ПРИКЛАДИ ДО РОЗДІЛУ

 

Задача 2.1. Вибрати тип діода для електротехнічного пристрою, щоб забезпечити струм у навантаженні І = 0,27 А. Напруга, що прикладається до діода у закритому стані U = 40 В.

Розв'язок: Основними параметрами, за якими вибирають діод є Іпр.доп та Uзв.доп, тому для вибору типу діода необхідно, щоб допустимий прямий струм діода був більший за струм навантаження Іnp.don І, а допустима зворотна напруга перевищувала напругу, прикладену до діода у закритому стані Uзв доп ≥ U . Як видно, таким умовам задовольняє діод типу Д7А, Іпр.доп = 0,3 А; Uзв.доп = 50 В.

Задача 2.2. Вибрати тип тиристора для електротехнічного пристрою, щоб забезпечити струм у навантаженні І =17 А. Напруга, що прикладається до тиристора у закритому стані U=160 B.

Розв'язок:Основними параметрами, за якими вибирають тиристор є Імакс.доп та Uмакс.зв. Щоб вибрати тиристор (див. Додатки) необхідно забезпечити виконання умов: Імакс допІ та Uмакс.допU. Таким умовам задовольняє тиристор Т122-20, Імакс доп = 20 А; Uзв.доп=200 В.

Задача 2.3. Визначити струм бази біполярного транзистора КТ501Г, увімкненого за схемою із спільним емітером, якщо у відкри­тому стані струм колектора 240 мА.

Розв'язок: В паспортних даних транзистора КТ501Г (див. Додатки) задано статичний передатний коефіцієнт за струмом транзистора, увімкненого із спільним емітером h2lE = 20 ÷ 60 (приймаємо h21Е = 40). На підставі залежності струмів бази та колектора обчислюємо струм бази за виразом

.

Задача 2.4. За вихідними характеристиками біполярного транзис­тора, увімкненого за схемою із спільним емітером, визначити коефі­цієнт підсилення за струмом для UКЕ = 5,5 В, IБ = 0,7 мА.

Розв'язок: На вихідній характеристиці проводимо вертикальну лінію, що відповідає напрузі UKE = 5,5В і знаходимо точки перетину Κ і N з вихідними характеристиками для IБ1 = 0,6 мА, 1Б2=0,8 мА. Далі знаходимо значення струму колектора в цих точках: IК(К)= 32 мА, IK(Ν) = 21 мА і визначаємо зміну струму колектора ΔΙκ = (К) - (Ν) = 11 мА. Оскільки вихідні характеристики транзистора побудовані для струмів бази з кроком 0,2 мА, то зміна струму бази IБ = 0,2 мА.

Визначаємо коефіцієнт підсилення транзистора за струмом