С рассеиваемой мощностью более 1.5 Вт

Принятые обозначения:

I_к– максимально допустимый постоянный ток коллектора;

I_{к макс имп} –максимально допустимый импульсный ток коллектора;

U_{кэ макс} –максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер;

U _{кэ нас}– напряжение насыщения коллектор-эмиттер;

h₂₁ – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

t_i– время: Р – рассасывания, В – включения. Ы – выключения,

С –спада импульса.

 

Тип транзистора	Тип проводимости	Iк (Iк макс имп), А	Uкэ макс, (Uкэ нас ), В	Pк макс , Вт	h21	ti, мкС
2Т506А	n-p-n	2(5)	800(0,6)		30…150	2,5P
2T506Б	n-p-n	2(5)	600(0,6)		30…150	3,5P
2T812A	n-p-n	10(17)	700(2,5)		5…30	1,3C
2T812Б	n-p-n	10(17)	500(2,5)		5…30	1,3C
2T818A	p-n-p	15(20)	100(1)			2,5Ы
2T818Б	p-n-p	15(20)	80(1)			2,5Ы
2Т818В	p-n-p	15(20)	60(1)			2,5Ы
2Т819А	n-p-n	15(20)	100(1)			2,5Ы
2Т819Б	n-p-n	15(20)	80(1)			2,5Ы
2Т819В	n-p-n	15(20)	60(1)			2,5Ы
2Т827А	n-p-n	20(40)	100(2)		750…18000	4,5Ы
2Т827Б	n-p-n	20(40)	80(2)		750…18000	4,5Ы
2Т827В	n-p-n	20(40)	60(2)		750…18000	4,5Ы
2Т830А	p-n-p	2(4)	30(0,6)		25…55	0,8В
2Т830Б	p-n-p	2(4)	50(0,6)		25…55	0,8В
2Т830В	p-n-p	2(4)	70(0,6)		25…55	0,8В
2Т830Г	p-n-p	2(4)	90(0,6)		20…50	0,8В
2Т831А	n-p-n	2(4)	30(0,6)		25…200	0,8В
2Т831Б	n-p-n	2(4)	50(0,6)		25…200	0,8В
2Т831В	n-p-n	2(4)	70(0,6)		25…200	0,8В
2Т831Г	n-p-n	2(4)	90(0,6)		20…150	0,8В
2Т841А	n-p-n	10(15)	600(1,5)		12…45	1,2Р
2Т841Б	n-p-n	10(15)	400(1,5)		12…45	1,2Р
2Т847А	n-p-n	15(25)	650(1,5)		8…25	0,8С