Вольт-амперна характеристика показує залежність струму струм через р-п перехід від величини і полярності прикладеної напруги. Цю залежність виражають формулою
(1.5)
де
Ін - зворотній струм насичення р - п переходу, залежить від властивостей напівпровідника.
U - напруга прикладена до р-п переходу;
е - основа натуральних логарифмів .
При позитивних (прямих) напругах (е40u >> 1) струм через р-п перехід різко
збільшується (мал.1.7).
Малюнок 1.7- Вольт-амперна характеристика р-п переходу
При негативних (зворотніх) напругах величина стає значно менше одиниці. При цьому
І=ІзворІд.
Тобто зворотній струм дорівнює струму насичення і в деякому інтервалі залишається постійною величиною.
При зростанні від нуля зворотньої напруги Uзв, швидкість руху головних носіїв через перехід зростає. При Uзв=Uп швидкість рухомих носіїв така, що їх енергії вистачає для виникнення в матеріалі ударної іонізації - вибивання додаткових носіїв заряду. Внаслідок цього відбувається лавиноподібний ріст зворотнього струму. Це явище називається електричним пробоєм р-п переходу, a U - напругою пробою. Якщо при цьому р-п перехід ефективно охолоджується, різке зростання потужності, що в ньому виділяється (), не призводить до суттєвих змін напівпровідникової структури і електричний пробій протікає при незмінній напрузі. Це явище має зворотний характер. Тобто, при зниженні Uзв запірні властивості р-п переходу відновлюються (гілка 2 ΒΑΧ).
Явище електричного пробою використовується, наприклад, при створенні такого НП приладу, як стабілітрон.
При неефективному тепловідведенні, температура структури зростає (кількість рухомих носіїв при цьому збільшується за рахунок теплової генерації), доки електричний пробій не переходить у тепловий, коли матеріал розплавляється і р-п перехід руйнується. Тепловий пробій, зрозуміло, незворотний (гілка З ΒΑΧ).
Отже, р-п перехід - це явище, що виникає на межі двох НП різного типу провідності і характеризується відсутністю у прилеглій до цієї межі зоні вільних носіїв заряду, через що її опір нескінченний. Тому р-п перехід ще називають запірним шаром.
Зазначимо властивості р-п переходу, які використовуються при побудові електронних НП приладів:
-одностороння провідність (вентильні властивості);
-дуже великий опір зони р-п переходу як зони, де немає вільних носіїв
заряду (запірні властивості);
-зміна ширини р-п переходу зі зміною величини зворотної напруги
(як результат - зміна ємності р-п переходу);
-стабільність напруги на р-п переході в режимі електричного пробою;
-наявність неосновних носіїв (що виникають внаслідок теплової
генерації) в шарах р- і п-типу.