Малюнок 3.2-Типи корпусів ІМС

 

Слід зазначити також, що конструктивні характеристики корпуса (особливо по габаритах і розташуванню висновків) повинні створювати зручності при монтажі ІС на друкованій платі.

 

 

3.3 Напівпровідникові ІМС

 

На відміну від гібридних ІМС, напівпровідникові виконуються на ос­нові кристалу НП, де окремі його області виконують ролі транзисторів, діодів, конденсаторів, резисторів і т. ін., які з'єднуються за допомогою алюмінієвих плівок, що наносяться на поверхню кристалу.

Електронні пристрої на напівпровідникових ІМС можуть мати щільність монтажу до 500 елементів у 1 см³ і цей параметр з року в рік зростає. Середній час безвідмовної роботи пристрою, що має ІО⁷ -ІО¹⁰ елементів, досягає ІО³ -ІО⁴ годин.

Для виготовлення напівпровідникових ІМС пластини кремнію товщиною не більш 30-50 мкм і діаметром 50-100 мм, що утворять підкладку. На поверхні або в обсязі таких підложок формуються елементи напівпровідникової ІМС. В основі формування елементів на підкладці лежить планарна технологія, що дозволяє груповим методом опрацьовувати одночасно кілька десятків підкладок із сотнями і тисячами напівпровідникових ІМС на кожній. Елементи виготовлені по планарній технології, мають плоску структуру: р-n-переходи і відповідні контактні площадки виходять на одну площину підкладки (мал.3.3). Захисна плівка з двоокису кремнію SiO₂, нанесена на поверхню підкладки, служить для захисту р-п- переходів

Малюнок 3.3-Структура ІМС

Після закінчення технологічного циклу підкладки розрізають алмазним різцем або лазерним променем на окремі кристали, що представляють собою напівпровідникові ІМС. Перед поділом підкладки на окремі кристали виробляється вимір електричних параметрів напівпровідникових ІМС.

Найбільш часто застосовуваними і найбільш складними елементами напівпровідникових ІМС є транзистори. Домінуюче положення в напівпровідникових ІМС займають біполярні і польові (з МОН-структурою) транзистори. Напівпровідникові ІМС на основі МОН-транзисторів мають більш просту технологію виготовлення, меншими розмірами елементів і більшим ступенем інтеграції. Особливо значні переваги МОН-технології в ВІС. Однак по швидкодії напівпровідникові ІМС на МОН-транзисторах поступаються біполярним.

Для виготовлення транзисторів, як і для виготовлення інших елементів напівпровідникових ІМС і міжелементних з'єднань, у даний час використовується кілька різновидів планарної технології. Найбільш широко застосовується планарно-дифузійна планарно-епитаксіальна технологія з ізоляцією елементів за допомогою зворотньозміщених р-n- переходів: