Между зоной проводимости Еп и валентной зоной Ев расположена зона запрещённых значений энергии электронов Ез. Разность Еп−Ев равна ширине запрещенной зоны Ез. С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.
Ширина запрещенной зоны равна и определяется энергией ковалентной связи.
С повышением температуры ширина запрещенной зоны уменьшается.
2. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках.
Рассеяние – изменение направления и абсолютной величины скорости электрона в результате его взаимодействия с несовершенством периодического потенциала кристаллической решетки. Для количественной характеристики рассеяния служит l величина длина свободного пробега τ – среднее время между актами рассеяния.
Билет №1.
1. Понятие полупроводника.
Полупроводник — материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от проводников силь
Билет №2.
1. Электропроводность полупроводников.
Электропроводность у металлов полупроводников и диэлектриков в большинстве случаев зависит от концентрации свободных электронов.
Электропров
Билет №4.
1. Корпускулярно-волновой дуализм. Гипотеза Луи де Бройля.
Корпускулярно-волновой дуализм — принцип, согласно которому любой объект может проявлять как волновые, так и корпускулярные свойс
Билет №5.
1. Понятие эффективной массы электрона в кристалле.
В физике твёрдого тела, эффективной массой частицы называется динамическая масса, которая появляется при движении части
Определение
Эффективная масса определяется из аналогии со вторым законом Ньютона . С помощью квантовой механи
Билет №6.
1. Свойства эффективной массы.
Смысл введения эффективной массы электрона заключается в том, что с её помощью учитываются совместные действия периодического потенциального поля решетки кри
Билет №7.
1. Электроны и дырки.
Частица с полож. массы, равной абсолютному значению эффективной массы электрона, нах. у потолка валентной зоны, но с противоположным (положит.) зарядом. Движения элек
Билет №8.
1. Примеси и дефекты в реальных полупроводниках.
Дефекты бывают : 1) точечные; 2) линейные; 3) плоские; 4) объёмные (дислакации) и некоторые другие. Наиболее важным дефектом с практической
Нульмерные дефекты
К нульмерным (или точечным) дефектам кристалла относят все дефекты, которые связаны со смещением или заменой небольшой группы атомов (собственные точечные дефекты), а также с приме
Билет №9.
1. Вакансии (виды вакансий)
Вакансия, дефект по Шотки, дефект кристалла, представляющий собой отсутствие атома или иона в узле кристаллической решётки . имеются во всех кр
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов