рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Электроника
/
Типы транзисторов и их диодные схемы замещения.

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Типы транзисторов и их диодные схемы замещения.

Типы транзисторов и их диодные схемы замещения. - раздел Электроника, Биполярные транзисторы Различают Кремниевые ( Рис. 4.1 ) И Германиевые Транзисторы ( Рис. 4.2 )....

Различают кремниевые ( рис. 4.1 ) и германиевые транзисторы ( рис. 4.2 ).

Рис.4.1. Рис.4.2.

На рис.4.1 и 4.2 показаны условные графические обозначения кремниевых ( n-p-n) и германиевых (p-n-p) транзисторов и соответствующие им диодные схемы замещения.

Транзистор состоит из двух противоположно включенных диодов, которые обладают одним общим n- или p- слоем. Электрод связанный с ним называется базой (Б). Дав других электрода называются эмиттером (Э) и коллектором (К). Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с его графическим обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистoра, но она дает возможность представлять действующие в нем обратные и прямые токи и напряжения.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Биполярные транзисторы

Определение... Транзистор ППП с мя электродами служащий для усиления сигналов в общем случае по мощности или их...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Типы транзисторов и их диодные схемы замещения.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Биполярные транзисторы
3.2.1. Определение и условное графическое обозначение. 3.2.2. Типы транзисторов и их диодные схемы замещения : 3.2.3. Физические явления в транзис

Физические явления в транзисторах.
Эмиттерная область транзистора является источником носителей заряда, а область улавливающая эти носители заряда называется коллектром. Область, которая управляет потоком этих носителей, называется

Подача напряжений питания.
Обычно переход Э-Б смещен в прямом направлении, а К-Б - в обратном. Поэтому источники напряжений питания транзисторов должны быть включены, как показано на рис.4.3 и 4.4.

Схемы включения и статические параметры.
Существуют три основные схемы включения транзисторов: · 1) - ОЭ · 2) - ОБ · 3) - ОК 1) Схема с общим эмиттером применяется наибо

Ток коллектора.
1) Iк = a / 1- a × Iб + 1 / 1- a × Iкбо = b × Iб + (1+b)× Iкбо » b × Iб, где : a - коэфициент передачи по току (т.е. коэфициент передачи тока

H и Y параметры транзисторов
Транзистор можно рассматривать как четырехполюсник где Uвх = U1, Iвх = I1, Uвых = U2, Iвых = I2. · h11э = &Ugr

Динамические параметры.
Это параметры, которые совместно с такими же параметрами других компонентов схемы определяют вид АЧХ линейной схемы или характер переходных процессов в ключевых схемах. Частотные свойства

Предельно допустимые параметры.
1) Uэбобр - электрический (Зенеровский) или тепловой пробой перехода Б-Э 2) Uкбобр Это max допустимые обратные напряжения на переходах Э-Б и К-Б. Причем,