К полупроводниковым материалам относится большое количество материалов, отличающихся друг от друга внутренней структурой, химическим составом и электрическими свойствами. Согласно химическому составу полупроводники делятся на 4 группы:
1.Материалы, состоящие из атомов одного элемента: германий, кремний, фосфор, селен, бор, индий и др.;
2.Материалы, состоящие из оксидов металлов: оксид меди (I), оксид цинка, оксид титана (II) и пр.;
3.Материалы на основе соединений атомов третьей и пятой групп системы элементов Д.И. Менделеева, обозначаемые общей формулой и называемые антимонидами. К этой группе относятся соединения сурьмы с индием, с галлием и др., соединения атомов второй и шестой групп, а также соединения атомов четвертой группы;
4.Полупроводниковые материалы органического происхождения, например, полициклические ароматические соединения антрацен, нафталин и др.
Согласно кристаллической структуре, полупроводниковые материалы делят на 2 группы: монокристаллические, получаемые в виде больших одиночных кристаллов (например, германий, кремний, из которых вырезают пластинки для выпрямителей и других полупроводниковых приборов) и полупроводники, состоящие из множества небольших кристаллов, спаянных друг с другом (например, селен, карбид кремния и др.).
По величине удельного объемного сопротивления полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Некоторые из них резко уменьшают электрическое сопротивление при воздействии на них высокого напряжения. Это явление нашло применение в вентильных разрядах для защиты линий электропередач. Другие полупроводники резко уменьшают свое сопротивление под действием света. Это используется в фотоэлементах и фоторезисторах. Общим свойством для полупроводников является то, что они обладают электронной и дырочной проводимостью.