Итоги лекции N 14

1. Атомы пятивалентных элементов, таких как фосфор (Р), мышьяк (As), сурьма (Sb), добавленные в кристаллическую решетку четырехвалентных полупроводников германия (Ge) или кремния (Si), называются донорными примесями.
2. Каждый атом донорной примеси может поставить в зону проводимости один электрон. Полупроводник с донорной примесью называется полупроводником n-типа, т.к. носителями заряда в этом случае яляются электроны, заряд которых отрицателен (от лат. negativ - отрицательный).
3. Энергия связи донорного электрона с ионным остатком ~ 10^-2 эВ, поэтому при комнатных температурах все донорные электроны переходят в зону проводимости (полная ионизация доноров). Вследствие этого примесная электронная проводимость не зависит от температуры, а определяется только концентрацией доноров.
4. Атомы трехвалентных элементов, таких как бор (В), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In), добавленные в кристаллическую решетку четырехвалентных полупроводников германия (Ge) и кремния (Si) называются акцепторными примесями.
5. Каждый атом акцептора может забрать из валентной зоны один электрон, создавая в ней носитель положительного заряда - дырку. Такой примесный полупроводник называется полупроводником р-типа (от лат. positiv - положительный).
6. Энергия, необходимая для ионизации акцептора невелика (~10^-2 эВ), поэтому уже при комнатных температурах все акцепторы будут ионизированы. Вследствие этого дырочная проводимость не будет зависеть от температуры, а определяется только концентрацией акцепторов.
7. Контакт из двух примесных полупроводников с разным типом проводимости называется p-n-переходом. Такой переход обладает односторонней проводимостью. На основе свойств p-n перехода работает полупроводниковый диод.
8. Прибор, состоящий из двух p-n переходов, созданных в одном кристалле, называется полупроводниковым триодом или транзистором. Транзистор используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.