рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Краткие сведенья из теории

Краткие сведенья из теории - Методические Указания, раздел Информатика, Метрология и информационно-измерительные технологии Стабилитроном Называют Кремниевый Полупроводниковый Диод, Вах Которого Имеет ...

Стабилитроном называют кремниевый полупроводниковый диод, ВАХ которого имеет участки малой зависимости напряжения от тока (рис. 5.1).

Рисунок 5.1 – Вольтамперная характеристика стабилитрона

На обратной ветви таким участком является участок D-F. При значительных изменениях напряжения напряжение на стабилитроне изменяется незначительно от до . При этом обратный ток через стабилитрон изменяется от до . На участке D-F стабилитрон работает в режиме неразрушающего электрического пробоя; при этом электрический пробой в тепловой не переходит. Он наступает на участке F-H.

Основными параметрами стабилитронов являются: ‑ номинальное напряжение стабилизации, соответствующее номинальному току стабилизации ; ‑ разброс напряжения стабилизации – это интервал напряжения стабилизации , в пределах которого оно находится

.

‑ интервал тока стабилизации

где ‑ максимально допустимый ток стабилизации, при превышении которого наступает разрушающий тепловой пробой (точка F на рис. 5.1);

‑ минимально допустимый ток стабилизации, ниже которого сопротивление стабилитрона резко возрастает и уменьшается (точка D на рис. 5.1);

‑ средний температурный коэффициент напряжения стабилизации, показывающий, на сколько процентов изменяется при изменении температуры на 1°C.

;

‑ дифференциальное сопротивление, определяющее стабилизирующие свойства стабилитрона и показывающее, в какой степени зависит от

.

Определение дифференциального сопротивления стабилитрона производится путём построения треугольника в районе точки E с . Чем меньше размеры треугольника DFG (рис.5.1), тем точнее определяется . Треугольник, с помощью которого вычисляются нужные параметры на вольтамперных характеристиках, называется характеристическим.

В первом квадранте ВАХ на рис 5.1 приведена прямая ветвь стабилитрона. Видно, что при значительных изменениях прямого напряжения
‑ прямое напряжение на диоде изменяется незначительно от до , при этом прямой ток через диод изменяется от до . Дифференциальное сопротивление диода при прямом включении вычисляется с помощью характеристического треугольника ACI (рис. 5.1)

.

Диоды, обладающие малой зависимостью от , применяются для стабилизации малых сопротивлений и называются стабисторами.

Стабилитроны применяются для стабилизации напряжения в широких приделах. Стабилизаторы напряжения на основе стабилитронов называются параметрическими стабилизаторами (рис. 5.2).

Рисунок 5.2 – Схема параметрического стабилизатора напряжения

 

Основным параметром параметрического стабилизатора напряжения является коэффициент стабилизации , представляющий отношение относительного изменения входного напряжения к относительному изменению выходного напряжения

.

При подключении стабилитрона к источнику постоянного напряжения через резистор получается простейшая схема параметрического стабилизатора (рис. 5.3). Ток стабилитрона может быть определен вычислением падения напряжения на резисторе R

Іст = (Е – Uст)/R, (5.1)

где Е ‑ напряжение источника питания.

Напряжение стабилизации стабилитрона определяется точкой на вольтамперной характеристике, в которой ток стабилитрона резко увеличивается. Мощность рассеивания стабилитрона Рст вычисляется как произведение тока на напряжение

Рст =.

Дифференциальное сопротивление стабилитрона вычисляется так же, как для диода, по наклону вольтамперной характеристики.

Рисунок 5.3 – Схема параметрического стабилизатора напряжения

 

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Метрология и информационно-измерительные технологии

Методические указания к лабораторным работам По курсу для бакалавров направления подготовки 6.051001 «Метрология и информационно-измерительные технологии». Национальный технический университет.. Харьковский политехнический институт.. Методические указания к лабораторным работам По курсу для..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Краткие сведенья из теории

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

По курсу
«МИКРО - И НАНОЭЛЕКТРОНИКА» для бакалавров направления подготовки 6.051001 «Метрология и информационно-измерительные технологии» дневного и заочного отде

Основные принципы создания схемы
Работа с электронной системой моделирования EWB включает в себя три основных этапа: создание схемы, выбор и подключение измерительных приборов, и, наконец, активация схемы – расчет процессов, проте

Описание основных элементов библиотеки
В электронной системе Electronic Workbench имеется четырнадцать разделов библиотеки компонентов, которые могут быть использованы при моделировании. Ниже приводится краткая справка по основным компо

Мультиметр (Multimetr)
Мультиметр используется для измерения: напряжения (постоянного и переменного); тока (постоянного и переменного); сопротивления; уровня напряжения в децибелах. Для настро

Функциональный генератор (Function Generator)
Функциональный генератор является идеальным источником напряжения, который вырабатывает сигналы синусоидальной, прямоугольной или треугольной формы. На экран выводится уменьшенное изображение генер

Осциллограф (Oscilloscope)
Виртуальный осциллограф, который имитируется программой Electronіcs Workbench, представляет собой аналог двухлучевого запоминающего осциллографа и имеет две модификации: простую и расширенную. Из-з

Измеритель ачх и фчх (bode plotter)
На схему выводится уменьшенное изображение измерителя АЧХ и ФЧХ(рис. 12). Подключение прибора к исследуемой схеме осуществляется с помощью зажимов IN (вход) и OUT (выход).

Постоянного напряжения
Собрать схему в соответствии с рис.1.3. Источник питания +12V и заземление (обязательное в большинстве схем) переносится при помощи манипулятора мышь c панели источники (Sourсes

Эксперимент 2. Измерение величины постоянного тока
Собрать схему в соответствии с рис.1.4. Мультиметр должен быть включен в режиме измерения силы тока (А). Получить значение величины постоянного тока I = 12.00 mA. Изме

Эксперимент 3. Измерение сопротивления омметром
Собрать схему в соответствии с рис 1.5. Мультиметр в режиме измерения сопротивлений (Ω). Получить заданное значение сопротивления R =1.0000 кОм Изменить величину

Краткие сведенья из теории
Одним из видов преобразований сигнала является изменение его амплитуды. Обычно – это получение данного напряжения Uвых из большего по величине Uвх. Эта операция выполняется де

Эксперимент 1. Исследование резистивного делителя напряжения
1. Соберите схему делителя напряжения, представленную на рис. 2.1. при R1 = R2 = 10 кОм. Подайте на него напряжение UВХ (варианты напряжений приведены в табл.2.1).

Краткие сведения из теории
1. Комплекс емкостного сопротивления , (3.1) где хС ‑ модуль емкостного сопротивления вычисляется по форм

Эксперимент 1. Резистор на переменном токе
Исходные данные: Частота f = 50 Гц, R1 = 1 Ом. Действующее значение напряжения Е, В и величину сопротивления R2, Ом взять из табл.3.1. 1.1. Измерение действующего знач

Эксперимент 2. Конденсатор на переменном токе
Исходные данные:Частота f = 50 Гц, R1 = 1 Ом. Действующее значение напряжения Е, В и величину емкости С1, мкФ взять из табл.3.3. 2.1.

Эксперимент 3. Катушка индуктивности на переменном токе
Исходные данные: Частота f = 50 Гц, R1 = 1 Ом. Действующее значение напряжения Е, В и величину индуктивности L1, мГн взять из табл.3.5.

Эксперимент 4. RC-цепь на переменном токе
Исходные данные: Частота f = 50 Гц, R1 = 1 Ом. Действующее значение напряжения Е, В, величину сопротивления R2, Ом и величину емкости С1, мкФ взять из табл.3.7.

Эксперимент 5. RL-цепь на переменном токе
Исходные данные: Частота f = 50 Гц, R1 = 1 Ом. Действующее значение напряжения Е, В, величину сопротивления R2, Ом и величину индуктивности L1, мГн взять из табл.3.9.

Краткие сведенья из теории
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на явлениях, происходящих на границе двух полупроводников с различными видами проводимости: p-типа и n-типа. Переход между д

Тока через диод
1. Соберите схему, представленную на рис. 4.6. Включите схему. Мультиметр покажет напряжение на диоде Uпр при прямом смещении. Переверните диод и снова запустите схему. Теперь мультиметр

Эксперимент 4. Снятие вольтамперной характеристики диода
1. Прямая ветвь ВАХ. Соберите схему, представленную на рис. 4.8. Включите схему. Последовательно устанавливая значения ЭДС источника Е, В из табл. 4.2, запишите полученные значения напряже

Через стабилитрон
Соберите схему, представленную на рис. 5.3. Тип стабилитрона, для соответствующего варианта представлен в таблице 5.1. Для всех экспериментов использовать выбранный тип диода. Таб

Параметрического стабилизатора
Соберите схему, представленную на рис. 5.3. 1. Подключите резистор RL =75 Ом параллельно стабилитрону. Значение источника ЭДС установите равным 20 В. Включите с

Краткие сведения из теории
Для преобразования переменного напряжения в постоянное напряжение применяют выпрямительные устройства. В выпрямительное устройство обычно входят трансформатор, один или несколько диодов, сглаживающ

С отводом от средней точки трансформатора
Двухполупериодная схема с выводом от средней точки, изображена на рис. 6.7, обеспечивает больший коэффициент использования трансформатора и меньший, по сравнению с однополупериодным выпрямителем, у

Биполярные транзисторы
Различают кремниевые и германиевые транзисторы. Они бывают p-n-p и n-p-n типа, на рис. 7.1 показаны их обозначения. Биполярный транзистор можно рассматривать как д

Полевые транзисторы
Полевой транзистор управляется электрическим полем, практически без затраты мощности управляющего сигнала. Среди полевых транзисторов различают шесть типов, их условные обозначения в электрических

Эксперимент 5. Определение зависимости выходного напряжения от входного для схемы с общим истоком и истокового повторителя
Схема с общим истоком соответствует схеме с общим эмиттером для биполярного транзистора. Схема с общим истоком (истоковый повторитель) обладает значительно большим сопротивлением, чем схема с общим

Краткие сведения из теории
Интегрирующие и дифференцирующие цепочки широко применяются в импульсной технике для следующих целей: Интегрирующая цепочка: - для получения сигналов, пропорциональных интегралу о

Интегрирующие и дифференцирующие цепи
  Рисунок 8.1 ‑ Дифференцирующая RC-цепь   Напряжение на резисторе R (рис.8.1)

Постоянная времени
Произведение τ = RC называют постоянной времени цепи. Если R измерять в Омах, а С – в Фарадах, то произведение RC будет измеряться в секундах. Для конденсатора емкостью 1 мкФ, подключ

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги