Реферат Курсовая Конспект
Оптимальная частота генерации импульсов накачки ОКГ - раздел Право, условиях облучение прямым лазерным излучением возможно лишь при грубом нарушении правил техники безопасности. ...
|
где Ucб.— напряжение на буферной емкости, В; Uвых — напряжение на выходе накопителя, В. Максимальное значение энергии, потребляемой от сети,
где R = r + R1; r—внутреннее сопротивление источника, Ом; R1 —сопротивление зарядного контура, Ом.
Рис.4 Характеристики экспериментального блока питания (Ртр-мощность трансформатора)
Напряжение на буферной емкости
КПД системы накачки
Для накопления энергии в батарее конденсаторов можно использовать бестрансформаторные схемы питания (рис. 5) с удвоением или утроением напряжения.
Наиболее целесообразно, с точки зрения получения наименьших габаритов, применить схему двухполупериодного удвоения напряжения при питании от сети переменного тока с напряжением 380 В. При однополупериодной схеме удвоения увеличивается время заряда батареи конденсаторов. Кроме того, конденсаторы приходится рассчитывать на удвоенное амплитудное значение сети, что приводит к увеличению габаритов блока питания.
В показанной на рис. 5 схеме применено удвоение напряжения по двухполупериодной схеме на конденсаторах типа МБГВ 1000х100. Напряжение на блоке конденсаторов равно удвоенному амплитудному значению напряжения сети (380 В), т. е. Uс= 2U 2= 1070 В. Схемы с удвоением и утроением напряжения, в которых используются конденсаторы типа ЭФ или МБГВ, можно применять при частоте вспышек ОКГ до 2 Гц. КПД схемы с удвоением напряжения составляет около 40%.
Рис. 5 Схема бестрансформаторной системы накачки.
Основное свойство ИЕП — стабилизировать ток нагрузки при ее
изменении. При питании схемы с ИЕП синусоидальным
напряжением с амплитудой U1 ток нагрузки
Если индуктивность L и емкость С выбраны из условия резонанса при частоте приложенного напряжения w, т. е. wLC =1, ток нагрузки не зависит от величины сопротивления нагрузки: Iн=U1/(jwL). Таким образом, ИЕП имеет вольт-амперную характеристику источника тока.
Рис. 6 Схема системы накачки с управляемыми диодами
В заключение отметим, что все рассмотренные системы накачки твердотельных ОКГ рассчитывались, макетировались и испытывались с импульсными ксеноновыми лампами типов ИФП-600, ИФП-800.
Все элементы схем выбирались из условий работы прибора в диапазоне температур ±50° С и относительной влажности 98%.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
На сайте allrefs.net читайте: условиях облучение прямым лазерным излучением возможно лишь при грубом нарушении правил техники безопасности....
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Оптимальная частота генерации импульсов накачки ОКГ
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов