Плотность дислокаций – это число линий дислокаций, пересекающих единичную площадку в кристалле, ее размерность в СИ – это м -2 (обычно измеряется в см -2). Плотность дислокаций – это важнейшая техническая характеристика качества кристалла. Согласно строгому определению, плотность дислокаций – это общая протяженность линий дислокаций в единице объема кристалла.
В кристаллах, выращенных обычными методами кристаллизации из расплава, плотность дислокации составляет (104¸106) см –2. Путем отжига можно понизить эту плотность до (103¸104) см –2. В результате пластической деформации плотность дислокаций быстро возрастает на несколько порядков. Наилучшие полупроводниковые кристаллы характеризуются плотностью дислокаций (102¸103) см-2. В последнее время удается вырастить бездислокационные кристаллы.