рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Философия
/
Устройство биполярного транзистора

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Устройство биполярного транзистора

Устройство биполярного транзистора - раздел Философия, ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. ЧАСТЬ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Биполярный Транзистор – Полупроводниковый Прибор С Тремя Чередующимися Област...

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с тремя чередующимися областями полупроводников разного типа электропроводности (p-n-p или n-p-n) и двумя p-n-переходами, протекание тока в которых обусловлено носителями заряда обоих знаков – как дырками, так и электронами (отсюда и название – биполярные транзисторы).


Рис. 10. Устройство сплавного транзистора структуры p-n-p	Рис. 11. Схематическое изображение транзисторов разных структур (VT – вентиль транзисторный)

Транзистор сплавного типа представляет собой пластинку германия (рис. 10), кремния или другого полупроводника размером 2×2 мм, обладающего электронной (n-типа) или дырочной (p-типа) электропроводностью, в объеме которой искусственно созданы две области, противоположные по электрической проводимости. Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два p-n-перехода, каждый из которых обладает такими же электрическими свойствами, как и полупроводниковый диод. Если сама пластинка полупроводника обладает электропроводностью n-типа, а созданные в ней области – электропроводностью p-типа, то такой транзистор будет структуры p-n-p. Если электропроводность пластинки p-типа, а электропроводность ее областей n-типа, структура такого транзистора n-p-n (рис. 11).

Независимо от структуры транзистора внутренняя область между двумя p-n-переходами называется базой Б. Область меньшего объема, которая является источником носителей заряда и предназначена для их инжектирования в базу, называется эмиттером Э (электрод со стрелкой на рис. 11; стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор). Область бóльшего объема, которая предназначена для экстрактирования (вытягивания) носителей из базы, называется коллектором К. p-n-переход между коллектором и базой называется коллекторным, между эмиттером и базой – эмиттерным.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. ЧАСТЬ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

ПРИАЗОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ... ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ... КАФЕДРА ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Устройство биполярного транзистора

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

История развития электроники
Совершим краткий экскурс в историю развития электроники. В начале XX в., после изобретения в 1904 г. англичанином Дж. Флемингом лампового диода (его стали применять в качестве детектора в радиоприе

Электропроводность полупроводников
(собственная и примесная проводимость) Все встречающиеся в природе вещества по электрическим свойствам подразделяют на 3 группы: вещества, хорошо проводящие электрический

P-n-переход в состоянии термодинамического равновесия
Основой большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный или p-n-переход. Электронно-дырочным или p-n-переходом называют область на границе двух полупроводников, один из которых

P-n-переход под воздействием внешнего напряжения
Если к p-n-переходу подключить внешнее напряжение таким образом, что "+" батареи приложен к области полупроводника n-типа, а "-" – к области полупроводника p-типа, то это привед

Тема 2. Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами. Слово "диод" образовалось от греч. приставки "ди" ("дважды") и сокра

Выпрямительные диоды
Выпрямительный диод – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. В зависимости от исходного полупроводникового материала выпрямительны

Полупроводниковые стабилитроны
Стабилитрон – полупроводниковый диод, напряжение на котором в области обратимого электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения. ВАХ стабилитрона приведена

Биполярного транзистора
При отсутствии внешних напряжений распределение концентраций основных и неосновных носителей заряда показано на рис. 12, б пунктирными линиями. Концентрация дырок в эмиттере и коллекторе бол

Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов
Вольт-амперными для любой из схем включения транзистора (ОБ, ОЭ и ОК) являются входные и выходные характеристики. Входные характеристики представляют собой зависимость входного тока от входного нап

H-параметры транзистора
Недостатком Т-образной схемы является невозможность непосредственного измерения ее параметров, так как в реальном тра

Тема 5. Полевые транзисторы
Полевые (униполярные) транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, ток в которых обусловлен дрейфом основных носителей заряда под действием продольного электрического п

Тема 6. Биполярные транзисторы с изолированным
затвором (IGBT-транзисторы) В настоящее время основными полностью управляемыми приборами силовой электроники в области коммутируемых токов до 50 А и напряжений до 500 В яв

Тема 7. Тиристоры
Тиристор (от греч. thýra – "дверь" и англ. resistor – "сопротивление") – полупроводниковый прибор с тремя и более p-n-переходами, используемый в качестве управляемого пер