МОП – транзисторы со встроенным каналом

Устройство транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом показано на рисунке 3.3.

Рисунок 3.3 - МОП – транзистор со встроенным каналом

На подложке - типа создается сильно легированная область - типа, соединяющая выводы: сток (С) и исток (И). Канал изолирован от металлического затвора тонким слоем диэлектрика. Подложка обычно внутри электронного прибора соединяется с истоком. При подаче на затвор отрицательного напряжения создается поперечное электрическое поле, вытесняющее основные носители заряда - электроны в подложку, в результате чего проводимость канала уменьшается. Такой режим работы называется режимом обеднения. При подаче на затвор положительного напряжения электроны втягиваются в канал, их концентрация в канале увеличивается и, как следствие, проводимость канала увеличивается. Такой режим называется режимом обогащения.

Статические характеристики: семейство выходных и характеристика управления показаны на рисунке 3.4.

Семейство выходных характеристик при различных напряжениях внешне похоже на выходные статические характеристики транзистора с управляющим - переходом. Основное отличие состоит в том, что на затвор можно подавать как положительное, так и отрицательное напряжение.

Рисунок 3.4 - . Статические характеристики МОП – транзистора

со встроенным каналом

а - семейство выходных характеристик, b – характеристика управления