рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы - раздел Изобретательство, Электротехника, отрасль науки и техники, связанная с применением электрических и магнитных явлений в практической деятельности человека     Они Используются Для Усиления, Генерирования ...

 

 

Они используются для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

Типы ППП:

 

С p-n переходом (диоды, транзисторы, тиристоры)

Без p-n перехода (p-n резисторы, варисторы, терморезисторы, фоторезисторы и др.)

 

 

Условные обозначения полупроводниковых приборов (ГОСТ 10862-72):

 

908А

 

ППП -- электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках (в твёрдом теле). Основой конструкций многих ППП является p-n-переход.

 
 

 

 


На границе раздела областей с электронной и дырочной проводимостью возникает потенциальный барьер, препятствующий движению основных носителей (электронов из n-области и дырок из р-области), и, как следствие, появляются: запирающий слой, обеднённый подвижными носителями электрических зарядов, и контактная разность потенциалов jк,, обусловленная объёмными зарядами ионов примесных веществ.

 

1. Устройство и принцип действия полупроводникового диода.

Полупроводниковый диод - прибор, обладающий способностью хорошо пропускать через себя электрический ток одного направления и плохо - противоположного направления. Основой конструкции такого диода является р-n переход, проводимость которого зависит от полярности внешнего источника.

Рис.7.3
Если подключить к переходу внешнее напряжение с полярностью "+" к n-области, а "--" к р-области (такое включение диода называется обратным), тогда запирающий слой р-n перехода расширяется, сопротивление р-n перехода велико, ток диода мал. При подключении внешнего источника с противоположной полярностью (прямое включение) сопротивление р-n перехода уменьшается, ток через диод увеличивается. Вольтамперная характеристика диода показывает зависимость тока, протекающего через диод, от приложенного напряжения (Рис. 7-4).

 

 

 


1. Выпрямительный 5. Обращённый

 

2. Стабилитрон 6. Варикап

 
 


3. Двухсторонний стабилитрон 7. Фотодиод

 
 


4. Туннельный диод 8. Светодиод

 

3 Устройство и принцип действия транзисторов, их схемы включения.

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя р-n переходами, в котором ток между р-n переходами обусловлен движением не основных носителей.

Типы транзисторов.

 

 
 

 


Их условные обозначения:

 
 

 

 


Принцип работы транзистора рассмотрим на примере схемы с общей базой. Источники питания Еэ, Ек и сопротивление нагрузки к р-n переходам транзистора подключим как показано на рис. 9-6

       
 
UВХ
 
   
Рис. 7-6

 


Полупроводниковые диоды применяются для выпрямления переменного тока, для детектирования слабых радиосигналов, например, в радиоприёмниках, для выделения и

Если эмиттерный переход П1 напряжением UЭБ смещается в прямом направлении, а коллекторный переход напряжением UКБ - в обратном, то такое включение транзистора называют нормальным.

Источником UЭБ создаются условия для инжектирования дырок из эмиттера в базу и перемещения электронов из базы в эмиттер (Iэр и Iэn) встречный ток электронов Iэn << Iэр т.к. концентрация примесей в области n делается меньше. Часть дырок рекомбинирует в базе с электронами поступающими в базу от Еэ. Поток этих электронов образует базовый ток IБ. Так как толщина базы WБ - единицы микрон, то большая часть дырок диффузионным путём достигает коллекторного р-n перехода и захватывает его полем, рекомбинируя с электронами поступающими от ЕК, при этом в коллекторе протекает ток IК, замыкая общую цепь. Перенос тока из эмитторной цепи в коллекторную характеризуется коэффициентом передачи тока эмиттера.

 

Схемы включения транзисторов.

 

       
 
 
   
Рис. 7-7

 


Характеристики и параметры транзисторов. Рис. 7.7. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора.

 
 

 

 


2. Полевые транзисторы.

Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, основаны на другом методе управления процессами в полупроводниковых приборах - с помощью электрического поля. Обладая усилительными свойствами, полевые транзисторы являются униполярными полупроводниковыми приборами, так как протекания в них тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного знака в продольном электрическом поле через управляемый канал р- или n- типа. Управление тока через канал осуществляется поперечным электрическим полем (а не током, как в биполярных транзисторах), откуда и название "полевые транзисторы". Таким образом, принцип работы полевого транзистора в самых общих чертах основан на том, что изменение напряженности поперечного электрического поля изменяет проводимость канала, по которому протекает ток выходной цепи.

В устройствах промышленной электроники применяют две разновидности полевых транзисторов: с затвором в виде р-n-перехода и с изолированным затвором. Вторая разновидность представляет собой структуры металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы) или металл - окисел - полупроводник (МОП-транзисторы). МДП (МОП)- транзисторы, в свою очередь, делятся на два вида: транзисторы с собственным и с индуцированным каналом.

В зависимости от характера проводимости канала полевые транзисторы подразделяются на транзисторы р-типа и n-типа. Канал полевого транзистора р-типа обладает дырочной проводимостью, а n-типа - электронной.

 
 


Условные графические изображения полевых транзисторов.

с каналом n-типа

 

 

- с каналом р-типа

 

 

- с изолированным затвором обогащённого типа с n-каналом


- с изолированным затвором обеднённого типа с n-канал

 

- с изолированным затвором обогащённого типа с р-каналом

 

 

- с изолированным затвором обогащённого типа с n-каналом

 

Рассмотрим принцип работы полевого транзистора плоской конструкции с каналом n-типа, схема включения которого с общим источником показана на рис. 7-9.

 
 

 

 


Рис. 7-9

Прибор состоит из пластины кремния проводимости n-типа, представляющий собой канал полевого транзистора, к концам которого присоединены два металлических контакта, называемых истоком и стоком. Последовательно к этим электродам подключается напряжение источника питания Ес.и и сопротивление нагрузки R н. Напряжение источника питания прикладывается такой полярности, чтобы поток основных носителей заряда (в канале n-типа - электроны) протекал от истока к стоку. В противоположные грани пластины введены акцепторные примеси, превращающие поверхностные слои в области полупроводника р-типа. Соединённые электрически вместе эти слои образуют единый электрод, называемый затвором. При этом между каналом и затвором образуются два р-n-перехода.

Проводимость канала определяется его сечением. Изменяя напряжение на затворе Uз.и, смещающие переходы в обратном направлении, можно изменять сечение канала за счёт расширения или сужения обеднённых слоёв переходов, а следовательно, величину протекающего через него тока. Концентрация примеси в полупроводниковых слоях р-типа (затворе) намного больше, чем в полупроводнике n-типа (канале), поэтому расширение обеднённых слоёв происходит, в основном за счёт канала.

На рис. 7-10 изображены входная (стокозатворная) и семейство выходных (стоковых) характеристик.

 

 

 
 

 


3. Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Отличительной особенностью полевых транзисторов с изолированным затвором по сравнению с транзисторами с управляющим р-n-переходом является наличие между металлическим затвором и областью полупроводника слоя диэлектрика (МДП-транзисторы). Поскольку в качестве диэлектрика обычно используется двуокись кремния SiO2, то транзисторы структуры металл - окисел - полупроводник называют МОП-транзисторами. Структура изготовляется на полупроводниковой подложке с проводимостью n- или р- типа. Имеются две разновидности МОП-транзисторов: со встроенным и с индуцированным каналом.

           
   
     
б
 
 
 

 


Индуцированный канал Встроенный канал

 

Рис. 7-11

 

Основными параметрами полевых транзисторов являются крутизна характеристики управления S и внутреннее сопротивление rВ, которые определяются по вольтамперным характеристикам.

Из рассмотренного следует, что МОП-транзистор со встроенным каналом по своим свойствам и характеристикам подобен полевому транзистору с управляющим р-n-переходом и отличается только тем, что для его запирания требуется отрицательное смещение в случае канала с проводимостью n-типа и положительное смещение - в случае проводимости р-типа.

У МОП-транзистора с индуцированным каналом (рис. 7-11г) при отсутствии смещения на затворе канал отсутствует и ток стока IC практически равен нулю. При некотором положительном (для транзисторов с n-подложкой - отрицательном) относительно истока напряжения на затворе, называемом пороговым Uпор., в поверхностном слое между истоком и стоком из-за наличия диэлектрика SiO2 происходит явление инверсии. В результате образуется тонкий канал инверсионного слоя, удельная проводимость для основных носителей заряда и толщина которого увеличивается с ростом напряжения на затворе. Если при этом к стоку приложить напряжение той же полярности, что и на затворе, то ток стока IC c увеличением напряжения UЗ.И возрастает. Напряжение Uпор. Можно трактовать как напряжение отсечки UЗ.О полевого транзистора с управляющим р-n-переходом (рис.7-10). По внешнему виду выходные вольтамперные характеристики МОП-транзистора аналогичны одноимённым характеристикам полевого транзистора с управляющим р-n-переходом.

ТЕМА №10 Електроннi пiдсилювачи. Призначення, принципова будова. Рiзнi типи електронних пiсилювачив, схеми та характеристики.

 

ПРОЧИЕ
УСИЛИТЕЛИ
1. Усилителем, в общем случае, называется устройство, осуществляющее плавное управление энергией, при котором управляющая энергия значительно меньше управляемой. Если управляемая и управляющая энергия - электрическая, то такие усилители называются усилителями электрических сигналов.

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ

 


--электронные; --гидравлические;

--электромеханические; --пневмотические;

--электромашинные; --и др.

--магнитные.

 
 

 

 


2. Усилительные элементы. Принцип усиления.

Процесс усиления основан на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Е в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счёт изменения сопротивления управляющего элемента УЭ по закону, задаваемому входным сигналом.

 

 

 


Основными элементами усилительного каскада являются: управляющий элемент, функцию которого может выполнять электронная лампа, транзистор; сопротивление R; источник питания.

 

3. Качественные показатели усилителей.

А. Коэффициент усиления - основной параметр, определяющий отношение напряжения или тока (мощности) на выходе усилителя к напряжению или току (мощности) на его выходе, т. е. Увеличение выходного сигнала по сравнению с входным. В соответствии с назначением усилителя различают коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности:

КU = Uвых /Uвх ; КI = Iвых / Iвх ; КР = Рвых / Рвх.

 

Б. Амплитудно-частотная характеристика усилителя - это зависимость коэффициента усиления в зависимости от частоты.

 

 
 

 

 


В. Фазо-частотная характеристика - это зависимость угла сдвига фаз между входным и выходным напряжением от частоты.

 
 

 

 


Г. Амплитудная характеристика усилителя - зависимость амплитуды выходного напряжения усилителя, снятая при постоянной частоте сигнала.

 

 

 


Д. Искажения вносимые усилителем.

Три вида искажений:

· Нелинейные искажения, вызваны появлением на выходе новых гармоник

· Частотные искажения, вызваны относительным изменением амплитуды отдельных гармоник, К0 - усиление на средней частоте.

· Фазовые искажения - изменение формы выходного напряжения вызванные неоднородным сдвигом во времени отдельных гармоник.

 

Усилители с обратными связями.

Обратной связью называют такую связь между цепями усилителя, при которой часть энергии усиленных колебаний из его выходной цепи попадает во входную.

В реальных условиях различают три вида ОС:

· внутреннюю ими управлять невозможно,

· паразитную их стараются уменьшать.

· внешнюю (определяется наличием спец. цепей)

Внешняя ООС легко управляема и её специально вводят в схему усилителя для улучшения его качеств: стабильности К, расширения полосы пропускания, уменьшения искажений, увеличение входного и уменьшение выходного сопротивления.

 
 

 


Однопетлевая ОС Многопетлевая ОС

 

По способу передачи энергии через ОС на вход усилителя различают последовательную и параллельную обратную связь.

 
 

 


последовательное параллельное

Если напряжение ОС пропорционально выходному напряжению, то имеет место ОС по напряжению, а если пропорционально току в нагрузке - ОС по току

 
 

 


ОС по напряжению ОС по току

 

Чаще всего используют последовательную ОС по напряжению

 

 

Uвых = K (Uвх + bUвых)

разделим обе части уравнения на Uвх

тогда

Если Uос совпадает по фазе со входным сигналом Uвх то такая обратная связь называется положительной (b-коэффициент обратной связи положительный) Кос>К. При такой ОС усилитель самовозбуждается и она в усилителях практически не используется.

Если Uос противоположна по фазе со входным сигналом Uвх, то такая ОС называется отрицательной (b - отрицательный), Кос< К. ООС широко используется в усилителе НЧ для улучшения его основных параметров.

 

Тема 10. Занятие 2.

Исследование усилителя НЧ, определение его основных характеристик.

 

Принципиальная схема усилитьеля показана на рис.10.2. Он собран на биполярном транзисторе типа р-n-р ГТ403Б. Резистор R3 - сопротивление нагрузки. R1.R2 - базовый делитель (сопротивление R1 - переменное, им устанавливается рабочая точка усилителя по постоянному току). Конденсаторы Ср1 и Ср2 - разделительные. Ко входу усилителя подключен генератор звуковой частоты ЗГ-36, а к выходу усилителя подключен осциллограф С1-112.

1.Установка режима работы транзистора

Для получения максимального усиления необходимо вывести рабочую точку на середину нагрузочной характеристики каскада. Для этого необходимо подключить вольтметр к коллектору транзистора и, вращая ось переменного резистора R1, установить на коллекторе напряжение равное половине напряжения источника питания, т.е. -6 вольт.

2. Определение коэффициента усиления каскада.

Подать на вход усилителя с генератора НЧ сигнал частотой 1000 Гц и напряжением 20 мВ.

Измерить гнапряжение сигнала на выходе усилителя. Рассчитать коэффициент усиления.

К=Uвых/Uвх

 

 


3. Снятие амплитудно частотной харктеристики усилителя (АЧХ).

Подать на вход усилителя с генератора НЧ сигнал с амплитудой 20 мВ и частотой от 20 до 50000 Гц (частоты указаны в таблице №1). Для каждого из указанных значений частоты рассчитать коэффициент усиления и заполнить таблицу №1. По данным таблицы построить график АЧХ.

 

Таблица №1

 

f (Гц)
К
Кнормир 0,6 0,85 0,9 0,95 0,75 0,6 0,55

 

 
 
Кнормир=Uвх max/Uв min

 

 


4.Снятие амплитудной характеристики. Определение динамического диапазона.

Установить частоту сигнала 1000 Гц. Увеличивая амплитуду сигнала от 0 до 50 мВ через каждые 5 мВ, определять амплитуду выходного сигнала и записывать данные в таблицу №2 Построить график Uвых=F(Uвх). Определить динамический диапазон усилителя

D=20log*Uвх ma[/Uвх min


 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Электротехника, отрасль науки и техники, связанная с применением электрических и магнитных явлений в практической деятельности человека

Электротехника отрасль науки и техники связанная с применением электрических и магнитных явлений в практической деятельности человека Она.. Технической базой творчества звукорежисера является звукотехническая.. В основе работы ЗТА лежат процессы которые протекают в электрических цепях постоянного и переменного тока по законам..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полупроводниковые приборы

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Электрические цепи.
Электрическая цепь (ЭЦ) – совокупность устройств, которые обеспечивают практическое использование электрической энергии. Энергетические процессы в электротехнических устройствах достаточно сложны и

Топология электрических цепей.
  При анализе сложных электрических цепей возникает необходимость в обозначении ее отдельных участков и способа их соединения. Основными топологическими понятиями теории электрических

Линейные электрические цепи.
  В основе анализа электрических цепей постоянного тока лежит несколько общих принципов, которые отражают основные свойства линейных электрических цепей и используются в методах их ра

Основные физические величины, которые используются для анализа и расчета линейных электрических цепей.
ЭДС – характеризует потенциальную способность электрического поля (стороннего или индуцированного) вызывать электрический ток.

Основные законы линейных электрических цепей постоянного тока.
Закон Ома. Для участка цепи:

Расчёт и анализ электрических цепей.
Общая задача анализа электрической цепи состоит в том, что в известной схеме цепи с заданными параметрами (ЭДС и сопротивлениями) необходимо рассчитать токи, мощности и напряжения на отдельных учас

Расчет линейной электрической цепи постоянного тока с одним источником электрической энергии.
  С помощью законов Киргофа можно рассчитать любую ЭЦ, в том числе и цепь с одним источником. Однако в этом случае нет необходимости составлять систему уравнений по законам Киргофа и

Метод узловых потенциалов

Тема 2. Электрические цепи переменного тока.
1.Основные понятия, которые относятся к цепям переменного тока Переменным током называют такие электромагнитные процессы в электрической цепи, при которых мгновенные значения

Цепь с активным сопротивлением
Если переменное напряжение подвести к активному сопротивлению R, то через сопротивление будет протекать ток

Цепь с индуктивным сопротивлением
Пусть к катушке с индуктивностью L (L – коэффициент пропорциональности между потокосцеплением и током в катушке, для линейной цепи:

Цепь с емкостным сопротивлением
Если к источнику с переменным напряжением подключить конденсатор емкостью С, то образуется электрическая цепь с емкостным сопротивлением.

Действующее значение тока можно выразить по закону Ома
    Мощность, выраженная произведением действующего значения тока на действующее значение напряжения н

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА №2
1. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ R,L,C В ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА. По второму закону Кирхгофа: U = UR + UL

Расчёт последовательной цепей переменного тока
         

Особенности электромагнитных процессов в магнитных цепях переменного тока
    Если к катушке охватывающей магнитопровод подключить источник переменного напряжения то в нем возникнет пере

Двигатели последовательного возбуждения.
      т.к. по обмотке во

Типы полупроводников в периодической системе элементов
  В таблице представлена информация о большом количестве полупроводниковых элементов и их соединений, разделённых на несколько типов: одноэлементные полупроводники IV г

Собственная проводимость
  Полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе ионизации атомов, из которых построен весь кристалл, называют полупроводниками с собственной проводимос

По виду проводимости
Электронные полупроводники (n-типа)     Полупроводник n-типа Термин «

ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ.
1. НАЗНАЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ До появления линейной интегральной схемотехники к классу операционных усилителей (ОУ) относили многокаскадные усилители пос

Тема 12. Микропроцессорная техника.
Логические основы микропроцессорной техники.   1. Основы алгебры логики. Логика – это наука о формах и законах мышления. Алгебра логики – разд

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги