Двупроводниковые тензодатчики. Тензорезистивные свойства полупроводникового кремния и германия были обнаружены в 1959 году. В 1960 году началось серийное производство полупроводниковых тензодатчиков.
Основной элемент полупроводникового тензодатчика - сверхтонкая прямоугольная плёнка монокристалла кремния, Прикреплённая для удобства обращения к подложке. Сопротивление кремния превосходит в 103 раз сопротивления константана, используемого в фольгованных датчиках. Поэтому в полупроводниковых тензодатчиках не применяется конфигурация решётки. Для создания начального сопротивления 102105 Ом. Поскольку кремний - анизотропный материал, то чувствительность тензодатчика зависит от ориентации элемента по отношению к осям кристалла.
Тензочувствительность зависит также от типа проводимости и содержания примесей. Для создания положительной проводимости р-типа, тензодатчик с положительной чувствительностью используют бор, а отрицательной n-типа, тензодатчик с отрицательной чувствительностью - мышьяк. Столь высокая тензочувствительность в сочетании с большим удельным сопротивлением используется 1 для измерения чрезвычайно малых деформаций 2 для создания чувствительных элементов миниатюрных датчиков 3 для создания датчика с высоким уровнем выходного сигнала. 7.9