рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевые транзисторы с изолированным затвором - раздел Электроника, Полевые транзисторы Полевые Транзисторы С Изолированным Затвором Имеют Затвор, Выполненный В Виде...

Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют затвор, выполненный в виде металлической пленки, изолированной от канала тонким слоем диэлектрика, в качестве которого используется двуоксид кремния. Такие транзисторы имеют структуру металл - оксид - полупроводник (МОП). Существуют две разновидности МОП – транзисторов: со встроенным каналом и с индуцированным каналом.

В МОП – транзисторах со встроенным каналом (у поверхности полупроводника под затвором) существует слой, который соединяет области истока и стока.

В МОП - транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между истоком и стоком появляется только при определенных полярности и величине напряжения на затворе.

 

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Полевые транзисторы

Эквивалентная схема полевого транзистора и его дифференциальные...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полевые транзисторы с изолированным затвором

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Полевые транзисторы
  Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем и протекающим через проводя

Полевые транзисторы с управляющим - переходом
  , Структура полевого транзистора с управляющим - переходом, показанная на рисунке 3.1, состоит из кана

МОП – транзисторы со встроенным каналом
  Устройство транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом показано на рисунке 3.3.  

МОП - транзисторы с индуцированным каналом
  Принципиальной особенностью транзистора с индуцированным каналом является отсутствие последнего без внешних электрических воздействий. Структура транзистора такого типа приведена на

Усилительные свойства полевых транзисторов
  Наибольшее распространение нашла схема усилителя с общим истоком (рисунок 3.10).  

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги