Оптоелектронні елементи

 

Оптоелектронні елементі використовують перетворення електричних сигналів в оптичні і містять джерело світла (ДС) та приймач світла — фотоприймач (ФП), які поєднані між собою оптичним середовищем (рис.2.35). Такі елементи називають оптронами (оптопарами).

Як джерело світла використовується інфрачервоний випромінювальний діод, світлодіод або напівпровідниковий лазер. Для фотоприймача використовують фоторезистори (мал. 2,42, б), фотодіоди (мал. 2,42, в), фототранзистори (мал. 2,42, г) і фототиристори (мал. 2,42, д).

 

Малюнок-2.35 Структура оптрона (а), схемне зображення

фоторезисторного (б), фотодіодного (в),

фототранзисторного (г) і фототиристорного

(д) оптронів

Основною ознакою оптрона є великий опір ізоляції між вхідними і вихідними електричними колами, що становить (10¹² ÷ 10²⁴) Ом. Це дає змогу за допомогою сигналів малої потужності керувати високими напругами до 1500 В і струмами до 300 А. До характеристик оптопар також відносять коефіцієнт пересилання за струмом К_і (від сотих у фотодіодних до 10 у фототранзисторних) і час перемикання (від 2-10^-3 с у фототранзисторних до 10^-8 с у фотодіодних).

 

Маркування оптронів здійснюється так:

· перша літера — матеріал напівпровідника (найчастіше використовуваний — сполуки галію, тоді літера А)

· друга літера — О (оптопара);

· третя літера — тип фотоприймача (Д — фотодіод, Τ — фото-транзистор, У— тиристор, Ρ — з відкритим оптичним каналом);

· три цифри — номер приладу;

· остання літера — класифікація за параметром.

Якщо на оптопарі є напис АОТ121Б, то це — оптопара діод-транзистор на сполуці галію, номер 121 Б, група параметрів Б.