Стабилизация РТ с помощью ООС. Параметрическая стабилизация.
Стабилизация РТ с помощью ООС. Параметрическая стабилизация. - раздел Экономика, Основные параметры аналоговых устройств
Введение Резистора RЭ При О...
Введение резистора RЭ при отсутствии конденсатора СЭ изменяет работу усилительного каскада не только в режиме покоя, но и при наличии входного сигнала. Переменная составляющая эмиттерного тока создает на резисторе RЭ падение напряжения UЭ=RЭiЭ, которое уменьшает усиливаемое напряжение, подводимое к транзистору В каскаде действует последовательная отрицательная обратная связь по току. Входное сопротивление со стороны базы транзистора с величины возрастает до значения , т.к. последовательно с сопротивлением эмиттерного перехода включено внешнее сопротивление RЭ.
Для устранения отрицательной обратной связи по переменному току резистор RЭ зашунтирован блокировочным конденсатором СЭ
Метод параметрической стабилизации базируется на использовании в транзисторных каскадах специальных элементов, характеристики которых зависят от внешних возмущающих воздействий, причем изменения параметров этих элементов должны компенсировать изменения параметров транзисторного каскада.
Основные параметры аналоговых устройств.
Ко входу усилителя подключается источник сигнала к выходу – нагрузка .
Работу усилителей принято оценивать рядом показателей и характеристик.
Коэффициент п
Режимы работы активных элементов.
Режимом А работы усилительного элемента называют такой режим, при котором ток в выходной цепи существует в течение всего периода усиливаемого сигнала. В режиме В ток в выходной цепи усилительного э
Однотактные выходные каскады.
С точки зрения схемного построения однотактные схемы ни чем не отличаются от рассмотренных ранее схемных построений. В них может быть применено как непосредственное включени
Двухтактные выходные каскады.
К достоинствам усилителей этого типа также относится то, что в них возможно применение экономичных режимов работы УП, например, режимов В и АВ. СПХ усилителей этого типа име
Методы изготовления (виды технологий) ИС.
Существует несколько видов технологий изготовления ИС.
Полупроводниковая технология характеризуется тем, что как активные, так и
пассивные элементы схем выполняют внутри объема кр
Новости и инфо для студентов