Устройства хранения данных на основе микросхем Flash–памяти в сравнении с устройствами на основе магнитных дисков имеют как достоинства (механическая устойчивость, отсутствие механического износа, меньший вес и габариты), так и свои специфические недостатки, ограничивающие область их применения.
Принцип функционирования Flash–накопителей связан с физическими процессами в запоминающих ячейках при операциях записи и стирания, и напрямую влияющих на их надежность. Flash–накопитель состоит из огромного количества таких ячеек, созданных на базе полевых транзисторов. Такой транзистор имеет главные электроды: сток и исток, а также управляющий и плавающий затвор (рис.2.4).
Физическим «носителем информации» в Flash–накопителе является электрический заряд (электроны). Для переноса заряда применяются два механизма: инжекция (перемещение) «горячих» электронов (hot–electron injection, HEI), и туннелирование Фаулера–Нордхейма (Fowler–Nordheim tunneling).