Выбор метода изготовления ПП:
Правильный выбор материалов, технологических процессов и элементной базы при разработке современных печатных узлов во многом определяет уровень работоспособности и надежность электронного устройства в целом при рациональных экономических затратах в производстве. При этом рассматриваются следующие аспекты:
Назначение электронной системы: технические условия на изделия, ожидаемый рабочий ресурс, элементная база с характеристиками по быстродействию, выходному сопротивлению, уровню рабочих сигналов, напряжению питания и т. д.
Эксплуатационные требования по ремонтопригодности: возможности профилактики и ремонта, наличие запасных печатных узлов и блоков.
Окружающие условия при хранении и работе. Технология изготовления: совместимость с действующим производством, степень и характер механизации и автоматизации при заданном объеме производства.
Базовые и вспомогательные материалы: объем возможных поставок, стоимость, необходимость отбора по специальным требованиям.
Основным отличием, характеризующим возможности того или другого метода, можно считать реализуемую им плотность межсоединений. При этом необходимо иметь в виду практически возможное число монтажных точек на единицу площади поверхности платы. Например, для двусторонних печатных плат возможная плотность монтажа, рассчитанная теоретически, составляет 15 выводов/1 см2 при разрешающей способности по ширине проводников и зазоров, равной 0,5 мм. Однако реальные предельные значения этой плотности, как правило, не превышают 2,8 выводов/см2. Практическое ограничение плотности монтажа обусловлено в большей степени размерами элементов и специальными требованиями к электрическим параметрам печатных связей.
Все методы изготовления печатных плат можно расположить в следующий ряд возрастания плотности печатного монтажа:
односторонние печатные платы;
двусторонние печатные платы (ДПП) комбинированным позитивным методом;
ДПП полуаддитивным методом;
ДПП полуаддитивным методом с дифференциальным травлением;
МПП методом попарного прессования;
МПП методом открытых контактных площадок;
МПП методом металлизации сквозных отверстий;
МПП методом послойного наращивания;
МПП комбинацией методов металлизации сквозных отверстий и послойного наращивания.
Рассмотрение методов изготовления печатных плат с учетом современной практики печатного монтажа позволяет отдать предпочтение в производстве односторонних печатных плат — химическому методу, двусторонних — комбинированному позитивному, многослойных — методу металлизации сквозных отверстий. Названные методы признаны базовыми в отечественной и зарубежной практике производства печатных схем.
Метод пайки:
Важнейшими критериями выбора метода пайки компонентов на ПП
являются:
вид контактируемых материалов;
конструктивные параметры ПП (шаг координатной сетки, размеры и
форма контактных площадок, зазоры между ними, толщина материала
площадки и др.);
элементная база и способ установки на ПП (материал корпуса, форма и размеры выводов, монтаж в отверстия, планарно или безвыводной
монтаж);
условия эксплуатации аппаратуры;
термическая устойчивость ПП и компонентов;
механическая устойчивость ПП и компонентов;
экономические факторы;
постоянство характеристик метода с позиции надежности контактирования. Выбор метода пайки зависит от программы выпуска изделий, особенностей конструкции, требований к качеству.
34.Расшифруйте обозначения полупроводниковых приборов: КД409А-9, КС156А и т.д.
35. Каков принцип заложен для отечественных транзисторов при обозначении их частотного диапазона и мощности?
Маркировка наносится на корпус прибора, либо указывается в этикетке и содержит определенную информацию о свойствах транзисторов. Первая цифра (1, 2, 3) или буква, (Г, К, А) маркировки указывает об использовании приборов в аппаратуре специального или широкого применения, а также о полупроводниковом материале кристалла (германий, кремний или арсенид-галлия). Второй элемент маркировки (буквы Т или П) определяет принадлежность транзистора к биполярным или полевым приборам. Третий элемент маркировки указывает на частотные или мощностные свойства транзисторов — чем значение цифры выше, начиная с 1 до 9, тем больше мощность и выше частотный диапазон. Так, маломощные транзисторы с рассеиваемой мощностью до 0,3 Вт обозначены цифрами третьего элемента 1, 2 и 3, соответственно, низкой (до 3 МГц), средней (до 30 МГц), высокой и сверхвысокой (свыше 30 МГц) граничной частоты. Аналогично подразделены по граничной частоте транзисторы средней рассеиваемой мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт), третий элемент маркировки которых соответственно обозначен цифрами 4, 5 и 6. И, наконец, третий элемент маркировки транзисторов большой мощности (более 1,5 Вт) обозначен цифрами 7, 8 и 9 в зависимости от граничной частоты.
