Конструкція біполярних транзисторів

 

Біполярні транзистори виготовляють з германію та кремнію. Як приклад, розглянемо будову площинного германієвого транзистора р — п —р-типу (мал. 2.17). Базою служить пластина 3 з кристаліч­ного германію з електронною провідністю, 3 двох боків у пластину вплавлені індієві електроди — емітер 6 і колектор 8.

 

 

Малюнок 2.17 Схема будови площинно­го германієвого транзистора р- п- р-типу.

 

Під час плав­лення індію між кожним із цих електродів і германієвою пластиною (базою) утворюються ділянки з дірковою провідністю та емітерний 7 і колекторний 2 р-n-переходи. Колектор 8 закріплюється на кристалотримачі 1, від якого назовні про­ходить колекторний вивід 9. Виводи емітера 5 та бази 4 ізольовані від корпусу скляними прохідними ізоля­торами. Транзистор розміщують у металевому корпусі.

Порівняно з електронними лампа­ми транзистори мають такі переваги: відсутність кола розжарення, отже, спрощеність схеми й відсутність споживання потужності для розі­грівання катода; велика механічна міцність і довговічність; постійна готовність до роботи; малі габарити й маса; низька напруга жив­лення та високий ККД.

До недоліків транзисторів належать залежність режиму роботи від температури навколишнього середовища; невелика вихідна по­тужність; чутливість до перевантажень; розкид параметрів, внаслідок чого окремі транзистори одного типу значно відрізняються між собою за своїми параметрами; значна відмінність між вхідними та вихідними опорами.