Влияние температуры на полупроводниковый тензодатчик

Влияние температуры на полупроводниковый тензодатчик. Тензочувствительность низколегированный полупроводниковых материалов концентрация n1019 атом см3 - концентрация примеси зависит как от температуры, так и от деформации.

С увеличением концентрации до 1020 увеличивается стабильность Sk, снижается температурный коэффициент сопротивления. 0.009С-1n 1018 0.00036С-1n 1017 Температурная компенсация одноэлементного полупроводникового тензодатчика с p-проводимостью невозможна.

Один из методов температурной компенсации состоит в применении пары тензодатчиков, у которых один материал имеет р-проводимость, а другой - n-проводимость, причём оба имеют идентичные температурные коэффициенты сопротивления. Оба датчика включаются в соседние плечи измерительного моста и благодаря этому температурная зависимость выходного сигнала компенсируется. Температурное компенсационное сопротивление одноэлементного датчика может быть достигнута для материалов с отрицательной проводимостью и положительным температурным коэффициентом сопротивления. 7.10