рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Тема 2. Полупроводниковые диоды

Тема 2. Полупроводниковые диоды - раздел Философия, ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. ЧАСТЬ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Полупроводниковым Диодом Называют Полупроводниковый Прибор С Одним P-N-Перехо...

Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами. Слово "диод" образовалось от греч. приставки "ди" ("дважды") и сокращения слова "электрод". Один из способов изготовления диода состоит в следующем. На пластинку полупроводника (например, германия), обладающего электронной проводимостью, накладывают небольшой кусочек индия и помещают в печь. При высокой температуре (около 500 0С) индий вплавляется в пластинку германия, образуя в ней область дырочной проводимости. К самой пластинке германия и к затвердевшей капле индия припаивают два вывода и прибор заключают в герметический и непрозрачный корпус, чтобы защитить p-n-переход от внешних воздействий (влаги, света и т.д.) и обеспечить хороший теплоотвод (рис. 3).

    Рис. 3. Схема устройства полупроводникового диода и его условное обозначение (VD – вентиль диодный)

Область n-типа называют отрицательным электродом (базой или катодом), а область p-типа – положительным электродом (эмиттером или анодом).

Вольт-амперные характеристики (ВАХ) диода приведены на рис. 4. Кривая прямого тока расположена в I квадранте, обратного – в III квадранте. Из графика видно, что прямой ток достаточно сильно зависит от напряжения. Эта зависимость нелинейная и при увеличении напряжения ток может превысить допустимое значение, что приведет к перегреву p-n-перехода и диод выйдет из строя. При подаче на диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток , обусловленный движением неосновных носителей заряда.

 

  Рис. 4. Вольт-амперные характеристики диода: 1 – ВАХ идеального диода; 2 – ВАХ реального диода

 

ВАХ и параметры диода сильно зависят от температуры окружающей среды. Наиболее значительно меняется с температурой обратный ток диода. Если температура p-n-перехода возрастает, то усиливается процесс генерации пар неосновных носителей заряда и их количество увеличивается. Это, в свою очередь, приводит к дальнейшему увеличению обратного тока и нагреву p-n-перехода, что может вызвать его разрушение. Такой процесс называют тепловым пробоем. Тепловой пробой разрушает p-n-переход.

При увеличении обратного напряжения на диоде сверх допустимого предела может произойти электрический пробой p-n-перехода, что выражается в резком увеличении обратного тока (при достижении критической напряженности электрического поля за счет энергии поля появляются новые пары неосновных носителей заряда). В зависимости от внешних условий электрический пробой может быть обратимым (первоначальные свойства p-n-перехода полностью восстанавливаются, если снизить напряжение) и необратимым (обратный ток резко увеличивается, происходит разогрев диода, дальнейший рост тока и, как следствие, тепловой пробой и разрушение p-n-перехода). Явление обратимого электрического пробоя используется в качестве рабочего режима в стабилитронах.

Существует много разновидностей полупроводниковых диодов, обладающих специальными свойствами. Рассмотрим некоторые из них.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. ЧАСТЬ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

ПРИАЗОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ... ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ... КАФЕДРА ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Тема 2. Полупроводниковые диоды

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

История развития электроники
Совершим краткий экскурс в историю развития электроники. В начале XX в., после изобретения в 1904 г. англичанином Дж. Флемингом лампового диода (его стали применять в качестве детектора в радиоприе

Электропроводность полупроводников
(собственная и примесная проводимость) Все встречающиеся в природе вещества по электрическим свойствам подразделяют на 3 группы: вещества, хорошо проводящие электрический

P-n-переход в состоянии термодинамического равновесия
Основой большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный или p-n-переход. Электронно-дырочным или p-n-переходом называют область на границе двух полупроводников, один из которых

P-n-переход под воздействием внешнего напряжения
Если к p-n-переходу подключить внешнее напряжение таким образом, что "+" батареи приложен к области полупроводника n-типа, а "-" – к области полупроводника p-типа, то это привед

Выпрямительные диоды
  Выпрямительный диод – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. В зависимости от исходного полупроводникового материала выпрямительны

Полупроводниковые стабилитроны
Стабилитрон – полупроводниковый диод, напряжение на котором в области обратимого электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения. ВАХ стабилитрона приведена

Устройство биполярного транзистора
Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с тремя чередующимися областями полупроводников разного типа электропроводности (p-n-p или n-p-n) и двумя p-n-переходами, протекание тока в которых

Биполярного транзистора
При отсутствии внешних напряжений распределение концентраций основных и неосновных носителей заряда показано на рис. 12, б пунктирными линиями. Концентрация дырок в эмиттере и коллекторе бол

Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов
Вольт-амперными для любой из схем включения транзистора (ОБ, ОЭ и ОК) являются входные и выходные характеристики. Входные характеристики представляют собой зависимость входного тока от входного нап

H-параметры транзистора
Недостатком Т-образной схемы является невозможность непосредственного измерения ее параметров, так как в реальном тра

Тема 5. Полевые транзисторы
  Полевые (униполярные) транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, ток в которых обусловлен дрейфом основных носителей заряда под действием продольного электрического п

Тема 6. Биполярные транзисторы с изолированным
затвором (IGBT-транзисторы) В настоящее время основными полностью управляемыми приборами силовой электроники в области коммутируемых токов до 50 А и напряжений до 500 В яв

Тема 7. Тиристоры
Тиристор (от греч. thýra – "дверь" и англ. resistor – "сопротивление") – полупроводниковый прибор с тремя и более p-n-переходами, используемый в качестве управляемого пер

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги