Биполярные транзисторы

3.2.1. Определение и условное графическое обозначение.

 

3.2.2. Типы транзисторов и их диодные схемы замещения :

 

3.2.3. Физические явления в транзисторах.

 

3.2.4. Подача напряжения питания транзисторов (n-p-n и p-n-p типа).

 

3.2.5. Схемы включения и их статические параметры

 

3.2.5.1. Схема с общим эмиттером (ОЭ) :

· Схема включения и ее определение ;

· Эквивалентная схема ;

· Вольт - амперные характеристики (ВАХ) :

· Режимы работы :

· Нормальный активный режим :

· Режим насыщения :

· Режим насыщения :

 

3.2.5.2. Схема с общей базой (ОБ) :

· Схема включения и ее определения ;

· Эквивалентная схема ;

· ВАХ ;

· Режимы работы :

· Нормальный активный режим :

 

3.2.5.3. Схема с общим коллектором (ОК) :

· Схема включения и ее определение ;

· Эквивалентная схема ;

· Режимы работы :

· Нормальный активный режим :

3.2.6. h и Y параметры :

· h₁₁ - Входное сопротивление (Rвх)

· h₁₂ - Коэфициент внутренней и обратной связи (const » 0)

· h₂₁ - Коэфициент передачи по току (b)

· h₂₂- Выходная проводимость

 

3.2.7. Влияние температуры на статические параметры

 

3.2.8. Динамические параметры :

· Факторы влияющие на динамические свойства :

· Эквивалентная схема (для активного режима)

· Коэфициент передачи по току :

· b ( jw) - в частотной области

· b ( t ) - во временной области

· Граничная частота усиления - wгр

· Особенности переходных процессов в ключевом режиме работы

 

8. Предельно допустимые параметры :

· Обратные напряжения Uэби Uкб ;

· Напряжение Uкэ;

· Максимальная рассеиваемая мощность - Pр.