Локальная глубинная модификация поверхности представляет собой технологический процесс создания элементов наноэлектроники в полупроводнике под поверхностью оксидного слоя путем локального изменения физико-химических свойств материала. Для реализации этого процесса наиболее подходящим является контактный метод атомно-силовой микроскопии.
Локальная глубинная модификация проводится с помощью проводящего зонда по следующей технологической схеме. К поверхности полупроводниковой подложки, защищённой окисным слоем, подводится острие зонда. Между зондом и подложкой приложено напряжение. Электрическое поле локально проникает в подложку на глубину десятки и сотни нанометров в зависимости от приложенного напряжения. В этой области происходит локальная глубинная модификация полупроводника, при этом рельеф поверхности может практически оставаться без изменения. Процесс локальной модификации полупроводников должен проходить так, чтобы исключить эмиссию электронов с зонда. В противном случае возможен локальный разогрев поверхности и её повреждение.