36. Какие виды функциональных элементов здесь обозначены: ЛА, УД, ТМ, СА, ГГ, ЛР?
ЛА - логический элемент
УД - операционный усилитель
ТМ - силовой трансформатор (?)
СА - кнопка/выключатель
ГГ - громкоговоритель (динамик)
ЛР - логический элемент "2ИЛИ-НЕ"
Содержание
1.Основные понятия из области конструирования (конструкция РЭС, процесс конструирования, конструкторская документация) 1
2.Конструкционные системы и конструкторская иерархия. 1
3.Основные понятия из области технологии (структура производственного и технологического процессов, масштабность производства) 3
4.Понятие масштабности производства и ее влияние на конструкцию РЭС. 4
5.Последовательность разработки технологических процессов. Исходные данные для проектирования технологических процессов. 5
6.Технологичность изделия, показатели технологичности. 6
7.Принципы классификации РЭС. Классификация РЭС по схемотехническому назначению и функциональной сложности. 7
8.Категории РЭС по объекту установки. Примеры ограничений, накладываемых на проектирование РЭС объектом установки. 8
9.Виды механических воздействий, характеризующих объект установки и их влияние на функционирование РЭС.. 9
10.Особенности конструкций стационарных РЭС.. 10
11.Особенности конструкций носимых, переносных и бытовых РЭС.. 11
12.Особенности конструкций возимых РЭС. 14
13.Особенности конструкций морских и буйковых РЭС. 14
14.Особенности конструкций самолетных и вертолетных РЭС. 15
15.Особенности конструкций ракетных и космических РЭС. 16
16.Классификация РЭС по климатическому исполнению. Влияние климатических факторов на функционирование РЭС.. 17
17.Классификация РЭС по используемой элементной базе. 18
18.Критерии выбора и замены элементной базы.. 19
19.Принципы классификации и обозначения отечественных полупроводниковых приборов (транзисторов, диодов и их разновидностей). УГО основных видов полупроводниковых приборов. 20
20.Система обозначений отечественных микросхем. Примеры (УГО) 22
21.Резисторы и конденсаторы. Система обозначений. Основные параметры, учитываемые при проектировании. Примеры обозначений в конструкторской документации. 23
22.Классификация РЭС по конструктивной базе. Базовые и унифицированные несущие конструкции. 26
23.Система показателей РЭС. Тактико-технические требования. 28
24.Техническое задание на проектирование. 30
25. Технические требования технического задания. 30
26.Абсолютные, удельные и относительные показатели. 31
27.Комплексные показатели качества РЭС. 32
27.Методика сравнения разрабатываемых вариантов конструкции РЭС с использованием комплексного показателя. 33
28.Варианты установки электрорадиоэлементов и разметка посадочного места. 34
29.Классы точности печатных плат. 39
31.Определение размеров печатной платы (КиТРС Практикум. Стр 36-37) 43
32.Выбор элементов внешнего контактирования для печатного узла. 46
33.Выбор метода изготовления печатной платы и метода пайки. 50
34.Расшифруйте обозначения полупроводниковых приборов: КД409А-9, КС156А и т.д. 52
35. Каков принцип заложен для отечественных транзисторов при обозначении их частотного диапазона и мощности?. 55
36. Какие виды функциональных элементов здесь обозначены: ЛА, УД, ТМ, СА, ГГ, ЛР?. 55