Реальная ВАХ диода и его параметры

ВАХ диода – это зависимость тока, протекающего через анод, от величины приложенного напряжения I =¦ (U).

I_{0 обр} = I₀ + I_г + I_у , где I_г – ток термогенерации, I_у - ток утечки.

Участок 3 Реальный обратный ток в диоде превышает тепловой ток.

Участок 4 Участок электрического пробоя, который наблюдается при больших U_обр . Различают туннельный и лавинный пробои. Электрический пробой является обратимым процессом.

Участок 5 Участок теплового пробоя. Тепловой пробой является необратимым процессом, р-п переход при тепловом пробое разрушается.

Дифференциальные параметры диодов

1. Крутизна ВАХ диода:

[мА/В] , где Т – температура окружающей среды.

(Примерные значения: S =10…100 мА/В).

2. Дифференциальное (внутреннее) сопротивление диода:

[Ом].

(Примерные значения: при U >0 ® R_i = 10..100 Ом, при U< 0 ® R_i = 10⁵..10⁸ Ом)

Кроме дифференциальных параметров диод характеризуется статическим сопротивлением R_cт (сопротивление диода по постоянному току).

 

Определение параметров диода по ВАХ

В зависимости от участка ВАХ значения параметров существенно различаются.

 

Влияние температуры на ВАХ диода