И система обозначений

Классификация современных полупроводниковых дио­дов (ПД) по их назначению, физическим свойствам, основ­ным электрическим параметрам, конструктивно-техноло­гическим признакам, исходному полупроводниковому . материалу находит отражение в системе условных обозна­чений диодов и приведена в [3].

Система обозначений ПД установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81, а силовых полупроводни­ковых приборов — ГОСТ 20859.1-89. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исход­ный полупроводниковый материал, второй (буква) — под­класс приборов, третий (цифра) — основные функцио­нальные возможности прибора, четвертый — число, обозначающее порядковый номер разработки, пятый эле­мент — буква, условно определяющая классификацию


(разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного полупроводникового матери-ала используются следующие символы:

Г, или 1, — германий или его соединения;

К, или 2, — кремний или его соединения;

А, или 3, — соединения галлия;

И, или 4, — соединения индия.

Для обозначения подклассов диодов используется одна из следующих букв:

Д — диоды выпрямительные и импульсные;

Ц — выпрямительные столбы и блоки;

В — варикапы;

И — туннельные диоды;

А — сверхвысокочастотные диоды;

С — стабилитроны;

Г — генераторы шума;

Л — излучающие оптоэлектронные приборы;

0 — оптопары.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатаци­онных признаков приборов (их функциональных возмож­ностей) используются следующие цифры.

Диоды (подкласс Д):

1 — выпрямительные диоды с постоянным или сред-

ним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — выпрямительные диоды с постоянным или сред-

ним значением прямого тока более 0,3 А, но не свы­ше 10 А;

4 — импульсные диоды с временем восстановления

обратного сопротивления более 500 нс;

5 — импульсные диоды с временем восстановления

более 150 не, но не свыше 500 нс;

6 — импульсные диоды с временем восстановления

30...150нс;

7 — импульсные диоды с временем восстановления

5...30 нс;


8 — импульсные диоды с временем восстановления

1...5нс;

9 — импульсные диоды с эффективным временем жиз-

ни неосновных носителей заряда менее 1 нс. Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1 — столбы с постоянным или средним значением пря-

мого тока не более 0,3 А;

2 — столбы с постоянным или средним значением пря-

мого тока 0,3...10 А;

3 — блоки с постоянным или средним значением тока

не более 0,3 А;

4 —- блоки с постоянным или средним значением пря-

мого тока 0,3... 10 А. Варикапы (подкласс В): 1 — подстроечные варикапы; 2— умножительные варикапы. Туннельные диоды (подкласс И):

1 — усилительные туннельные диоды;

2 — генераторные туннельные диоды;

3 — переключательные туннельные диоды;

4 — обращенные диоды.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

 

1 — смесительные диоды;

2 — детекторные диоды;

3 — усилительные диоды;

4 — параметрические диоды;

5 — переключательные и ограничительные диоды;

6 — умножительные и настроечные диоды;

7 — генераторные диоды;

8 — импульсные диоды.
Стабилитроны (подкласс С):

1 — стабилитроны мощйостъю не более 0,3 Вт с номи-

нальным напряжением стабилизации менее 10 В;

2 — стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номи-

нальным напряжением стабилизации 10..100 В;


3 — стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номи-

нальным напряжением: стабилизации более 100 В,

4 — стабилитроны мощностью 0,3...5 Вт с номиналь-

ным напряжением стабилизации менее 10 В;

5 — стабилитроны мощностью 0,3...5 Вт с номиналь-

ным напряжением стабилизации 10... 100 В;

6 — стабилитроны мощностью 0,3...5 Вт с номиналь-

ным напряжением стабилизации более 100 В;

7 — стабилитроны мощностью 5... 10 Вт с номинальным

напряжением стабилизации менее 10 В;

8 — стабилитроны мощностью 5,..10Вт с номинальным

напряжением стабилизации 10... 100 В;

9 — стабилитроны мощностью 5...10 Вт с номинальным

напряжением стабилизации более 100 В. Генераторы шума (подкласс Г):

1 — низкочастотные генератора шума;

2 — высокочастотные генераторы шума.

Для обозначения порядкового номера разработки ис­пользуется двухзначное число от 01 до 99. Если порядко­вый номер разработки превышает число 99, то в дальней­шем применяется трехзначное число от 101 до 999.

В качестве квалификационной литеры используются буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения применяются следующие символы:

цифры 1...9 — для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

буква С — для обозначения сборок — наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными вы­водами;

цифры, написанные через дефис,—для обозначения сле­дующихмодификаций конструктивного исполне­ния бескорпусных приборов:


1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (под-

ложке);

3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя

(подложки);

4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе (под-

ложке);

5 — с контактными площадками без кристаллодержа-теля (подложки) и без выводов;

6 — с контактными площадками на кристаллодержате-

ле без выводов, буква Р после последнего элемента обозначения — для приборов с парным подбором, буква Г — с подбором в четверки, буква К — с под­бором в шестерки.

Примеры обозначения приборов:

2Д204В — кремниевый выпрямительный диод с посто­янным и средним значением тока 0,3... 10 А, номер разработки 04, группа В.


КС620А — кремниевый стабилитрон мощностью 0,5...5 Вт, с номинальным напряжением стабилиза­ции более 100 В, номер разработки 20, группа А.

ЗИ309Ж— арсенидогаллиевый переключательный тун­нельный диод, номер разработки 09, группа Ж.

До введения в 1982 г. ОСТ 11336.919-81 применялась иная система условных обозначений. Она включала в себя два или три элемента (ГОСТ 5461 — 59).

Первый элемент — буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.

Второй элемент — число (номер), определяющее об­ласть применения:

1...100 — для точечных германиевых диодов;

101...200 — для точечных кремниевых диодов;

201...300 — для плоскостных кремниевых диодов;

301...400 — для плоскостных германиевых диодов;

401...500 — для смесительных СВЧ детекторов;

501...600 — для умножительных диодов;

601...700 — для видеодетекторов;

701...749 — для параметрических германиевых диодов;

750...800 — для параметрических кремниевых диодов.