Физические основы действия современных компьютеров

Московский Государственный Открытый Педагогический Университет физико-математический факультет Физические основы работы современного компьютера Курсовая работа Выполнил Гуревич Г.А. 4 курс заочной формы обучения Проверил Зайцев Г.О. Москва, 2000 Введение 3 Двоичная система счисления и логика. 3 Схема действия компьютера. 4 Долговременная память. 4 Накопители на магнитных дисках и лентах. 4 CD и DVD-ROM. 5 Полупроводниковые устройства. 6 Биполярные транзисторы. 8 Полевые транзисторы 10 Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах. 11 Оперативная память. 12 Статическое ЗУ 14 Динамическое ОЗУ 15 Системная память взгляд в будущее 16 Шесть технологий памяти будущего. Определения 18 Центральный процессор. 20 Новые технологии. 21 Медные соединения 23 SiGe 24 Кремний на изоляторе silicon-on-insulator, SO24 Перовскиты 25 Заключение 25 Список использованной литературы 26 Введение Сейчас, когда человечество входит в третье тысячелетие, для обитателей мегаполисов незаменимой вещью, фактически правой или левой рукой стал компьютер. Однако, очень мало кто действительно представляет себе, как работает этот черный ящик . В данной работе мы попытаемся описать не только структурное устройство компьютера, но и продемонстрировать, благодаря каким физическим законам он действует.

Двоичная система счисления и логика

Таким образом, в один байт можно записать 256 разных значений, что впо... Как же эти нулики и единички циркулируют в компьютере . и еще место осталось. Тем не менее, подобные попытки все же предпринимались, и компьютеры, и... Почему же была избранна именно двоичная система счисления Дело в том, ...

Схема действия компьютера

Строго говоря, поименованные накопители, которые вошли в устройства вв... Память оперативная это буфер для содержания непосредственно необходимы... Именно центральный процессор занимается счетом и решением логических з... Как функционирует процессора мы рассмотрим ближе к концу данного труда... Схема действия компьютера. В общем и целом, компьютер состоит из устро...

Долговременная память

Долговременная память.

Накопители на магнитных дисках и лентах

Толщина диска1.2 мм1.2 ммСтруктура дискаОдин слойДва слоя по 0.6 ммДли... Числовая апертура0.450.60Ширина дорожки1.6 мкм0.74 мкмДлинна единичног... Бегло рассмотрим параметры современных магнитных дисков. Сравнительные характеристики этих накопителей CDDVDДиаметр диска120 мм... Суть его заключается в намагничивании областей на носителе ленте, диск...

Полупроводниковые устройства

При отсутствии электрического поля свободные электроны и дырки соверша... Наличие объемных зарядов и электрического поля в обедненном слое прида... Физические характеристики, такие как ток пробоя, допустимые температур... Можно также упомянуть, что каждый транзистор обладает рядом параметров... предельным характеристиками предельной температурой переходов для крем...

Реализация других полупроводниковых приборов в интегральных схемах

Диоды b и e на основе коллекторного перехода имеют наибольшее обратное... Оперативная память. Расположены они, как уже упоминалось, в виде матрицы, на пересечении с... Адресные входы матриц-накопителей соединяются параллельно и подключают... Например, при коде адреса 0000 сигналы единичного уровня появятся на ш...

Статическое ЗУ

При нулевом сигнале ЗС и сигнале ВМС открывается схема вывода информац... Через шину ввода-вывода и открытый ключ выборки столбца информация чер... Для обращения к такому ОЗУ необходимо подвести к нему сигнал разрешающ... Статическое ЗУ. Схема работы статической памяти. .

Динамическое ОЗУ

В ней необходимо иметь 64 усилителя считывания, и два шестиразрядных р... Одновременно запускаются формирователи F1 и через него - F2, управляющ... Также от F1 селектором строк разрядные шины подключается к конденсатор... Информация считывается. С окончанием тактового сигнала все узлы микрос... Этот цикл идет когда нет разрешающего сигнала ВМС.

Системная память взгляд в будущее

Мур оказался прав. Емкость одной микросхемы DRAM увеличилась с 1Мбит до 64Мбит. Кроме того, добавляется новый интерфейс и управляющая логика, позволяя... Третий вид RDRAM - Direct RDRAM, находится в стадии разработки, а его ... Однобанковый модуль RDRAM будет обеспечивать скорость передачи 1.6Гбай...

Новые технологии

По специальным знакам, заранее сформированным на поверхности пластины,... Поверхность пластины тщательно очищается, чтобы вместе с примесями в к... Медь является лучшим проводником, чем алюминий удельное сопротивление ... Практические результаты по этой технологии стали появляться с конца 80... Результатом применения становится увеличение скорости чипов в 2-4 раза...

Заключение

Заключение Таким образом, в данной работе были рассмотрены технологические и физические основы производства и действия приборов, входящих в современный компьютер. Впрочем, с учетом скорости развития данной области знаний и данной области промышленности, данная работа и так практически не содержащая ничего нового скорее всего устареет окончательно лет через 5-10.

Список использованной литературы

Список использованной литературы 1 В.И. Федотов Основы электроники ВШ , 1990 2 Л.Н. Преснухин Микропроцессоры ВШ , 1986 3 Знакомьтесь, Компьютера, под ред. к.т.н Курочкина, Мир, 1989 4 www.ixbt.ru Статьи Ященко А. и др. 5 www.toshiba.com 6 www.acer.com 7 www.intel.com.