рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры
- Раздел Электроника
- /
- Униполярные полевые транзисторы
Реферат Курсовая Конспект
Униполярные полевые транзисторы
Униполярные полевые транзисторы - раздел Электроника, Унипо...
Униполярные (полевые) транзисторы
3.3.1. Определение 3.3.2 Оcновные отличия полевых транзисторов от биполярных 3.3.3.. НазначениеУниполярные (полевые) транзисторы
Определение
Данный тип транзисторов называется так потому, что ток в канале проводимости (канальные транзисторы!) создается с помощью носителей заряда только одного знака (одной полярности): только дырок или только электронов. В первом случае – p-канал, а во втором – n-канал. Причем, ток в канале проводимости регулируется электрическим полем, тоесть практически без затрат мощности управляющего сигнала.
Основные отличия полевых транзисторов от биполярных
Rвх ≈ (106 ÷1014) Ом (3.1)Назначение
Благодаря своим особенностям униполярные транзисторы нашли свое применение в качестве:
1. Аналоговых переключателей и усилителей со сверхвысоким входным сопротивлением;
2. В качестве резисторов, управляемых напряжением, и источников тока;
3. Для создания БИС и СБИС (особенно CMOS памяти и ОЗУ);
4. Для создания ИМС приборов с зарядовой связью (ПЗС).
Классификация и краткая характеристика различных типов транзисторов
Существуют две большие группы полевых транзисторов в зависимости от способа изоляции затвора от канала. Известны два основных способа изоляции затвора:
1. Запертыми p-n переходами;
2. Слоем диэлектрика (МДП-транзисторы: металл-диэлектрик-полупроводник).
В зависимости от способа изоляции затвора (СИЗ), технологии создания канала проводимости (ТКП) и типа используемых носителей (ТН) заряда (n или p) различают шесть типов полевых транзисторов (FET).
Их классификация и УГО представлены на рисунке 3.1.
 |
___СИЗ
 |  | ||
___ТКП
|
| ||||
___ ТН
|
|
|
|
|
|
J3 ≈ (1пА – 1нА), Rвх = (1010 - 1015) Ом, J3 в 103 раз меньше, Rвх = (1013 ÷ 1015) Ом
Рисунок 3.1. Классификация и УГО полевых транзисторов
Устройство и основные характеристики JFET транзисторов
Полевые транзисторы с управляющими p-n переходами (JFET – Junction Field Effect Transistor), в которых изоляция канала от источника управляющего…Устройство и основные характеристики MOS FET транзисторов
В свою очередь у МДП-транзисторов существует две разновидности: со встроенным (созданным технологически) каналом с индуцированным (внешним полем) каналом. В МДП-транзисторах часто используются для изоляции затвора двуокись кремния – SiO2, поэтому такие транзисторы…Основные схемы включения
Схема с общим истоком
Соответствует схеме с общим эмиттером биполярного транзистора. Различие состоит в том, что диод «Канал - Затвор» включен в запирающем направлении. Входной ток при этом практически равен нулю, а входное сопротивление велико.
Рис. 5.1. Схема с общим истоком
В соответствии с эквивалентной схемой приведенной на рисунке 3.8.:
· Коэффициент усиления по напряжению
Ku = -S*(Rc || rcu).
При Rc >> rcu максимальная величина Ku составляет:
Ku = -S* rcu ≈ -μ
· Входное сопротивление
Rвх= rзи ≈ ∞
· Входное сопротивление
·
Rвых=Rc || rси.
Схема с общим затвором
Как правило, для полевых транзисторов схемы с общим затвором почти не применяются, так как при этом включении не используются свойства высокоомности цепи «Затвор - Исток».
Схема с общим стоком (Истоковый повторитель)
Обладает значительно большим входным сопротивлением, чем схема с общим истоком. В большинстве случаев, однако, это не имеет особого значения, поскольку оно достаточно велико и для схем с общим истоком. Преимуществом такой схемы является то, что она существенно уменьшает входную емкость.
Рис. 5.2. Схема с общим стоком.
В отличие от эмиттерного повторителя выходное сопротивление истокового повторителя не зависит от внутреннего сопротивления Ri источника сигнала.
· Коэффициент усиления по напряжению
· Входное сопротивление
· Выходное сопротивление
.
– Конец работы –
Используемые теги: Униполярные, Полевые, Транзисторы0.061
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Униполярные полевые транзисторы
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
| Твитнуть |
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Реклама
Информация в виде рефератов, конспектов, лекций, курсовых и дипломных работ имеют своего автора, которому принадлежат права. Поэтому, прежде чем использовать какую либо информацию с этого сайта, убедитесь, что этим Вы не нарушаете чье либо право.
© copyright 1999 - 2024 allRefs.net. Все права защищены. Страница сгенерирована за: 0.121 сек.
Новости и инфо для студентов