Велико влияние дислокаций на прочность кристаллов. Благодаря дислокациям экспер. Определ предел текучести Ме в 1000 раз больше теоретич значения. При значит увелич плотности дислок и уменьшении их подвижности прочность увел в неск-ко раз по сравнению с отожженным состоянием. Плотность бездефектных участков приближ к теоретич. В полупр дислок влияют на электрические и другие св-ва считают электрич сопротивление. Уменьш время носителей значение дисл особенно возрастает в микроэлектронике, где применяют тонкие пленочные кристаллы, и дисл играют роль тонких проводящих каналлов, вдоль которых легко перемещ-ся атомы примеси. Причины упрочнения:
Увеличение плотности дислок(происходит уменьшение их свободн длины прбега, возник напряж, увелич прочн-и, твердости матер)
Выпадение субмикроскоп элементов по плоскостям скольжения.
Дислакац барьеры
ХПД за счет уплотнени дислокаций
Легир-ть (тв раствор внедрения дисл упрочн.)
Справка:
Линейные дефекты получили название – дислокации.
Дислокации бывают краевые и винтовые.
Краевая дислокация представляет собой локализованное искажение атомной плоскости за счет введения в нее дополнительной атомной полуплоскости – экстра плоскости, расположенной перпендикулярно плоскости чертежа.
Так же есть и винтовая дислокация; искажение происходит по винтовой плоскости.
Важной характеристикой дислокации является плотность дислокации; представляющая собой суммарную длину дислокации в единице объема ()
В наиболее совершенных кристаллах плотность дислокации равна p = 106…108 см-2.
В деформированных p = 106...108см-2