Нульмерные дефекты - раздел Образование, Билет №1 К Нульмерным (Или Точечным) Дефектам Кристалла Относят Все Д...
К нульмерным (или точечным) дефектам кристалла относят все дефекты, которые связаны со смещением или заменой небольшой группы атомов (собственные точечные дефекты), а также с примесями. Они возникают при нагреве, легировании, в процессе роста кристалла и в результате радиационного облучения. Могут вноситься также в результате имплантации. Свойства таких дефектов и механизмы их образования наиболее изучены, включая движение, взаимодействие, аннигиляцию, испарение.
Собственный межузельный атом — атом основного элемента, находящийся в междоузельном положении элементарной ячейки.
Примесный атом замещения — замена атома одного типа, атомом другого типа в узле кристаллической решетки. В позициях замещения могут находиться атомы, которые по своим размерам и электронным свойствам относительно слабо отличаются от атомов основы.
Примесный атом внедрения — атом примеси располагается в междоузлии кристаллической решетки. В металлах примесями внедрения обычно являются водород, углерод, азот и кислород. В полупроводниках — это примеси, создающие глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне, например, медь и золото в кремнии.
В кристаллах часто наблюдаются также комплексы, состоящие из нескольких точечных дефектов, например: пара Френкеля (вакансия + собственный междоузельный атом), дивакансия (вакансия + вакансия), А-центр (вакансия + атом кислорода в кремнии и германии) и др.
2. Зависимость электропроводности полупроводников от температуры.
В собственном полупроводнике свободные носители возникают только за счет разрыва валентных связей, поэтому число дырок равно числу свободных электронов, т.е. n=p=ni ,где ni – собственная концентрация, и электропроводность при данной температуре равна:
где Мn и Mp – подвижности электронов и дырок, е – заряд электрона. В донорном полупроводнике электропроводность определяется
В
случае преобладания акцепторных примесей. Температурная зависимость электропроводности определяется зависимостью концентрации n от подвижности носителей заряда М от температуры.
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Нульмерные дефекты
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Билет №1.
1. Понятие полупроводника.
Полупроводник — материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от проводников силь
Билет №2.
1. Электропроводность полупроводников.
Электропроводность у металлов полупроводников и диэлектриков в большинстве случаев зависит от концентрации свободных электронов.
Электропров
Билет №3.
1. Энергетическая зонная диаграмма полупроводника.
Между зоной проводимости Еп и валентной зоной Ев расположена зона запрещённых значений энергии электронов Ез. Разность Еп−Ев равна
Билет №4.
1. Корпускулярно-волновой дуализм. Гипотеза Луи де Бройля.
Корпускулярно-волновой дуализм — принцип, согласно которому любой объект может проявлять как волновые, так и корпускулярные свойс
Билет №5.
1. Понятие эффективной массы электрона в кристалле.
В физике твёрдого тела, эффективной массой частицы называется динамическая масса, которая появляется при движении части
Определение
Эффективная масса определяется из аналогии со вторым законом Ньютона . С помощью квантовой механи
Билет №6.
1. Свойства эффективной массы.
Смысл введения эффективной массы электрона заключается в том, что с её помощью учитываются совместные действия периодического потенциального поля решетки кри
Билет №7.
1. Электроны и дырки.
Частица с полож. массы, равной абсолютному значению эффективной массы электрона, нах. у потолка валентной зоны, но с противоположным (положит.) зарядом. Движения элек
Билет №8.
1. Примеси и дефекты в реальных полупроводниках.
Дефекты бывают : 1) точечные; 2) линейные; 3) плоские; 4) объёмные (дислакации) и некоторые другие. Наиболее важным дефектом с практической
Билет №9.
1. Вакансии (виды вакансий)
Вакансия, дефект по Шотки, дефект кристалла, представляющий собой отсутствие атома или иона в узле кристаллической решётки . имеются во всех кр
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов