рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

СХЕМОТЕХНІКА КВАНТОВИХ АВТОМАТІВ

СХЕМОТЕХНІКА КВАНТОВИХ АВТОМАТІВ - раздел Образование, ОСНОВНІ ФУНКЦІЇ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Цифрові Та Логічні Схеми, Побудовані На Базі Квантових (Коміркових, Клітинних...

Цифрові та логічні схеми, побудовані на базі квантових (коміркових, клітинних або граткових) автоматів, складаються із взаємодіючих квантових точок або кулонівських острівці, розташованих у комірках. Тому їх звуть квантовими, або кулонівськими автоматами (КА).

Визначальною властивістю цього класу приладів є гуртова поведінка комірок. Стан та функції , які реалізує комірка , залежать не тільки від зовнішніх керуючих сигналів , а й електричного впливу оточуючих комірок , тобто:

 

на відміну від приладів з індивідуальною поведінкою:

 

Зазначені властивості обумовлюють переваги перших структур з КА над останніми, а саме: зменшення об’єму пам'яті функціональної комірки до мінімально припустимого (1 біт) та незалежність цього об'єму від числа напрямів передачі сигналів, більш висока структурна надійність, а також використання ефективних засобів налаштування, характерних для цього класу коміркових автоматів.

6.1. Формування та передача логічних сигналів у квантових автоматах

Квантові точки чи кулонівські острівці повинні бути власними напівпровідниками, тобто не мати вільних електронів провідності. У випадку металічних точок/острівців сигнал у лінійній послідовності КА вже згасає до четвертої комірки. Через напівпровідникові точки/острівці сигнал поширюється без згасання. Логічний стан комірки 0/1 визначається за розподілом електронів у вузлових точках або острівцях. Формують квантові точки за допомогою електронної літографії.

 

На рис.6.1 показана комірка розміром (50×50) нм з чотирма достатньо близько розміщеними квантовими точками. З цих точок електрони можуть здійснювати тунельні переходи по чотирьом кутовим позиціям при подачі вхідної (керуючої) напруги і/або під впливом електричних полів оточуючих комірок.

 

Рис.6.1. Комірка квантового автомату

Електростатична енергія, яка накопичена в структурі КА

E =min (6.1)

буде мати мінімальне значення тільки тоді, коли два електрони (n=2) знаходяться в діагональних квантових точках. В рівнянні (6.1) Q та C - величина заряду та загальна ємність рівноцінних квантових точок.

Через кулонівське відштовхування, яке спостерігається при T = 2мK, два електрони в КА можуть знаходитись тільки у двох стабільних станах, які зображено на рис.6.2: логічної одиниці(а) та логічного нуля (б).

 

Рис.6.2. Діагональне розміщення електронів на квантових точках в КА, які відповідають логічній одиниці (а) та нулю (б)

На рис.6.2 і далі не показані тунельні переходи, проте вони реально існують і через них змінюється стан КА. Обидва стани є рівноймовірними. Тому під дією вхідної напруги чи електростатичної взаємодії між сусідніми КА можливо перемикання станів одного КА і передача дискретної інформації у послідовно розміщених КА за принципом доміно. Сусідні КА підтримують один і той же стан електричної поляризації. Отже для кожного КА слід аналізувати його електричний стан з урахуванням оточуючих його з чотирьох сторін сусідніх КА.

На рис.6.3 побудовані різні конфігурації ліній передачі дискретної інформації на КА та графи їх з'єднувальних функцій. Ці КА поєднуються між собою конденсаторами, які для спрощення теж не наведені на цих схемах.

Передача логічної одиниці у першій лінії (рис.6.3, а) відбувається від джерела сигналу та за рахунок подальшого кулонівського одностороннього проштовхування електронів у сусідніх комірках. Тому логічна одиниця передається від комірки до комірки без перешкод з мінімальними втратами енергії.

Аналогічно на рис.6.3, б у місці відгалуження стан логічного нуля повторюється під дією поляризаційного впливу другої комірки зліва на сусідню справа, а та, в свою чергу, передає свій стан нагору до і праворуч до .

 


 

 

 

 

Рис.6.3. Монтаж ліній передачі дискретної інформації на квантових автоматах: зі зміною напрямку донизу на 90° (а), з відгалуженням (б) та двошаровий перетин ліній (в)

Для перетину двох контактних ліній передачі інформації (рис.6.3, в) створюють додаткову горизонтальну паралельну лінію КА на якій квантові точки розміщені на середині кожної сторони комірки. Через кулонівське відштовхування кожний автомат в цій лінії має протилежну поляризацію по відношенню до сусіднього. Сигнал зі входу передається по додатковій лінії, не втрачається у місці перетину та формується в аналогічний стан на виході .

За допомогою розглянутих з’єднувальних ліній конструюють різноманітні схеми на квантових автоматах.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ОСНОВНІ ФУНКЦІЇ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ

На сайте allrefs.net читайте: Контрольні завдання до вступу 1. ОСНОВНІ ФУНКЦІЇ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: СХЕМОТЕХНІКА КВАНТОВИХ АВТОМАТІВ

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

ОСНОВНІ ФУНКЦІЇ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ
Хоча мікро-/наноелектроніка не є синонім комп'ютерно-інформаційної техніки, але з невеликими застереженнями можна вважати їх майже повністю еквівалентними. Виділяють п'ять основних функцій інформац

ФУНДАМЕНТАЛЬНІ МЕЖІ МІНІАТЮРИЗАЦІЇ
На кожному напрямку розвитку наноелектроніки існує кілька груп розробок різного ступеня новизни та труднощів реалізації. У першу чергу доцільно уявити, які фундаментальні межі мініатюризації і чим

СХЕМОТЕХНІКА ОДНОЕЛЕКТРОНІКИ
В одноелектронних приладах контролюється переміщення малої кількості носіїв заряду, навіть одного електрона. В цифровій одноелектроніці один біт інформації подається одним електроном. В таких схема

СХЕМИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ НА КОМПЛЕМЕНТАРНИХ ТРАНЗИСТОРАХ
Вимоги зменшення потужності, часових меж перезарядки ємностей та балістичного руху носіїв заряду призвели до створення наноелектронних схем на комплементарних транзисторах. Комплементарні одноелект

СХЕМОТЕХНІКА МАЖОРИТАРНОЇ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ
Сигнал на виході мажоритарного елемента (МЕ) приймає значення, яке співпадає зі значеннями сигналів на більшості входів (мажоритарний принцип голосування). МЕ (рис.5.1) у порівнянні з базовими логі

Схеми на квантових автоматах
Для створення логічного інвертора на КА використовують чотири послідовно-паралельно розташовані лінії передачі (рис.6.4, а).   Рис.6.4. Схема виконання логічної операції запе

Контрольні завдання до глави 6
6.1. Побудувати лінію передачі на квантових автоматах з трьома поворотами на 90о (рис.6.3, а). 6.2. Побудувати лінію передачі на КА з відгалуженнями вниз та вгору (рис 6.3,б).

Контрольні завдання до глави 6
6.1. Побудувати лінію передачі на квантових автоматах з трьома поворотами на 90о (рис.6.3, а). 6.2. Побудувати лінію передачі на КА з відгалуженнями вниз та вгору (рис 6.3,б).

Схеми запам’ятовуючих пристроїв
У елементарних запам'ятовуючих елементах (ЕЗЕ) динамічних оперативних запам'ятовуючих пристроїв (ОЗП) інформація зберігається у стані заряду, накопиченому на нанорозмірному конденсаторі Сп

Контрольні завдання до глави 7
На базі одноелектронних транзисторів з пам’яттю створити програмовані схеми, які реалізують наступні функції та записати їх таблиці дійсності: 7.1. . 7.2. . 7.3. .

Схемотехніка двоканальних наноприладів
Зазвичай, схеми на двоканальних наноприладах моделюються графами переходів, які створюють дерева розв’язків, та дискретними функціями булевої алгебри.   8.1. Структура дерево

Контрольні завдання до глави 8
8.1. Знайти основні параметри деревоподібного графа розв’язань (рис.8.1), що має глибину 4, 5, (n+1). 8.2. Побудувати таблицю дійсності функції графа на рис.8.2. Побудувати графи

СХЕМОТЕХНІКА ГІБРИДНИХ НАНОЕЛЕМЕНТІВ
Зважаючи на раніше проаналізовані схеми, стає зрозумілим, що одноелектронні транзистори є найбільш перспективними базовими елементами цифрових та логічних наносхем через дискретний характер заряду

Контрольні завдання до глави 9
9.1. Навести форми вхідного, проміжного та вихідного сигналів із указанням числових значень амплітуд гібридної схеми на рис.9.1. Створити гібридні схеми на елементах ОЕТ-КМОН та записати п

Підсумки
Півсторіччя тому на кристалі кремнію вдалося розмістити лише один винайдений на той час біполярний транзистор. Це диво ХХ століття замінило диво ХІХ століття – електронну лампу. Сьогодні, на початк

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги