Реферат Курсовая Конспект
Диэлектрические материалы - раздел Энергетика, Диэлектрические Материалы...
|
Диэлектрические материалы
Физические процессы в диэлектриках
Основные понятия
Диэлектриками называют материалы, основным электрическим свойством которых является способность к поляризации и в которых возможно существование электрического поля.
Согласно зонной теории твердого тела диэлектрики – это вещества, у которых запрещенная зона настолько велика, что в нормальных условиях электропроводность в них отсутствует.
Реальный (технический) диэлектрик тем более приближается к идеальному, чем меньше его удельная проводимость и чем слабее у него выражены замедленные виды поляризации, связанные с рассеиванием электрической энергии и выделением тепла.
При практическом применении диэлектриков – одного из наиболее обширных классов электротехнических материалов – достаточно четко определились потребности электротехники в использовании пассивных или активных свойств этих материалов.
На использовании пассивных свойств диэлектрических материалов основано их применение в электротехнике в качестве электроизоляционных материалов и диэлектриков конденсаторов обычных типов. Электроизоляционными материалами называют диэлектрики, которые применяют для устранения утечки электрических зарядов в электротехнических устройствах. В этих случаях величина диэлектрической проницаемости должна быть возможно меньшей, чтобы не вносить в схемы паразитных емкостей. При использовании диэлектрических материалов в качестве диэлектрика конденсатора необходимо иметь материал с как можно большей величиной диэлектрической проницаемости.
Поляризация диэлектриков.Поляризация – это процесс, состоящий в ограниченном смещении или ориентации связанных зарядов в диэлектрике при воздействии на него внешнего электрического поля. Положительные заряды смещаются в направлении вектора напряженности поля Е, отрицательные - в обратном направлении (рис 2.1).
Поляризация приводит к образованию в объеме диэлектрика индуцированного электрического момента, равного векторной сумме дипольных электрических моментов молекул
М =ql (2.1)
При этом в конденсаторе, которым образован диэлектриком с электродами, возникает электрический заряд. Этот заряд равен:
Q = CU (2.2)
С поляризацией связана одна из важнейших характеристик диэлектрика - относительная диэлектрическая проницаемость e.
Диэлектрик, включенный в электрическую цепь, можно рассматривать как конденсатор определенной емкости. Представим заряд Q конденсатора с данным диэлектриком как сумму зарядов Q0 конденсатора, между обкладками которого вакуум, и Qд, который обусловлен поляризацией диэлектрика:
Q = Q0 + Qд, (2.3)
Относительная диэлектрическая проницаемость представляет собой отношение заряда Q конденсатора с данным диэлектриком к заряду Q0 вакуумного конденсатора тех же размеров, той же конфигурации электродов, при том же напряжении.
(2.4)
Из выражения (2.4) следует, что относительная диэлектрическая проницаемость любого вещества больше единицы (равна единице только в вакууме).
Диэлектрические проницаемости различных веществ значительно отличаются одна от другой. Величина e вакуума равна единице (как уже указывалось ранее), газов близка к единице. Для большинства практически применяемых жидких и твердых диэлектриков e - величина порядка нескольких единиц, реже – несколько десятков и весьма редко более 100. Наибольшую диэлектрическую проницаемость имеют некоторые сегнетокерамические материалы, e которых в определенных условиях может достигать десятков тысяч.
Пусть С0 – емкость вакуумного конденсатора произвольной формы и размеров; если, не меняя формы, размеров и взаимного расположения электродов конденсатора, заполнить пространство между электродами материалом с диэлектрической проницаемостью e, емкость конденсатора увеличится в e раз и будет составлять
С = eС0 (2.5)
Таким образом, емкость конденсатора данных размеров и формы пропорциональна величине e диэлектрика. Для каждого конденсатора выражение для величины емкости может быть представлено в виде
С = ee0A (2.6)
Где A параметр, зависящий от размеров и конфигурации конденсатора, e0 -_ электрическая постоянная, равная 8,854 × 10-12 Ф/м .
Произведение ee0 называется абсолютной диэлектрической проницаемостью материала и измеряется в Ф/м.
Интенсивность поляризации определяется поляризованностью Р, измеряемой в Кл/м2. В однородном поле, когда дипольные электрические моменты всех n молекул ориентированы параллельно, поляризованность
(2.7)
Где М=å p– электрический момент, равный геометрической сумме моментов всех поляризованных молекул диэлектрика, находящихся в объеме V = Sh .
В наиболее простом случае однородного поля (плоского конденсатора) с объемом диэлектрика между электродами V= Sh поляризованность равна
=
Поскольку в глубине диэлектрика положительные и отрицательные заряды взаимно компенсируются, нескомпенсированные электрические заряды останутся только на поверхности диэлектрика. Если поверхностная плотность этих зарядов равна s, то величина этого нескомпенсированного электрического заряда поверхности равна sS. Тогда величину суммарного электрического момента всех n молекул диэлектрика вычислим по формуле
åp = sSh (2.8)
Подстановка этого выражения в предыдущее дает значение поляризованности
P = s, (2.9)
Таким образом, в случае однородного поля поляризованность диэлектрика равна поверхностной плотности его зарядов. Эта формула поясняет также смысл единицы измерения поляризованности как отношение единицы заряда к единице поверхности.
Поляризуемость частиц (в дальнейшем обозначается a) определяется как величина смещения атома, молекулы или иона.
Для большинства диэлектриков, а именно так называемых линейных диэлектриков, поляризованность Р прямо пропорциональна напряженности электрического поля Е в данной точке диэлектрика и равна:
Р = e0kдЕ (2.10)
Безразмерный параметр диэлектрика kд называется (относительной) диэлектрической восприимчивостью, а произведение e0kд – абсолютной диэлектрической восприимчивостью.
У нелинейных диэлектриков, к которым, в частности относятся сегнетоэлектрики, прямой пропорциональности между величинами Р и Е не наблюдается.
Для однородного поля и изотропного диэлектрика электрическое смещение (электрическая индукция) D
D = e0Е + P (2.11)
С другой стороны, между электрическим смещением и напряженностью электрического поля в каждой точке в среде с диэлектрической проницаемостью e существует простое соотношение
D = ee0Е (2.12)
Приравняв правые части формул (12.11) и (2.12) получим
Р =e0 (e - 1)Е (2.13)
Сопоставление этой формулы с (2.10) дает связь между диэлектрической проницаемостью и диэлектрической восприимчивостью материала:
e = 1 + kд (2.14)
Формула (2.14) показывает, что диэлектрическая проницаемость любого вещества больше единицы: kд всякого вещества конечно и положительно, поэтому e >1, и только для вакуума, где не происходит никаких явлений поляризации, kд = 0 и, следовательно, e = 1.
(2.15)
находим напряженности поля, В/м, в обоих слоях
(2.16)
и напряжения, В, на слоях
(2.17)
График падения потенциала в функции расстояния от электрода Y представлен на рис. 2.2 ломаной PQR, а график значений Е — ломаной KLMNT; тангенсы углов b1 и b2 пропорциональны значениям E1 и E2 соответственно. Если бы в пространстве между электродами конденсатора Y и Z находился только один диэлектрик, то получился бы простейший плоский конденсатор (рис.2.1) с однородным полем; в этом случае падение потенциала определилось бы на рис. 2.2 пунктирной прямой PR, а напряженность поля — пунктирной горизонтальной прямой ST и напряженность поля во всем объеме диэлектрика между электродами была бы одинаковой и равной
причем b1<b0<b2 и E1<E<E2 .В общем случае многослойного (n слоев) плоского конденсатора
(2.18)
где U — полное напряжение на конденсаторе, a Ui, Ei, hi и ei, — соответственно напряжение, напряженность поля, толщина и диэлектрическая проницаемость для каждого отдельного слоя. Таким образом, при конструировании и расчете слоистой изоляции надо учитывать, что слои диэлектриков с более высокой e стремятся «разгрузиться» и «переложить» большую часть электрического напряжения на слои с меньшей e. В особенно невыгодном положении оказываются воздушные прослойки внутри изоляции или между изоляцией и электродами при неплотном прилегании последних. Благодаря малой величине e и малой электрической прочности газов в таких прослойках легко возникают частичные разряды.
Аналогично можно показать, что в неравномерном поле для уменьшения электрической нагрузки электроизоляционных материалов следует в места с наибольшим электрическим смещением помещать материалы с наибольшей диэлектрической проницаемостьюe.
Виды поляризации диэлектриков
Существует большое число различных физических механизмов поляризации. Отметим из них лишь основные, наиболее типичные.
Электронная поляризация представляет собой упругое смещение и деформацию электронных оболочек атомов и ионов (рис. 2.3). Электронная поляризация устанавливается при наложении внешнего электрического поля за чрезвычайно короткое время (порядка 10-15 с). Она наблюдается у всех диэлектриков (независимо от возможного наличия в них и других видов поляризации) и не связана с потерями энергии до резонансных частот. Соотношение между поляризацией, электронной поляризацией и диэлектрической проницаемостью показано в уравнении Клаузиуса – Мосотти.
, (2.19)
где n0 – количество атомов и ионов в единице объема;
ae – электронная поляризуемость, см3;
Классификация диэлектриков по видам поляризации.
Как показано ранее, в зависимости от влияния напряженности электрического поля на величину диэлектрической проницаемости, все диэлектрики подразделяются на линейные и нелинейные. Для линейных диэлектриков с мгновенными видами поляризации (электронной и ионной) зависимость вектора электрической индукции D от напряженности электрического поля Е показана на рис. 2.8а,а дляматериалов с замедленными (релаксационными) видами поляризации на рис.2.8б Площадь эллипса пропорциональна количеству энергии, рассеиваемой диэлектриком за один период изменения напряжения вследствие наличия у него релаксационных механизмов поляризации. Для нелинейных диэлектриков (сегнетоэлектриков) кривая зависимости D от Н приобретает вид петли гистерезиса (рис. 2.8 в).
На рис.2.8 приведены также зависимости e от Н , показывающие различия линейных и нелинейных диэлектриков. Если емкость конденсатора с линейным диэлектриком зависит только от его геометрических размеров, и не меняется в случае приложенной разности потенциалов, то при нелинейном диэлектрике она становится управляемой электрическим полем. Поэтому нелинейные диэлектрики иногда называют активными (управляемыми) диэлектриками.
Если в основу классификации положить различия в механизмах поляризации, то все диэлектрики можно подразделить на несколько групп.
Неполярные диэлектрики. К этой группе относят диэлектрики, не содержащие электрических диполей, способных к переориентации во внешнем электрическом поле. Неполярным диэлектрикам свойственна в основном электронная поляризация. Они применяются как высокочастотные электроизоляционные материалы в технике высоких и сверхвысоких частот. К ним относятся полистирол, полиэтилен, политетрафторэтилен (фторопласт -4), бензол, воздух, парафин и др.
Полярные диэлектрики. В эту группу входят диэлектрики, содержащие электрические диполи, которые способны к ориентации во внешнем электрическом поле. В полярных диэлектриках кроме электронной наблюдают и дипольно-релаксационную поляризацию, Они имеют несколько пониженные диэлектрические свойства по сравнению с неполярными диэлектриками и применяются в качестве электроизоляционных материалов на низких частотах. К ним можно отнести целлюлозу, поливинилхлорид, политрифторхлорэтилен ( фтропласт-3), полиметилметакрилат (органическое стекло ) и др.
Диэлектрики с ионной структурой. В эту группу входят твердые неорганические диэлектрики с электронной, ионной, ионно-релаксационной и электронно- релаксационной поляризацией. Здесь выделяют две подгруппы материалов в зависимости от величины потерь, расходуемых на поляризацию:
· Диэлектрики с электронными и ионными видами поляризации, при которых потерь электрической энергии нет. К ним относят слюду, кварц, корунд (Al2O3), рутил (TiO2) и др.
· Диэлектрики с ионно-релаксационной и электронно- релаксационной поляризацией, при которой имеются существенные потери электрической энергии. Например, неорганические стекла, керамика, микалекс и др.
Сегнетоэлектрики. В эту группу входят материалы, обладающие, прежде всего спонтанной поляризацией. К ним можно отнести сегнетову соль, титанат бария(BaTiO3), титанат стронция (SrTiO3), и др.
Зависимости диэлектрической проницаемости от различных факторов могут быть разными в случае различных физических механизмов явления поляризации.
Физическая сущность поверхностной электропроводности твердых диэлектриков. Поверхностная электропроводность обусловлена наличием влаги, загрязнениями и разными дефектами поверхности диэлектрика.
Удельная поверхностная проводимость тем ниже, чем меньше полярность вещества и чем чище поверхность диэлектрика. Причем наличие загрязнений на поверхности относительно мало влияет на удельную поверхностную проводимость гидрофобных диэлектриков и сильно влияет на проводимость гидрофильных диэлектриков.
Наиболее значительное увеличение удельной поверхностной проводимости наблюдается у полярных диэлектриков, частично растворимых в воде, у которых на поверхности образуется пленка электролита. Кроме того, к поверхности полярных диэлектриков могут прилипать различные загрязнения, которые также приводят к росту поверхностной проводимости. Высокую поверхностную проводимость имеют и объемно-пористые материалы, так как процесс поглощения влаги в глубине материала стимулирует также и образование её пленки на поверхности диэлектрика.
Электропроводность газов.
Газы при небольших значениях напряженности электрического поля имеют очень малую проводимость. Ток в газах может возникнуть только при наличии в них ионов или свободных электронов. Ионизация нейтральных молекул возникает или под действием внешних факторов, или вследствие столкновений ионизированных частиц самого газа, ускоренных электрическим полем, с молекулами газа (ударная ионизация). Внешними факторами, которые вызывают ионизацию газа, являются рентгеновские лучи, ультрафиолетовые лучи, космические лучи, радиоактивное излучение, а также термическое влияние (сильный нагрев газа).
Электропроводность жидких диэлектриков.
Электропроводность жидких диэлектриковтесно связанная со строением молекул жидкости. В неполярных жидкостях электропроводность обуславливается наличием диссоциированных примесей, в том числе влаги; в полярных жидкостях электропроводность зависит не только от примесей, иногда она вызывается диссоциацией молекул самой жидкости.
Ток в жидкости может быть обусловлен как передвижением ионов, так и перемещением достаточно больших заряженных коллоидных частиц. Невозможность полного удаления способных к диссоциации примесей из жидкого диэлектрика затрудняет получение электроизоляционных жидкостей с малой удельной проводимостью. Полярные жидкости в сравнении с неполярными всегда имеют повышенную удельную проводимость, причем увеличение диэлектрической проницаемости приводит к росту проводимости. Сильнополярные жидкости отличаются настолько высокой удельной проводимостью, что рассматриваются уже не как жидкие диэлектрики, а как проводники с ионной электропроводностью.
Удельная проводимость любой жидкости в значительной мере зависит от температуры. С увеличением температуры в результате уменьшения вязкости возрастает подвижность ионов и может увеличиваться степень тепловой диссоциации, которая вызывает увеличение удельной проводимости.
Ia = Iptgd
Реактивную составляющую тока определим из формулы
Ip = UwC
где w - угловая частота, с-1; С – емкость конденсатора, Ф.
Откуда
Ia = UwC tgd , (2.53)
Следовательно, активная мощность
Pa = U2wC tgd (2.54)
Помимо полной величины диэлектрических потерь Р во всем участке изоляции часто рассматривают также удельные диэлектрические потери р, В частном случае однородного электрического поля с однородным же диэлектриком удельные диэлектрические потери равны частному от деления полных диэлектрических потерь на объем диэлектрика между электродами.
(2.55)
В случае же неоднородного электрического поля удельные потери в разных точках диэлектрика различны, так как различна величина напряженности электрического поля в разных точках; кроме того, если диэлектрик неоднороден, при расчете удельных потерь необходимо учитывать и различие в параметрах диэлектрика в разных частях объема изоляции. В этом случае используется формула для удельных диэлектрических потерь, Вт/м3, получаемая из формулы (2.55) введением Е вместо U и ee0 вместо С.
(2.56)
Величина Е в формуле (2.56) выражена в В/м. Формула пригодна для любой картины неоднородного поля.
Угол диэлектрических потерь (обычно указывается не сам угол, а его тангенс) — важнейшая характеристика как материала (диэлектрика), так и электроизоляционной конструкции (участка изоляции). Чем меньше этот угол, тем выше качество изоляции. Иногда вводится понятие добротности изоляции Q, т. е. величины, обратной тангенсу угла потерь:
(2.58)
Значение tgd для лучших электроизоляционных материалов, применяемых в технике высоких частот и высоких напряжений, составляет тысячные и даже десятитысячные доли единицы; для материалов более низкого качества, применяемых в менее ответственных случаях, tgd может быть много больше указанных выше значений.
Произведение e tgd = e” называется коэффициентом диэлектрических потерь материала и является параметром, определяющим (при прочих равных условиях) величину потерь.
Если учесть, что величина
gа = wee0tgd (2.59)
представляет собой удельную объемную активную проводимость (при переменном напряжении), См/м, материала, то формула (2.59) может быть переписана в виде
(2.60)
Обычно (при одном и том же значении Е) потери при переменном напряжении больше, чем потери при постоянном напряжении.
Схемы замещения диэлектриков с потерями. При изучении поведения диэлектрика с потерями при переменном напряжении часто оказывается целесообразным заменить рассматриваемый диэлектрик емкостью без потерь и активным сопротивлением, соединенными между собой параллельно или последовательно. Иногда такая замена является чисто формальной, но в ряде случаев она отражает реальные физические процессы, протекающие в диэлектрике.
Параллельная и последовательная эквивалентные схемы представлены на рис.2.21а,б. Там же даны соответствующие диаграммы токов и напряжений. Обе схемы эквивалентны друг другу, если при равенстве полных сопротивлений Z1 = Z2 =Z равны соответственно их активные и реактивные составляющие. Это условие будет соблюдено, если углы сдвига тока относительно напряжения равны и значения активной мощности одинаковы.
Для параллельной схемы из векторной диаграммы
(2.61)
(2.62)
Для последовательной схемы
(2.63)
(2.64)
Связи между Ср и CS и между Rp и RS при переходе от параллельной модели диэлектрика к последовательной и обратно:
; (2.65)
; (2.66)
Для доброкачественных диэлектриков можно пренебречь значением tgd по сравнению с единицей в формуле (2.65) и считать Cр @ Cs. Выражения для мощности, рассеиваемой в диэлектрике, в этом случае будут также одинаковы у обеих схем:
Pa = U2wСtgd
Следует отметить, что при переменном напряжении в отличие от постоянного емкость диэлектрика с большими потерями становится условной величиной и зависит от выбора той или иной эквивалентной схемы. Отсюда и диэлектрическая проницаемость материала с большими потерями при переменном напряжении также условна.
Сопротивление Rp в параллельной схеме, как следует из выражения (2.66), во много раз больше сопротивления Rs. Угол потерь от выбора схемы не зависит.
ПАСИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
ТВЕРДЫЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
ТВЕРДЫЕ НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
Стекла
Стекла—неорганические аморфные вещества, представляющие собой сложные системы различных оксидов
Параметры стекол определяются их химическим составом и режимом тепловой обработки и поэтому колеблются в весьма широких пределах. Так, при нормальной температуре, удельное сопротивление стекол r = 106—1015 Ом×м, но у некоторых стекол может составлять 103 Ом×м, e = 4—25; tg d = 0,0002—0,01; Епр = 23—500 МВ/м.
Предел прочности стекла при растяжении невелик (100—300 МПа) и увеличивается с повышением содержания в нем оксидов кремния SiO2 и кальция CaO. Щелочные оксиды снижают прочность стекла. Стекло противостоит сжатию гораздо лучше, чем растяжению, предел прочности при сжатии составляет 6000— 21000 МПа.
Из тепловых свойств стекол наибольшее значение имеют температура размягчения и температурный коэффициент линейного расширения (ТКl). Необходимо, чтобы значения ТКl стекла и соединяемых с ним материалов были приблизительно одинаковыми, иначе при смене температуры может произойти растрескивание стекла, на рушение герметичности в месте ввода металлических ножек в радиолампах.
Типы стекол. В зависимости от назначения различают следующие основные виды электротехнических стекол: электровакуумные, изоляторные, стеклоэмали и др.
Электровакуумные стекла применяют для изготовления баллонов электронных и газоразрядных ламп, оболочек рентгеновских ламп, горловин кинескопов и т. п. Кроме того, их широко применяют в полупроводниковой промышленности для получения ме-таллостеклянных спаев в корпусах маломощных приборов .
Электровакуумные стекла делят на группы по признаку спаиваемости с определенным металлом или сплавом. Так, стекла молибденовой группы (С47-1—С49-2) имеют ТKl, близкий к ТКl молибдена, и при пайке с ним образуют вакуумно-плотные спаи. Стекла вольфрамовой группы (С37-1—С40-1) имеют ТKl. близкий к ТКl вольфрама, а стекла платиновой группы (С87-1—С90-1) имеют ТКl, близкий к ТКl платины.
Названия стекол «молибденовые», «вольфрамовые», «платиновые» определяются не составом стекла, а только тем, что значения ТКl этих стекол близки к ТКl молибдена, вольфрама, платины.
В обозначении марки стекла после буквы С указывают величину ТКl и серию разработки. Например, обозначение С89-5 относится к стеклу с ТKl = 89×10-7 К-1, серия 5.
Изоляторные стекла используют в качестве герметизированных вводов в некоторые типы конденсаторов, терморезисторов, в полупроводниковом производстве для изготовления изоляторов в металлических корпусах таблеточного типа и изоляторов в мощных приборах. Эти стекла используют также для изоляции штырьковых вводов в корпусах кремниевых и германиевых транзисторов. Стеклянные изоляторы для полупроводниковых приборов изготавливают из стекол С48-1, С49-2, С87-1, С88-1 и др.
Боросиликатные (С37-1, С37-2, С38-1, С39-1 и др.) и алюмосиликатные (С39-2, С41-1, С48-3 и др.) стекла применяют для изготовления изоляционных подложек, которые служат основой для расположения активных и пассивных элементов интегральных микросхем.
Стекла марок С89-1, С88-3, С48-2, С40-1, С38-1, С37-2 и др. используют при изготовлении литого микропровода в стеклянной изоляции. Сверхмалый диаметр микропровода (до 1 мкм) позволяет решить в приборостроении ряд вопросов, связанных с миниатюризацией, повышением точности и стабильности, расширением диапазона допустимых климатических и механических воздействий.
Стеклоэмалями называют стекловидные покрытия, наносимые на поверхность изделий с целью защиты от коррозии, электрической изоляции, а также для получения красивого внешнего вида. При эмалировке порошок стекла измельчают, наносят на поверхность изделия и обжигают. В результате плавления эмаль растекается по поверхности изделия, и после охлаждения, остается на ней в виде тонкого (0,1—1,0 мм) сплошного стекловидного покрытия.
Стеклоэмали применяют в качестве электроизоляционного материала для трубчатых резисторов, в которых на наружную поверхность керамической трубки нанесена проволочная обмотка. Наносимый поверх нее слой эмали создает изоляцию между отдельными витками, между обмоткой и окружающей средой, а также защищает ее от воздействия влаги, от окисления и т. п.
Стекловолокно получают из расплава стекла, чаще из бесщелочного алюмоборосиликатного. Расплавленная стекломасса под действием собственного веса медленно вытекает из платиновых «лодочек» через фильеры диаметром около 1 мм. Выходящая из фильеры нить наматывается с большой скоростью (около 30 м/с) на барабан и, не успевая охладиться, вытягивается в тонкое волокно диаметром в несколько микрон. При вытягивании происходит ориентация молекул, способствующая повышению гибкости и механической прочности стекла.
Из стеклянных нитей изготавливают световоды, изоляцию монтажных, обмоточных и микропроводов, стеклянные ткани, используемые в производстве нагревостойких стеклолакотканей и стеклотекстолитов. Короткое стекловолокно применяют как наполнитель в пресс-порошках, идущих на изготовление пластмасс. Стекловолокно по сравнению с органическими волокнами отличается более высокой нагревостойкостью (провода со стекловолокнистой изоляцией могут длительное время работать при температурах до 600°С), повышенной механической прочностью 1,6—25ГПа, относительно малой гигроскопичностью (0,2—4%), хорошими электроизоляционными свойствами. К недостаткам стекловолокнистой изоляции относят повышенную хрупкость, низкую, стойкость к истиранию и изгибанию и малое значение относительного удлинения при разрыве (2—3%).
Световоды представляют собой световедущее волокно, состоящее из двух слоев: световедущей жилы с высоким показателем преломления Пс и изоляционной оболочки с меньшим показателем преломления Пц (рис. 2.33). Излучение, падающее на входной торец прозрачного световода, распространяется по нему благодаря неоднократному полному внутреннему отражению от поверхности раздела жилы и оболочки и выходит из противоположного торца. В таких световодах потери световой энергии на поверхности раздела жилы и оболочки малы даже для лучей, претерпевающих тысячи отражений, ослабление света обусловлено лишь поглощением в материале и отражением от торцов. Поэтому основной путь снижения потерь в световодах — чистота исходных материалов и стерильность производства.
В видимой и ближней инфракрасной области спектра наибольшее распространение получили световодные волокна, изготовленные из оптического стекла. Для световедущих жил используют стекла типа тяжелых флинтов ТФ, баритовых флинтов БФ и сверхтяжелых кронов СТК, а для изоляционной оболочки применяют стекла типа крона К или типа легкого крона ЛК. (В менее ответственных случаях, например для целей освещения, вместо стеклянных световодных волокон применяют более дешевые пластмассовые волокна из полиметилметакрилата, полистирола и других пластмасс.
Волокна со светоизолирующими оболочками диаметром 2—15 мкм параллельно укладывают в пучки и спекают, получая многожильные световоды диаметром 0,3—3 мм. Общее число световедущих жил доходит до 100000. Эти световоды не только передают световой сигнал, но и изображение с одного торца на противоположный. Во избежание просачивания света из одной световедущей жилы в соседние толщина светоизолирующей прослойки между ними должна составлять не менее 1 мкм. Световоды выпускают как прямые, так и изогнутые или закрученные (при подогреве). Жгуты из тонких волокон, соединенных только по концам, обладают гибкостью. Их изгиб не нарушает передачи по ним изображения. Световоды широко применяют для передачи различной информации в вычислительной технике, телевидении, фототелеграфии и т. д.
Сегнетоэлектрики
ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. - М.: Высш.шк., 1986. - 367 с.
2. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. - М.: Высш.шк., 1980. - 406 с.
3. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.Н. Электротехнические материалы. - Л.: Энергоатомиздат, 1985. - 304 с
Дополнительная литература
Т.1/ Под ред.Ю.Б. Корицкого и др.- М.:Энергоатомиздат,1986. – 368 с.
Т.2/ Под ред.Ю.Б. Корицкого и др.-М.:Энергоатомиздат,1987. – 464 с.
Т.3/ Под ред.Ю.Б.Корицкого и др.-Л.:Энергоатомиздат,1988. – 728 с.
– Конец работы –
Используемые теги: Диэлектрические, Материалы0.029
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Диэлектрические материалы
Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов