Устройство и основные характеристики MOS FET транзисторов

Полевые транзисторы с МДП структурой (MOSFET, MISFET – Metal Oxide (Insulator) Semiconductor Field Effect Transistor), где изоляция обеспечена диэлектрическими свойствами двуокиси кремния (чаще всего), отделяющего ка?од от электрода затвора.

В свою очередь у МДП-транзисторов существует две разновидности:

• со встроенным (созданным технологически) каналом

с индуцированным (внешним полем) каналом.

В МДП-транзисторах часто используются для изоляции затвора двуокись кремния – SiO₂, поэтому такие транзисторы называются еще МОП/MOS-транзисторами: металл-окисел-полупроводник. Структура и условное графическое обозначение (УГО) такого транзистора приведены ниже на рис. 3.1а и б. Он имеет четыре вывода (четвертый вывод – подложка, со стороны которой также можно управлять током в канале).

 

 

a) Со встроенным каналом б) УГО

 

Рис. 3.1. Структура и УГО МДП-транзистора со встроенным каналом

 

При подаче отрицательного потенциала на затвор подложка заряжается положительным зарядом и таким образом образуется конденсатор З→П. Из-за взаимодействия отрицательной обкладки (З) и электронов в n-канале зона проводимости в канале уменьшается, а значит ток также уменьшается. Области n (И и С) в данном случае очень легированы. Подложка, как правило, соединяется с истоком для уменьшения паразитной емкости.

Это транзисторы со встроенным каналом. Характеристики n-канального транзистора такого типа похожи на соответствующие характеристики n-канального транзистора с управляющими p-n переходами.