Характеристиками транзисторів називаються залежності між силами струмів і напругами у вхідному й вихідному колах. У різних схемах приєднання транзистора вхідні й вихідні кола різні, отже, й характеристики являють собою залежності різних параметрів.
Так, для схеми зі спільним емітером (СЕ) вхідним колом є базове коло і вхідна характеристика являє собою залежність сили базового струму від напруги емітер — база за сталої напруги між емітером і колектором: Іб = f (Ue-б) при Ue-к = const.
Вихідним колом для цієї схеми є коло колектора і вихідною характеристикою буде залежність сили колекторного струму від напруги емітер — колектор за незмінної сили базового струму: Ік = f (Uе-к) при Іб — const. На мал. 2.11 показано приблизний вигляд вхідних і вихідних характеристик транзистора р — п — р-типу. За малих значень напруги між емітером і базою (Ue-r,) сила базового струму зростає повільно через великий опір р — п-переходу, який зі збільшенням сили струму зменшується.
Малюнок 2.11 Вхідні і вихідні характеристики транзистора для схеми з
СЕ; (а) вхідна характеристика; (б) вихідна характеристика.
Зі збільшенням колекторної напруги Uе-к вхідні характеристики зміщуються праворуч, тобто зі збільшенням Uе-к потрібно збільшити напругу, для того щоб сила базового струму залишалася незмінною. Вихідні характеристики показують, що в робочій ділянці напруга Uе-к незначною мірою впливає на силу колекторного струму Ік, оскільки вона залежить переважно від кількості дірок, що інжектуються в базу, тобто від сили емітерного струму.