Классификация интегральных схем - раздел Электроника, СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА
По Конструктивно-Технологическому Исполнению Различают Полуп...
По конструктивно-технологическому исполнению различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС.
К полупроводниковым относят ПМС (полупроводниковые интегральные микросхемы), все элементы и межэлементные ,соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. Ё зависимости от способов изоляции отдельных элементов различают ПМС с изоляцией p-n-переходами и микросхемы с диэлектрической (оксидной) изоляцией. ПМС можно изготовить и на подложке из диэлектрического материала на основе как биполярных, так и полевых транзисторов. Обычно в этих схемах транзисторы выполнены ъ виде трехслойных структур с двумя р-n-переходами (n-p-n-типа), а диоды — в виде двухслойных структур с одним р-л-переходом. Иногда вместо диодов используют транзисторы в диодном включении.
Резисторы ПМС, представленные участками легированного полупроводника с двумя выводами, имеют сопротивление несколько ки-лоомов. В качестве высокоомных резисторов иногда используют обратное сопротивление р-n-перехода или входные сопротивления эмнт-терных повторителей.
Роль конденсаторов в ПМС выполняют обратно смещенные p-rt-переходы. Емкость таких конденсаторов составляет 50 — 200 пФ. Дроссели в ПМС создавать трудно, поэтому большинство устройств проектируют без индуктивных элементов. Все элементы ПМС получают в едином технологическом цикле в кристалле полупроводника. Соединения элементов таких схем осуществляются с помощью алюминиевых или золотых пленок, получаемых методом вакуумного напыления. Соединение схемы с внешними выводами производят алюминиевыми или золотыми проводниками диаметром около 10 мкм, которые методом термокомпрессии присоединяют к пленкам, а затем приваривают к внешним выводам микросхемы.
Полупроводниковые микросхемы могут рассеивать мощность 50 — 100 мВт, работать на частотах до 20 — 100 МГц, обеспечивать время задержки до 5 не. Плотность монтажа электронных устройств на ПМС — до 500 элементов на 1 см3. Среднее время безотказной работы устройства, содержащего 107 элементов, достигает 103 — 104,
Современный групповой технологический цикл позволяет обрабатывать одновременно десятки полупроводниковых пластин, каждая из которых содержит сотни ПМС с сотнями элементов в кристалле, связанных в заданные электронные цепи. При такой технологии обеспечивается высокая идентичность электрических характеристик микросхем.
Пленочными интегральными (или просто пленочными схемами ПС) называют ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок. Интегральные схемы подразделяют, на тонко- и толстопленочные. Эти схемы могут иметь количественное и качественное различие. К тонкопленочным условно относят ИС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным — ИС с толщиной пленок выше 1 мкм. Качественное различие определяется технологией изготовления пленок. Элементы тонкопленочной ИС наносят на подложку с помощью термовакуумного осаждения и катодного распыления. Элементы толстопленочных ИС изготовляют преимущественно методом шелкографии с последующим вжиганием.
Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляют собой сочетание навесных активных радиоэлементов (микротранзисторов, диодов) и пленочных пассивных элементов и их соединений. Обычно ГИС содержат: изоляционные основания из стекла или. ке-, рамики, на поверхности которых сформированы пленочные проводники, резисторы, конденсаторы небольшой емкости; навесные бескорпусные активные элементы (диоды, транзисторы); навесные пассивные элементы в миниатюрном исполнении (дроссели, трансформаторы, конденсаторы большой емкости), которые не могут быть выполнены в виде пленок. Такую изготовленную ГИС герметизируют в пластмассовом или металлическом корпусе.
Резисторы сопротивлением от тысячных долей ома до десятков килоомов в ГИС изготовляют в виде тонкой пленки нихрома или тантала. Пленки наносят на изоляционную основу (подложку) и подвергают термическому отжигу. Для получения резисторов с сопротивлением в десятки мегаомов используют металлодиэлектрическив смеси (хрома, монооксида кремния и др.). Средние размеры пленочных резисторов-(1 — 2)Х10~3 см2.
