Полупроводниковые, Полупроводниковом, Полупроводники, Полупроводников, Полупроводника, Полупроводникового, Полупроводниках

Лекция №1 Электрофизические свойства полупроводников
Электрофизические свойства полупроводников... Основными процессами в полупроводниковых приборах являются получение свободных носителей зарядов управление их...

1. Полупроводниковые диоды.
2. Лекция №3
3. Лекция №4
4. Лекция №5
5. Коэффициент полезного действия.
6. Лекция №7.
7. Лекция №8.
8. Лекция №9.
9. Стабилизация частоты генератора
10. Лекция №10.
11. Симметричный триггер на биполярных транзисторах с коллекторно-базовыми связями
12. Несимметричный триггер с эмитерной связью
13. Лекция №12.
14. Ключи на МДП-транзисторах
15. Компараторы напряжений
16. Дифференцирующие цепи
17. Лекция 13

Тема №1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Федеральное агентство по образованию... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального... Тамбовский государственный технический университет...

1. Реальная ВАХ диода и его параметры
2. Особенности конструкции высокочастотных и импульсных диодов

ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ... План лекции... Фундаментальные явления...

1. Фундаментальные явления.
2. Гетеропереходы первого и второго типов.
3. Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
4. Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
5. Потенциальный барьер конечной ширины.
6. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
7. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
8. Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
9. Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
10. Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.
11. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
12. Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.
13. Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
14. Электрон-фононное рассеяние.
15. Межподзонное рассеяние.
16. Экспериментальные данные по продольному переносу
17. Продольный перенос горячих электронов
18. Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
19. Резонансное туннелирование
20. Влияние поперечных электрических полей на свойства сверхрешеток
21. Квантовый перенос в наноструктурах
22. Квантовая проводимость. Формула Ландауэра.
23. Формула Ландауэра — Бюттикера для квантового переноса в многозондовых структурах

ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. ЧАСТЬ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПРИАЗОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ... ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ... КАФЕДРА ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ...

1. История развития электроники
2. Электропроводность полупроводников
3. P-n-переход в состоянии термодинамического равновесия
4. P-n-переход под воздействием внешнего напряжения
5. Тема 2. Полупроводниковые диоды
6. Выпрямительные диоды
7. Полупроводниковые стабилитроны
8. Устройство биполярного транзистора
9. Биполярного транзистора
10. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов
11. H-параметры транзистора
12. Тема 5. Полевые транзисторы
13. Тема 6. Биполярные транзисторы с изолированным
14. Тема 7. Тиристоры

Конспект по курсу Электроника Тема: Полупроводниковые диоды и тиристоры
Конспект... по курсу Электроника для студентов ЗФО...

1. Тема: Фото- и оптоэлектронные приборы.
2. Тема: Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
3. Тема: Комбинационные логические схемы.
4. Операцию вычитания можно представить в виде
5. Теиа: Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

Собственная и примесная электропроводность полупроводников
Выпрямителем называется устройство предназначенное для преобразования переменного тока в постоянный Основ ным элементом выпрямителей является...

1. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
2. Вольт-амперная характеристика.
3. Трехфазный однократный выпрямитель. Работа. Временные диаграммы.
4. Тиристоры
5. Внешние характеристики выпрямителей без фильтров и с ними.
6. Биполярные транзисторы. Типы, схемы включения, режимы работы. Характеристики, параметры.
7. Полевые транзисторы. Схемы включения, работа, характеристики, параметры.
8. Нагрузочный режим однофазного трансформатора.
9. Изменение вторичных параметров ротора асинх. двигателя при его вращении.
10. Механическая характеристика асинхронного двигателя.
11. Энергетическая диаграмма, электромагнитный момент, механическая характеристика асинхронного двигателя.
12. Пуск и реверс дв. с фазным ротором.
13. Вращающий момент асинхронного двигателя. Вывод формулы. Номинальный, критический и пусковой моменты.
14. Пуск двигателей постоянного тока.
15. Генератор постоянного тока. Устройство, принцип действия. Способы возбуждения. Э.Д.С. якоря и электромагнитный момент генератора постоянного тока.
16. Уравнение движения электропривода

Полупроводниковые
Интегральные... полупроводниковые тонкопленочные толстопленочные...

1. Микрокомпоненты
2. По степени интеграции
3. По технология изготовления
4. По виду обрабатываемого сигнала

Тема 3. Полупроводниковые приборы
Тема Полупроводниковые приборы... Тиристоры Устройство и основные физические процессы...

1. Устройство и основные физические процессы
2. Характеристики
3. Графический анализ схем с тиристорами
4. И система обозначений

Тема 3. Полупроводниковые приборы
Тема Полупроводниковые приборы Определение и условное графическое обозначение... Полупроводниковые приборы... Диоды...

1. Тема 3. Полупроводниковые приборы
2. Назначение
3. Физические явления в полупроводниках (р-п переходы)
4. Характеристики и параметры
5. Статистические параметры
6. Динамические параметры
7. Типы диодов

Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...

1. Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
2. Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
3. Р-n переходе.
4. ВАХ реального диода.
5. Проблема пиннинга уровня Ферми поверхностными состояниями.
6. Контакты металл – полупроводник.
7. ВАХ контакта Шоттки.
8. Распределение квазиуровней Ферми.
9. Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
10. Экспериментальные методы исследования фононного спектра.
11. Критерий Линдемана
12. Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений АIIIBV от давления.
13. Природа и свойства связанных состояний.
14. Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
15. Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
16. Свойства глубоких уровней.
17. Методы описания
18. Оптические свойства диэлектриков.
19. Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
20. Приближение среднего поля.
21. Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
22. Опыт Дорфмана.
23. Микроскопическая природа ферромагнетизма
24. Обменное взаимодействие.
25. Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
26. Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
27. Теория Гинзбурга-Ландау
28. Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.

Электротехнические материалы. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПРОВОДНИКОВ И МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ
САНКТ ПЕТЕРБУРГСКИЙ...

1. Издательство Политехнического университета
2. ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ
3. Основные положения
4. Описание измерительной установки
5. И горизонтального отклонений луча осциллографа
6. Сегнетоэлектрического конденсатора
7. Библиографический список
8. Основные положения
9. Описание измерительной установки
10. Измерение температурной зависимости проводимости
11. Расчет энергетических параметров полупроводника
12. Библиографический список
13. Основные положения
14. Определение удельного электрического сопротивления проводников
15. Определение электрического сопротивления резисторов
16. Обработка результатов измерений
17. Библиографический список
18. Общие положения теории магнитного поля
19. Порядок выполнения работы
20. Библиографический список
21. Основные свойства нелинейных диэлектриков, полупроводников, проводников и магнитных материалов

Устройства содержат сотни реле, электронных ламп, полупроводников и электронных элементов
Эти устройства широко используются в технике автоматического управления в... Устройства содержат сотни реле электронных ламп полупроводников и электронных элементов...

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

1. Физические процессы в полупроводниках
2. Структура и зонные диаграммы собственного и примесного полупроводников
3. Определение типа электропроводности.
4. Используя выражения (4.3 – 4.5) получим
5. Оптические свойства полупроводников
6. Полупроводники в сильных электрических полях
7. Ширина запрещенной зоны
8. Эффективная масса носителей заряда
9. Подвижность носителей заряда
10. Концентрация собственных носителей заряда
11. Удельная электропроводность
12. Параметры примесных полупроводников
13. Энергия ионизации примеси
14. Подвижность носителей заряда
15. Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников
16. Взаимная компенсация доноров и акцепторов
17. Полуизолирующий полупроводник
18. Кремний
19. СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

Исследование полупроводникового стабилизатора напряжения
Исследование полупроводникового стабилизатора напряжения... Цель работы Схема...

1. Цель работы
2. Порядок выполнения работы

Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды
Электронно дырочный переход Полупроводниковые диоды Электронно дырочный переход и его... Полупроводниковые диоды и их характеристики... Диодом называют полупроводниковый прибор который состоит из одного перехода и имеет два вывода анод и катод...

1. Электронно-дырочный переход и его вольт-амперная характеристика
2. Емкость электронно-дырочного перехода
3. Выпрямительные диоды
4. Полупроводниковые стабилитроны
5. Импульсные диоды
6. Высокочастотные диоды
7. Туннельные диоды
8. Варикапы
9. Фотодиоды
10. Оптопары
11. Магнитодиоды

Силовые полупроводниковые ключи
На сайте allrefs.net читайте: Силовые полупроводниковые ключи.

1. Силовые полупроводниковые ключи
2. Силовые биполярные транзисторы
3. Силовые ключи на МОП транзисторах
4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
5. Запираемые тиристоры
6. Области применения силовых ключей

Полупроводниковые приборы и электронные лампы
Область n - типа называют отрицательным электродом, а область p - типа - положительным электродом полупроводникового диода. Диод хорошо пропускает ток, когда его отрицательный электрод соединен с… В результате вблизи p - n перехода произойдет накопление положительных и отрицательных зарядов, и поэтому…

Температурная зависимость проводимости полупроводника
Электропроводность твердых тел в современной физике объясняется на основе зонной теории. На рис. I показаны упрощенные диаграммы энергетических зон… Такие полупроводники называются легированными или примесными.Атомы примеси,… В данном разделе нас будет интересовать идеализированная модель полупроводника, в котором отсутствуют какие-либо…

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология
Проводниковые и резистивные пасты состоят из порошков металлов и их окислов, а также содержат порошки низкоплавких стекол (стеклянную фритту). В… Относительная простота технологии при сравнительно низких затратах на… Широкое применение находит толстопленочная многоуровневая разводка межсоединений в гибридных микросхемах. 2. ПОДЛОЖКИ…

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Приборы полупроводниковые
Дырочно-дырочный переход (p p+ переход, p p+ Ubergang, P P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа,… Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в… Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход, у которого линейные размеры,…

Полупроводниковые диоды
При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создают область с другим типом электропроводности. Таким образом, около иглы образуется миниатюрный р-n- переход полусферической… К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля.

Полупроводниковые резисторы
Рассмотрим подробнее разновидности полупроводниковых резисторов. 1 Варисторы Варистор – это полупроводниковый резистор, сопротивление которого… Нелинейность вольт – амперной характеристики варисторов обусловлена явлениями… Таким образом, при малых напряжениях на варисторе нелинейность ВАХ связана с зависимостью проводимости поверхностных…

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды
При UAK = 0 существует баланс диффузионной и дрейфовой составляющих токов через переход.

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды
При UAK = 0 существует баланс диффузионной и дрейфовой составляющих токов через переход.

Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры
Полупроводниковые светоизлучающие структуры. 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1. Предмет оптоэлектроники. Оптоэлектроника представляет собой… Оптоэлектронный прибор - это по рекомендации МЭК прибор, чувствительный к… Таким образом, оптоэлектроника ба- зируется на достижениях целого ряда достижений науки и техники, среди которых…

Полупроводниковые диоды
Выпрямительные диодыизготавливают в настоящее время в ос-новном из кремния и германия.Кремниевые диоды позволяют по-лучать высокие обратные… В диодах сV бв lt 7 и а p-n- а е ап г б - л е бв г в вг м л . бваг в бв ва л в… Ее влияние проявляетсяв шунтировании p-n-перехода на высоких частотах и ухудшениивыпрямляющих свойств.

Лазеры на гетеропероходах (полупроводниковые лазеры)
В условиях термодинамического равновесия валентная зона полупроводника полностью заполнена электронами, а зона проводимости пуста.Предположим, что… Согласно правилу Стокса - Люммля энергия излученного кванта меньше по… Единственно возможными переходами электронов в полупроводнике в рассматриваемых условиях являются переходы зона…

Проводники, полупроводники и диэлектрики
В состав атомов входят электрически заряженные частицы: положительные – протоны, отрицательные – электроны. В нормальном состоянии атом электрически нейтрален, так как число протонов,… Чтобы освободить какой-либо электрон этой зоны, необходимо затратить некоторую энергию. Следовательно, электроны,…

1. Полупроводниковые диоды
2. Основные определения и классификация диэлектриков

Применение полупроводников в технике
Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами.От… С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при… Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов…

1. Теория и свойства
2. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов
3. Тепловые сопротивления
4. Холодильники и нагреватели

Полупроводниковые материалы
Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим успех многих инженерных решений при создании сложнейшей электронной аппаратуры. Практика постоянно предъявляет все более жестокие и разнообразные требования к… В настоящее время число наименований материалов, применяемых в электронной технике для различных целей, составляет…

1. Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике

Полупроводниковые диоды
Вокруг ядра атома любого вещества движутся по определенным замкнутым траекториям (орбитам) отрицательно заряженные электроны. В нормальном… В твердом веществе атомы занимают устойчивые положения, определяемые… Электроны, освободившиеся от внутриатомных связей, получили название свободных электронов. Они перемещаются внутри…

1. ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА П-Р ПЕРЕХОДА

Полупроводниковые материалы в металлургии
От металлов они отличаются тем, что носители электрического тока в них создаются тепловым движением, светом, потоком электронов и т.п. источником… С повышением температуры электропроводность полупроводников возрастает и при… К полупроводниковым материалам относится большинство минералов, неметаллические элементы IV, V, VI групп периодической…

1. Металлургия германия и кремния
2. Холодильники и нагреватели

Полупроводниковые приборы
В настоящей дипломной работе разработана установка и методи- ка исследования семейств характеристик полупроводниковых прибо- ров. Цель дипломной… Дипломная работа и описанная в ней лабораторная работа позволяет эффективно… Комитет по высшей школе КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ КубГУ кафедра физики полупроводников Допустить к защите…

1. Идеальный контакт металл-полупроводник
2. Реальный контакт металл-полупроводник
3. Неустойчивость тока в транзисторной структуре с контактом металл-полупроводник

Полупроводниковые приборы
Рабочий элемент- кристалл германия, обладающий проводимостью n типа за счт небольшой добавки донорной примеси Для создания в нм p-n-переходов в одну… Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия… Такой триод условно обозначают p-n-p. Можно делать и n-p-n триод, т.е. разделять две n-области кристалла узкой…

1. Полупроводниковые транзисторы
2. Полевые МДП транзисторы