В качестве неорганического электроизоляционного материала в электролитических конденсаторах и элементах интегральных схем, а также для изоляции алюминиевых проводов и лент нашли широкое применение пленки оксидов алюминия (А12О3), тантала (Ta2O5), титана (ТiO2), ниобия (Nb2O3) и др.
Тонкая неорганическая пленка может быть образована двумя основными способами:
1) в результате химической или электрохимической реакции поверхностного слоя проводникового материала, 2) путем осаждения диэлектрика на поверхность изолируемого материала.
Наиболее широко применяют оксидную изоляцию в электролитических конденсаторах. В качестве диэлектрика в этих конденсаторах используют следующие оксиды: А12O3 (e »10, Enp = 400— 800 МВ/м); Ta2O5 (e » 25, Enp = 400—500 МВ/м); Nb2O5 (e » 40, Enp » 400 МВ/м); TiO2 (e » l80, Enp » 400 МВ/м). Оксидные конденсаторы при малых размерах и массе имеют высокую емкость, благодаря малой толщине (до 1 мкм) диэлектрика и значительной диэлектрической проницаемости. Оксиды кремния, тантала, ниобия применяют также для изготовления тонкопленочных конденсаторов, диэлектриком в которых является пленка из этих оксидов, наносимая методами вакуумной технологии на проводящую подложку.
Алюминиевые провода и ленты, покрытые пористой оксидной пленкой, полученной анодированием, применяют как заменители обмоточных медных проводов с обычными видами изоляции. Они имеют высокую нагревостойкость (рабочая температура достигает 600 °С), малую толщину оксидной изоляции, высокие теплопроводность и химическую стойкость; процесс изолирования дешев и прост. Недостатком такой оксидной изоляции является ее малая гибкость и заметная гигроскопичность.
В полупроводниковой технологии для защиты р-n-переходов от воздействия окружающей среды (прежде всего влаги и кислорода) кроме лаков, эмалей, компаундов, нитридных пленок применяют пленки на основе оксидов алюминия, титана и др. Пленки для защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов кроме высоких электроизоляционных свойств должны обладать малой химической активностью; иметь хорошее сцепление с полированной поверхностью полупроводникового материала: не вызывать значительных механических напряжений при резких изменениях температуры; сохранять защитные свойства в диапазоне температур от—60 °С до +400 °С.