем практически не влияет на прямой ток перехода база-эмиттер.
Управляющим током в схеме с общим эмиттером является ток базы.
Ток коллектора через ток базы: где b – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Хар-ка при IБ = 0 выходит из начала координат и имеет вид обратной ветви ВАХ диода. Этот режим работы транзистора равнозначен его работе с оборванной базой. При этом в транзисторе от коллектора к эмиттеру протекает ток IКЭ0, называемый сквозным. Этот ток больше, чем IК0: IКЭ0 = IК0+ βIК0 = (β +1)IК0. Если IБ > 0, выходные характеристики расположены выше, чем при IБ = 0, и тем выше, чем больше ток IБ.