Конденсаторы в ГИС выполняют из тонких пленок меди, серебра, алюминия или золота. Напыление этих металлов производят с подслоем хрома, титана, молибдена, обеспечивая хорошую адгезию с изоляционным материалом подложки. В качестве диэлектрика в конденсаторах используют пленку из оксида кремния, бериллия, двуоксида титана и т. д. Пленочные конденсаторы изготовляют емкостью от десятых долей пикофарады до десятков тысяч пикофарад размером от 10~3 до 1 см2.
Проводники ГИС, с помощью которых осуществляют межэлементные соединения -и подключение к выводным зажимам, выполняют в виде тонкой пленки золота, меди или алюминия с подслоем никеля, хрома, титана, обеспечивающем высокую адгезию к изоляционному основанию. Гибридные интегральные схемы, у которых толщина пленок, образующихся при изготовлении пассивных элементов, до 1 мкм с шириной 100 — 200 мкм,-относят к тонкопленочным. Такие пленки получают методом термического напыления на поверхности подложек в вакууме с использованием трафаретов, масок. Гибридные интегральные схемы с толщиной 1 мкм и более относят к толстопленочным и изготовляют путем напыления на подложки токопроводящих или диэлектрических паст через сетчатые трафареты с последующим их вжиганием в подложки при высокой температуре. Эти схемы имеют большие размеры и массу пассивных элементов. Навесные активные элементы состоят из гибких или жестких «шариковых» выводов, которые пайкой или сваркой присоединя-, ют к пленочной микросхеме.
Плотность пассивных и активных элементов при их многослойном расположении в ГИС, выполненной по тонкопленочной технологии, достигает 300 — 500 элементов на 1 см3, а плотность монтажа электронных устройств на ГИС — 60 — 100 элементов на 1 см3. При такой плотности монтажа объем устройства, содержащего-107 элементов, составляет 0,1 — 0,5 м3, а время безотказной работы — 103 — 104 ч. -
Основным преимуществом ГИС является возможность частичной интеграции элементов, выполненных по различной технологии (биполярной, тонко- и толстопленочной и др.) с широким диапазоном электрических параметров (маломощные, мощные, активные, пассивные, быстродействующие и др.).
В настоящее время перспективна гибридизация различных типов интегральных схем. При малых геометрических размерах пленочных элементов и большой площади пассивных подложек на их поверхности можно разместить десятки — сотни ИС и других компонентов. Таким путем создают многокристальные гибридные ИС с большим числом (несколько тысяч) диодов, транзисторов в неделимом элементе. В комбинированных микросхемах можно разместить функциональные узлы, обладающие различными электрическими характеристиками.
Сравнение ПМС и ГИС. Полупроводниковые микросхемы со степенью интеграции до тысяч и более элементов в одном кристалле получили преимущественное. распространение. Объем производства ПМС на порядок превышает объем выпуска ГИС. В некоторых устройствах целесообразно применять ГИС по ряду причин.
Технология ГИС сравнительно проста и требует меньших первоначальных затрат на оборудование, чем полупроводниковая технология, что упрощает создание нетиповых, нестандартных изделий и аппаратуры.
Пассивная часть ГИС изготовляется на отдельной подложке, что позволяет получать пассивные элементы высокого качества и создавать высокочастотные ИС.
Технология ГИС дает возможность заменять существующие методы многослойного печатного монтажа при размещении на подложках бескорпусных ИС и БИС и других полупроводниковых компонентов. Технология ГИС предпочтительна для выполнения силовых ИС на большие мощности. Предпочтительно также гибридное исполнение интегральных схем линейных устройств, обеспечивающих пропорциональную зависимость между входными и выходными сигналами. В этих устройствах сигналы изменяются в широком интервале частот и мощностей, поэтому их ИС должны обладать широким диапазоном номиналов, не совместимых в едином процессе изготовления пассивных и активных элементов. Большие интегральные схемы БИС допускают объединение различных функциональных узлов, в связи с чем они получили широкое распространение в линейных устройствах.
Преимущества и недостатки интегральных схем. Преимуществом ИС являются высокая надежность, малые размеры и масса. Плотность активных элементов в БИС достигает 103 — 104 на 1 см3. При установке микросхем в печатные платы и соединении их в блоки плотность элементов составляет 100 — 500 на 1 см3, что в 10 — 50 раз выше, чем при использовании отдельных транзисторов, диодов, резисторов в микромодульных устройствах.
Интегральные схемы безынерционны в работе. Благодаря небольшим, размерам в микросхемах снижаются междуэлектродные емкости и индуктивности соединительных проводов, что позволяет использовать их на сверхвысоких частотах (до 3 ГГц) и в логических схемах с малым временем задержки (до 0,1 не).
Микросхемы экономичны (от 10 до 200 мВт) и уменьшают расход электроэнергии и массу источников питания.
Основным недостатком ИС является малая выходная мощность (50 — 100 мВт).
В зависимости от функционального назначения ИС делят на две основные категории — аналоговые (или линейно-импульсные) и цифровые (или логические).
Аналоговые интегральные схемы АИС используются в радиотехнических устройствах и служат для генерирования и линейного усиления сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции в широком диапазоне мощностей и частот. Вследствие этого аналоговые ИМС должны содержать различные по номиналам пассивные и по параметрам активные элементы, что усложняет их разработку. Гибридные микросхемы уменьшают трудности изготовления аналоговых устройств в микроминиатюрном исполнении. Интегральные микросхемы становятся основной элементной базой для радиоэлектронной аппаратуры.
Цифровые интегральные схемы ЦИС применяются в ЭВМ, устройствах дискретной обработки информации и автоматики. С помощью ЦИС преобразуются и обрабатываются цифровые коды. Вариантом этих схем являются логические микросхемы, выполняющие операции над двоичными кодами в большинстве современных ЭВМ и цифровых устройств.
Аналоговые и цифровые ИС выпускаются сериями. В серию хо-дят ИС, которые могут выполнять различные функции, но имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначаются для совместного применения. Каждая серия содержит несколько различающихся типов, которые могут делиться на типономиналы, имеющие конкретное функциональное назначение и условное обозначение. Совокупность типономиналов образует тип ИС.
Все темы данного раздела:
Проводниковые материалы
Твердыми проводниками электрического тока являются металлы, металлические сплавы и некоторые модификации углерода. Среди металлических проводников различают: материалы, обладающие
Полупроводниковые материалы
Полупроводниковыми материалами являются твердые кристаллические вещества с электронной проводимостью, которые по удельному электрическому сопротивлению при нормальной температуре
Магнитные материалы
Основные сведения. Магнитные свойства веществ зависят от внутренней скрытой формы движения электрических зарядов, представляющих собой элементарные круговые токи, обладающие магни
А — магнитно-мягкого материала, б — магнитно-твердого материала, в — феррита с прямоугольной петлей гистерезиса
При перемагничивании ферромагнетиков в переменных магнитных полях возникают потери энергии, приводящие к их нагреву, что обусловлено потерями на гистерезис и динамическими. Потери энергии на гист
Индукция насыщения.
В обозначении магнитно-мягких ферритов на первом месте стоят цифры (перед буквами), указывающие значение начальной магнитной проницаемости, затем буквы, определяющие верхнюю границу частотного диа
Электроизоляционные материалы
Вещества, обладающие очень малой электрической проводимостью, называются электроизоляционными материалами или диэлектриками. К ним относят газы, некоторые жидкости (м
Бумажные и металлобумажные конденсаторы
Бумажные конденсаторы являются наиболее распространенной разновидностью конденсаторов постоянной емкости, содержат одну или несколько секций из двух металлических лент (как правил
Пленочные конденсаторы
В пленочных конденсаторах в качестве диэлектрика используют пленки из различных полимерных материалов (полистирола, полипропилена или лавсана, фторопласта и др.). Обкладками в сек
Слюдяные конденсаторы
В слюдяных конденсаторах в качестве диэлектрика используют природный материал — слюду, обладающую высокой механической и электрической прочностью и относительно высокой диэлектричес
И стеклолленочиые конденсаторы
И зависимости от электрических свойств, керамику служащей диэлектриком, к е р а м и ч е с к и е конденсаторы могут быть высокочастотными, низкочастотными, термостабильными, термоко
А — проходной трубчатый КТП, б — опорный КДО, в — пластинчатый К10-7
Стеклопленочные конденсаторы заменяют дорогостоящие слюдяные, имеют меньшие по сравнению с ними габаритные размеры. Их используют для работы в.цепях постоянного тока и импульсных режимах. Эти конде
А — KB К с воздушным диэлектриком, б — КПК роторного типа
Воздушные конденсаторы полупеременной емкости выпускают плоскими и цилиндрическими. Плоские представляют собой много-пластинчатую конструкцию, установленную на керамической пла
Катушки индуктивности
Катушки индуктивности применяют в качестве элементов колебательных контуров, дросселей и для связи одних цепей с другими.
Катушка индуктивности, которая служит для разделе
Трансформаторы
У низкочастотных трансформаторов магнитный поток первичной обмотки почти целиком пронизывает витки вторичной обмотки. Эдс, наводимые в обмотках, пропорциональны их числам витков. От
Резисторы
Общие сведения Резисторы, составляющие до 35 % общего количества элементов в схемах современной радиоэлектронной аппаратуры РЭА, разнообразны по конструктивным и электрическим хар
Полупроводниковые резисторы
К полупроводниковым резисторам относят терморезисторы, болометры, позисторы, варисторы и фоторезисторы.
Терморезисторы. Они представляют собой полупроводниковые тепловые п
А — изменения температурного коэффициента и сопротивления, б — вольтамперная
Обозначение терморезисторов состоит из трех-четырех элементов, например, СП-21, СТ2-26, СТЗ-27, СТ4-15 и др. Буквы первого элемента СТ означают термочувствительное сопротивление, цифры второго эле
Микрофоны
Микрофоны служат для преобразования энергии звуковых колебаний в электрический ток звуковой чистоты. Их широко применяют в технике проводной и радиосвязи, радиовещания, телевидении
А — открытой, б — закрытой
Преимуществами конденсаторных микрофонов являются высокая чувствительность, равномерная частотная характеристика чувствительности, широкий диапазон рабочих частот. Электретные микрофоны М
Головки громкоговорителей и телефоны
Головки громкоговорителей служат для преобразования энергии переменного тока в энергию звуковых волн Различают электродинамические головки и прямого излучения. Работа электродинам
Головки звукоснимателей
Для воспроизведения грамзаписи (в проигрывателях, электрофонах, радиолах) служат пьезоэлектрические звукосниматели. Основным узлом звукоснимателя, определяющим качество воспроизве
Магнитные головки
Магнитные головки используются для записи звука на магнитную ленту, его воспроизведения с ленты или стирания (уничтожения) записанной фонограммы. По назначению различают записыва
Краткие сведения
Устройство. К электровакуумным относят электротехнические приборы, токопрохождение в которых обусловлено движением свободных электронов в вакууме или среде разреженного газа. По пр
Условные обозначения
Приемно-усилительные лампы, выпускаемые в СССР, имеют обозначения, состоящие из четырех элементов: первый элемент — число, обозначающее (округленно) напряжение накала в воль
Параметры
В справочник вошли в основном миниатюрные лампы широкого применения. Все лампы подразделены на группы по числу электродов и преимущественной области применения, например кенотроны,
Условные обозначения полупроводниковых диодов
Обозначение полупроводниковых диодов определяется ГОСТ 10862 — 72 и составляется из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра обозначает исходный полупров
Характеристики и параметры выпрямительных и универсальных диодов
Выпрямительные диоды служат для выпрямления переменного тока низкой частоты. В основе выпрямительных свойств этих диодов лежит принцип односторонней проводимости электронно-дырочных
Типы диодов
Параметры
КД204А
КД204Б
КД204В
Постоянное и импульсное обратное напряжение, В, при температуре от — 55
Выпрямительные столбы и блоки
Выпрямительные столбы используют в высоковольтных выпрямителях, а блоки — в мостовых схемах выпрямителей и схемах удвоения выпрямленного напряжения. Параметры и ВАХ столбов и блок
Г — KU401) и схемы соединения диодов в блоках (д, е — удвоения, ас — мостовая)
Таблица 80
Параметры
Типы диодов
КШ06А
КШ06Б
КЦ106В
КЦ106Г
Стабилитроны
Стабилитроны применяют в качестве стабилизаторов или опорных элементов электрических цепей. Их работа основана на электрическом (лавинном или туннельном) пробое р-n-перехода под дей
А — Д815А — И, б — КС175А (KCI82A. K.CI91A, КЦ210Б, КС2ГЗБ). Й-КС211Б-Д, 3-КС482А (KC51SA, КС618А, КС522А, КС527А)
Корпус у стабилитронов является положительным электродом. Если в их обозначение введена дополнительно буква П, например Д815АП, они имеют обратную полярность. Электрические параметр
Варикапы
Варикапы применяют для осуществлений частотной и амплитудной модуляции, а также в .схемах автоподстройки частоты (АПЧ) для перестройки резонансной частоты контура. Если эти.приборы
Туннельные и обращенные диоды
Туннельные диоды обладают высоколегированными p-n-областями полупроводника. Концентрация легирующих примесей в областях на 2 — 3 порядка выше, чем в обычных диодах. Высокая концентр
Максимально допустимые прямой IПр макс U Обратный Iобр маке
токи;
допустимый пиковый ток Iп прямой ветви;
емкость Сд при заданном обратном смещении.
Туннельные диоды АИ 101 (А, Б,
Тиристоры
Тиристоры — полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой типа р-n-р-n с тремя взаимодействующими между собой p-n-переходами (рис. 49, а). Крайние p-n-переходы структ
Светодиоды
Основой полупроводниковых светодиодов является электронно-дырочный переход, который излучает свет при прохождении через него прямого тока. Излучение светодиодов может лежать в видим
Характеристики и параметры
Характеристики. Статические характеристики отражают зависимость между токами и напряжениями во входных и выходных цепях транзистора. Свойства транзисторов в основном оценивают с по
Правила монтажа и эксплуатации
По функциональному назначению транзисторы в радиоэлектронных схемах делят: на двухпереходные биполярные (усилительные, импульсные; малошумящие, высоковольтные, фототранзисторы); по
Транзисторы малой мощности
Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах усиления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис.
А - ГТ321. б — ГТ322, в - ГТ323
Таблица 112
Параметры
Типы транзисторов
ГТ321А
ГТ321Б
ГТ321В
ГТ321Г
А-КТ347 (KТ349, КТ350, КТ351), б-КТ373
Таблица 117
Параметры
Типы транзисторов
КТ347А
КТ347Б
КТ347В
Предельно
А — КТ325, б — КТ326, в — KT337 (КТ363), г — ГТ339, в — КТ345
КТ325А
КТ325Б
КТ325В
Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В и Iэ=10 мА .
30 —
А — ГТ403, б — ГТ404
ГТ403 (А-Е, К)
ГТ403 (Ж, И)
Статический коэффициент передачи тока при Iк=0,45 А .....
Транзисторы большой мощности
Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А — Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металлическом герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочи
А — КТ805, б — ГТ806 (К.Т808, К.Т809)
КТ805А
КТ805Б
Статический коэффициент передачи тока при Uк=10 В и Iк=2 А при +20 и — 55 °С соответстве
А — ГТ905, б — КТ907, в — КТ908, г — КТ911
Высоко- и сверхвысокочастотные.Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе (рис. 69, а), массой соответственно 7 и 4,5 г (с
Основные показатели
Свойства усилителей характеризуются рядом эксплуатационных и качественных показателей.
Коэффициент усиления по напряжению, току или мощности показывает, во сколько
Фн, Ф0, Фв — фазовые сдвиги на нижних fH, средних f0 и верхних fв частотах
При ослаблении верхних частот звук становится глухим, бася-щим, а при малом усилении в области низких частот — металлическим, звенящим. Звуковые колебания, слышимые ухом человека, находятся в преде
Обратная связь в усилителях и схемы их построения
Общие сведения. Под обратной связью (ОС) понимают связь между выходной и входной цепями усилителя. Функциональная схема усилителя с ОС, где показаны цепь прямой передачи усилителя,
Рабочие режимы усилительных элементов
Активными элементами усилителей являются транзисторы и электронные лампы, включаемые между входным и выходным устройствами. Энергетические и качественные показатели усилительных эл
Способы обеспечения рабочего режима транзистора
Электропитание цепей коллектора обычно осуществляется от общего источника постоянного тока (гальванической батареи или выпрямителя переменного напряжения сети). Для устранения меж
А — с помощью делителя, б — через гасящий резистор, в — фиксированным током
Способы подачи смещения. Фиксированное смещение можно осуществлять фиксированным током или напряжением. Смещение фиксированным напряжением база — эмиттер создается от общего источника Ек
А — эмиттерная с помощью ООС по току, б — коллекторная с ООС по напряжению, в — комбинированная с ООС по току и напряжению
Более высокую стабильность работы обеспечивают схемы с комбинированной ООС потоку и напряжению (рис. 82, б). Обычно комбинированная обратная связь вводится лишь для постоянного ток
А — с терморезистором, б — с терморезистором и линейными резисторами, в — с диодом
В делитель, подключенный к базе (рис. 83, а), вместо резистора R2 включают терморезистор, который при нормальной температуре имеет сопротивление, необходимое для устан
Сравнение схем включения транзисторов
Схемы включения биполярных транзисторов. Сравнительные данные свойств транзисторов в схемах с ОБ, ОК и ОЭ (см. рис. 54) приведены в табл. 132. В схеме с общей базой эмиттерны
А — сдвоенного эмиттерного повторителя, б — усилителя на разноструктурных транзисторах, в — каскодной
Схемы составных транзисторов. Составной транзистор представляет собой комбинацию двух (и более) транзисторов, соединенных таким образом, что число внешних выводов этой комбинированной схемы равно
Выходные каскады усилителей
Назначение выходных каскадов. Выходной каскад предназначен для отдачи в нагрузку заданной мощности сигнала при высоком кпд и минимальном уровне нелинейных и частотных искажений. Осн
А — с непосредственным подключением, б — через резисторно-емкостное устройство, в — с помощью трансформатора и дросселя
Способы подключения нагрузки. По способу подключения нагрузки различают выходные каскады с непосредственным включением нагрузки, резисторные, трансформаторные и дроссельные.
При непоср
А — на разноструктурных транзисторах, б — на составных транзисторах
К преимуществам двухтактных схем относят: уменьшение нелинейных искажений по сравнению с однотактными схемами при одинаковой полезной мощности; отсутствие подмагничивания сердечника выходного тра
Каскады предварительного усиления
Общие сведения. Предварительный усилитель усиливает колебания напряжения или тока источника сигнала до значений, которые необходимо подать на вход оконечного каскада для получения
А — последовательным, б — параллельным
Схемы усилительных каскадов с последовательным и параллельным включением трансформатора показаны на рис. 95, а, б. Схе« ма с последовательно включенным трансформатором не содержит резистора
Эмиттерные повторители и фазоинверсные усилители
Эмиттерные повторители ЭП (рис. 97, а) являются разновидностью усилителей на резисторах с ООС. У эмиттерного повторителя транзистор включен по схеме с ОК (коллектор заземле
Усилители постоянного тока
Общие сведения. Усилители постоянного тока УПТ могут усиливать электрические колебания со спектром частот от 0 до fв, определяемой назначением и условиями работы. По п
Устройство и принцип действия генераторов
Общие сведения. Электронными генераторами гармонических колебаний называют автоколебательные системы, в которых энергия источников питания постоянного тока преобразуется в энергию
Рабочие режимы генераторов
Исходный режим работы электронного генератора устанавливается значением напряжения смещения, определяющего положение рабочей точки на характеристиках. Различают два основных режима
Схемы автогенераторов
Кроме рассмотренных ранее схем с трансформаторной связью широко распространены трехточечные схемы с индуктивной автотрансформаторной (рис. 104, а) и емкостной (рис. 104,6) ОС, в ко
Стабилизация частоты генераторов
Общие сведения. Частота колебаний автогенератора определяется его режимом работы и параметрами контура. В процессе работы генератор подвергается различным воздействиям (изменениям
W2к — w1к)/w1к=Ск/2С0~ 0,005-0,5 %.
На рис. 106, б, г показана зависимость реактивного хк и полного 2К сопротивлений кварца от частоты (без учета активных потерь в нем). Из графиков следует, что при w
Основные качественные показатели приемников
В соответствии с рекомендациями Международного консультативного комитета по радио (МККР) спектр радиочастот делится на диапазоны, которые приведены в табл. 133.
Важнейшими
Классификация приемников
В зависимости от электроакустических показателей радиоприемники делят на пять классов: высший, 1, II, III и IV. Стандарт охватывает радиовещательные приемники всех типов, включая т
Структурные схемы приемников
По принципу усиления принимаемого сигнала различают радио-, вещательные приемники прямого усиления, в которых сигнал усиливается непосредственно, и супергетеродинные, в которых уси
А — емкостная, б — индуктивно-емкостная
Коротковолновый диапазон при обычном значении коэффициента перекрытия охватывает много участков, отведенных для работы радиовещательных станций, что затрудняет настройку. Для удобс
A — c заземленной средней точкой катушки связи, б — с подключением тракта ДВ, СВ, KB
Связь входного контура с антенной. Чаще всего используются емкостная и индуктивная связи входного контура с антенной и реже индуктивно-емкостная связь.
Емкостная связь (см. рис. 112
Транзисторного приемника: а — одной, б — двух
Пределы настройки резонансных контуров магнитных антенн супергетеродинных приемников не должны выходить за пределы стандартных радиовещательных диапазонов (для СВ 1605 — 525 кГц, для ДВ 408 — 150 к
А — резисторная, б — трансформаторная
Апериодические УРЧ увеличивают лишь отношение сигнал/шум и чувствительность приемника. Наиболее часто их применяют в транзисторных приемниках прямого усиления на ДВ- и СВ-диапазонах. В качестве н
Преобразователи частоты
Преобразовательные каскады преобразуют высокочастотные колебания принимаемого сигнала в колебания промежуточной частоты, на которой осуществляется основное усиление сигнала. Преобр
Усилители промежуточной частоты
Общие сведения.Усилители промежуточной частоты УПЧ в супергетеродинном приемнике служат для усиления выходного сигнала преобразователя частоты и обеспечения избира
Высокочастотного тракта приемника
Регулировка усиления. Для обеспечения постоянного уровня выходного сигнала в приемниках используют регуляторы усиления и громкости. Различают ручные и автоматические регулировки уси
Условные обозначения интегральных схем
Обозначение ИС состоит из четырех элементов: первый элемент — цифра, указывающая конструктивно-технологическую группу (цифры 1, 5, 7 указывают, что ИС полупроводниковые; 2,
К1УС221А КДУС221Б
Напряжение источника-питания, В..... +6,3 +6,3
Входное сопротивле-ние, кОм...... 2 2
Коэффициент усиления на частоте 12 кГц . . „ 250 400
Постоянное напря
Микросхемы серии К226
Выпускают с усилителями низкой частоты в прямоугольном ме-таллостеклянном корпусе с 15 выводами (рис. 165, а, б), массой 4,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 45 до 4-55°С.
Бодиловский 3. Г.
Б75 Справочник молодого радиста: 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1983. — 320 с., ил. — (Профтехобразование. Библиотечная серия). В пер. № 5: 1 р. 20 к., в пер. № 7: 1 р. 40 к.
ББК 32.844 6Ф2.12
Редактор М. В. Золоева.
Художественный редактор Т. В. Панина.
Художник А. И. Шавард.
Технический редактор Л. А. Григорчук.
Корректор
Новости и инфо для студентов