И система обозначений

Система обозначений современных типов транзисторов приведена в [3] и установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исход­ный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор, второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов, третий (цифра) — основные функциональные возможности транзистора, четвертый (число) — обозначает порядковый номер раз­работки технологического типа транзистора, пятый (бук­ва) - условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г, или 1, — германий или его соединения;

К, или 2, — кремний или его соединения;

А, или 3, — соединения галлия (арсенид галлия);

И, или 4, — соединения индия.

Для обозначения подклассов используется одна из двух -букв: Т — биполярные и П — полевые транзисторы.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатацион­ных признаков транзисторов применяются следующие

цифры:

для транзисторов малой мощности (максимальная мощ­ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1 - с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее гранич­ной частотой) не более 3 МГц;

2 - с граничной частотой 3...30 МГц;

3-с граничной частотой более 30 МГц;

для транзисторов средней мощности (0,3... 1,5 Вт):

 

4 — с граничной частотой не более 3 МГц;

5 — с граничной частотой 3...30 МГц;

6 — с граничной частотой более 30 МГц;

для транзисторов большой мощности (более 1,5 Вт):

7 — с граничной частотой не более 3 МГц;

8 — с граничной частотой 3...30 М1ц;

9 — с граничной частотой более 30 МГц.

Для обозначения порядкового номера разработки ис­пользуют двузначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превышает число 99, то применяется трехзначное число от 101 до 999.

В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

Стандарт предусматривает также введение в обозначе­ние ряда дополнительных знаков. В качестве дополнитель­ных элементов обозначения используют следующие сим­волы:

цифры от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конст­рукции или электрических параметров;

буква С — для обозначения наборов в общем корпусе

(транзисторные сборки);

цифра, написанная через дефис, для бескорпусных транзисторов:

1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе;

3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя;

4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе;

5 — с контактными площадками без кристаллодержа-

теля и без выводов;

6 — с контактными площадками на кристаллодержате-

ле, но без выводов.

КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощ­ности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержа-теле.

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время, имеют систему обозна­чений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент обозначения — буква П, характеризу­ющая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП — для транзисторов в корпусе, герметизируемом спо­собом холодной сварки.

Второй элемент — двух- или трехзначное число, кото­рое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупро­водникового материала, значениям допустимой рассеива­емой мощности и граничной частоты:

от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастот­ные транзисторы;

от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастот­ные транзисторы; от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные

транзисторы; от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные

транзисторы; от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ

маломощные транзисторы; от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ

маломощные транзисторы; от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и. СВЧ

мощные транзисторы; от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ

мощные транзисторы.

Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовлен­ных по единой технологии.